論文

査読有り
2017年

6.5 kV schottky-barrier-diode-embedded SiC-MOSFET for compact full-unipolar module

29th International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's (ISPSD)
  • Koutarou Kawahara
  • ,
  • Shiro Hino
  • ,
  • Koji Sadamatsu
  • ,
  • Yukiyasu Nakao
  • ,
  • Yusuke Yamashiro
  • ,
  • Yasuki Yamamoto
  • ,
  • Toshiaki Iwamatsu
  • ,
  • NAKATA SHUUHEI
  • ,
  • Shingo Tomohisa
  • ,
  • Satoshi Yamakawa

記述言語
英語
掲載種別
研究論文(国際会議プロシーディングス)
出版者・発行元
IEEE

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