Siデバイス向けゲート駆動回路では、SiC-MOSFETの10MHZを超えるような高周波駆動はできない。そこで本稿ではGaN-FETを使用したSiC-MOSFET向け10MHz絶縁ゲート駆動回路を試作し、昇圧チョッパに適用した。試作したゲート駆動回路ではSiC-MOSFETを駆動するために、プリドライバとしてGaN-FETを使用した。さらに負バイアスにより動作を安定させた。これによりスイッチング周波数10MHzでデューティ比がを30%から70%可変でき、SiC-MOSFETの高周波駆動が行えることを確認した。また昇圧チョッパ回路に適用し、10MHzスイッチングによる昇圧動作を確認した。