中田修平 (Shuhei Nakata) - マイポータル

基本情報

所属: 金沢工業大学金沢工業大学工学部電気電子工学科教授

学位: 博士(工学)(東京大学)

J-GLOBAL ID: 201701008973144652
researchmap会員ID: 7000020502

研究キーワード

研究分野

自然科学一般 / 半導体、光物性、原子物理 /

経歴

1985年4月 - 2017年3月

三菱電機株式会社先端技術総合研究所
2013年4月 - 2015年3月

三菱電機株式会社先端技術総合研究所, SiCデバイス開発センター, 副センター長

学歴

1982年4月 - 1985年3月

東京大学, 電気工学専門課程
1980年4月 - 1983年3月

東京大学, 電気工学専門課程
1976年4月 - 1980年3月

東京大学, 工学部, 電気工学科

委員歴

2007年4月 - 2008年3月

独立行政法人日本学術振興会, 真空ナノエレクトロニクス第158委員会委員
1997年4月 - 1999年3月

電気学会, 「電磁界問題最適化手法の高度化調査専門委員会」委員
1995年4月 - 1997年3月

電気学会, 「電磁界解析とその逆・最適化問題への応用調査専門委員会」委員
1993年4月 - 1995年3月

電気学会, 「三次元電磁界数値計算実用化技術調査専門委員会」委員

論文

43

SiC-MOSFETのp型コンタクト抵抗がスイッチング特性に及ぼす影響評価

永瀬唯, 中田修平, 富永貴亮

令和五年電気学会全国大会講演論文集 2023年3月
Impact of Recovery Characteristics on Switching Loss of SiC MOSFETs

Takaaki Tominaga, Toshiaki Iwamatsu, Yukiyasu Nakao, Hiroyuki Amishiro, Hiroshi Watanabe, Naruhisa Miura, Satoshi Yamakawa, Shuhei Nakata

Materials Science Forum 1062 447-451 2022年5月31日査読有り最終著者
32

Self-Turn-On Phenomenon of SiC MOSFETs by Fast Switching Operation

Shuhei Nakata, Yuta Sato

Materials Science Forum 1062 452-457 2022年5月31日査読有り
Body Potential Control via p-Type Contact Resistance and Its Influence on Switching Characteristics of 4H-SiC MOSFETs

Takaaki Tominaga, Toshiaki Iwamatsu, Yukiyasu Nakao, Hiroyuki Amishiro, Hiroshi Watanabe, Shingo Tomohisa, Naruhisa Miura, Shuhei Nakata

IEEE Transactions on Electron Devices 69(1) 285-290 2022年1月査読有り最終著者
49

SiC-MOSFETによる10MHz昇圧チョッパの検証

髙久佳雅, 吉田勇人, 中田修平

令和三年電気学会全国大会講演論文集 2021年3月
Influence of recovery characteristics on switching behavior of SiC MOSFETs

Takaaki Tominaga, Toshiaki Iwamatsu, Yukiyasu Nakao, Hiroyuki Amishiro, Hiroshi Watanabe, Naruhisa Miura, Satoshi Yamakawa, Shuhei Nakata

Japanese Journal of Applied Physics 59(8) 084003-084003 2020年7月30日査読有り最終著者
SiC-MOSFET向け10MHz駆動回路の検証

高久佳雅, 中田修平

令和二年電気学会全国大会講演論文集 2020年3月
Temperature Dependence of dV/dt Impact on the SiC-MOSFET

NAKATA SHUHEI, Shota Tanan

Materials Science Forum 963 596-599 2019年7月査読有り
dV/dtストレスによるSiC-MOSFETのゲート誤点弧の温度依存性

中田修平, 田中翔太, 北川竣也, 沖崎瑞希

平成30年電気学会産業応用部門大会予稿集 2018年8月
SiC-MOSFETに対するdV/dtストレスの影響

中田修平, 田中祥太

平成30年電気学会全国大会講演論文集 2018年3月
Impact of embedding schottky barrier diodes into 3.3 kv and 6.5 kv SiC MOSFETs

Koutarou Kawahara, Shiro Hino, Koji Sadamatsu, Yukiyasu Nakao, Toshiaki Iwamatsu, Shuhei Nakata, Shingo Tomohisa, Satoshi Yamakawa

Materials Science Forum 924 663-666 2018年査読有り
6.5 kV schottky-barrier-diode-embedded SiC-MOSFET for compact full-unipolar module

Koutarou Kawahara, Shiro Hino, Koji Sadamatsu, Yukiyasu Nakao, Yusuke Yamashiro, Yasuki Yamamoto, Toshiaki Iwamatsu, Shuhei Nakata, Shingo Tomohisa, Satoshi Yamakawa

Proceedings of the International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs 41-44 2017年査読有り
Demonstration of SiC-MOSFET embedding Schottky barrier diode for inactivation of parasitic body diode

S. Hino, H. Hatta, K. Sadamatsu, Y. Nagahisa, S. Yamamoto, T. Iwamatsu, Y. Yamamoto, M. Imaizumi, S. Nakata, S. Yamakawa

Materials Science Forum 897 477-482 2017年査読有り
The Effect of Incomplete Ionization on SiC Devices during High Speed Switching

Kohei Ebihara, Kotaro Kawahara, Hiroshi Watanabe, NAKATA SHUUHEI, Satoshi Yamakawa

Materials Science Forum 897 467-470 2017年査読有り
Analysis of effect of gate oxidation at SiC MOS interface on threshold-voltage shift using deep-level transient spectroscopy

Junichi Hasegawa, Munetaka Noguchi, Masayuki Furuhashi, Shuhei Nakata, Takayuki Iwasaki, Tetsuo Kodera, Tadashi Nishimura, Mutsuko Hatano

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 54(4) 04DP05-1-04DP05-6 2015年4月査読有り
3.3 kV/1500A power modules for the world's first all-SiC traction inverter

Kenji Hamada, Shiro Hino, Naruhisa Miura, Hiroshi Watanabe, Shuhei Nakata, Eisuke Suekawa, Yuji Ebiike, Masayuki Imaizumi, Isao Umezaki, Satoshi Yamakawa

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 54(4) 04DP07-1-04DP07-4 2015年4月査読有り
Accuracy of the energy distribution of the interface states at the SiO2/SiC interface by conductance method

Noguchi, Iwamatsu, Amishiro, Watanabe, NAKATA SHUUHEI, Kuroiwa, Yamakawa

Materials Science Forum 858 437-440 2015年査読有り
Shallow and deep levels in Al+-implanted p-type 4H-SiC measured by thermal admittance spectroscopy

K. Kawahara, H. Watanabe, N. Miura, S. Nakata, S. Yamakawa

Materials Science Forum 821-823 403-406 2015年査読有り
Driving Force of Stacking Fault Expansion in 4H-SiC PN Diode studied by in situ Electroluminescence Imaging

Kazuya Konishi, Shigehisa Yamamoto, Shuhei Nakata, Yoshihiko Toyoda, Satoshi Yamakawa

SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2013, PTS 1 AND 2 778-780 342-345 2014年
Characterization of SiO2/4H-SiC interface by device simulation and temperature dependence of on-resistance of SiC MOSFET

K. Ohtsuka, S. Hino, A. Nagae, R. Tanaka, Y. Kagawa, N. Miura, S. Nakata

SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2013, PTS 1 AND 2 778-780 993-996 2014年査読有り

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MISC

Inrush Current Effects on SiC-MOSFETs for LLC Converter

TAKAKU Yoshimasa, NAKATA Shuhei

Technical Program and Abstracts of ICSCRM2019 2019年
Temperature Dependence of Dv/Dt Impact on the SiC-MOSFET

NAKATA Shuhei

European Conference on Silicon Carbide & Related Materials 2018年
FED/CRTに関する発表報告 : SID'04報告

中田修平

映像情報メディア学会技術報告 28(36) 39-42 2004年7月9日
FED/CRTに関する発表報告 : SID'04報告

中田修平

電子情報通信学会技術研究報告. EID, 電子ディスプレイ 104(172) 39-42 2004年7月2日
30P-p-6 パルス電磁石の磁性材料が及ぼす低エネルギー荷電粒子への影響

中田修平

年会講演予稿集 47(1) 60-60 1992年3月12日
28a-SA-13 小型超電導SORの1/2共鳴入射方式の検討(原子核実験(加速器))

中田修平, 築島千尋

年会講演予稿集 44(1) 51-51 1989年3月28日

講演・口頭発表等

dV/dtストレスによるSiC-MOSFETのゲート誤点弧の温度依存性

中田修平, 田中翔太, 北川竣也, 沖崎瑞希

平成30年電気学会産業応用部門大会予稿集 2018年8月
Development of High Voltage SiC Devices and Its Applications

NAKATA Shuhei

International SiC Power Electronics Application Workshop 2016年招待有り
次世代パワーエレクトロニクスのためのSiCパワーデバイス開発

中田修平

2015年招待有り

所属学協会

共同研究・競争的資金等の研究課題

SiC-MOSFETの超高速駆動時の接触抵抗の影響評価と高効率電力変換効率の実証

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 2022年4月 - 2025年3月

中田修平