光によって電磁応答が動的に制御可能な、構造中に高抵抗シリコンを含むメタマテリアルの過渡応答特性を評価し、そのメタマテリアルを用いた電磁波の捕捉と解放の実証実験を行った。シリコン部分にレーザー光を照射した直後の過渡応答時間は照射レーザー光のパワーに反比例するのに対し、レーザー光の照射を止めた際の過渡応答時間は数十マイクロ秒もの時間がかかることがわかった。この結果を踏まえて、メタマテリアルを一方の入射鏡として含むようなファブリペロー共振器を用いる手法を提案した。メタマテリアルへのレーザー光の照射により、ファブリペロー共振器内に数十ナノ秒程度蓄えられた電磁波を解放することに成功した。