斉藤好昭 (Yoshiaki Saito) - マイポータル

基本情報

所属: 東北大学国際集積エレクトロニクス研究開発センター研究開発部門教授

学位: 理学博士(物理学)(University of Tsukuba)

J-GLOBAL ID: 201801016105448602
researchmap会員ID: 7000022508

外部リンク: http://db.tohoku.ac.jp/whois/detail/6f8ffbf4495640f4239acde90ac0a2fb.html

研究キーワード

研究分野

経歴

2017年10月 - 現在

東北大学, 教授
1990年4月 - 2017年9月

株式会社東芝研究開発センター, 研究主幹 (2008年～2017年)

学歴

- 1990年3月

筑波大学, 物理学研究科
- 1985年3月

筑波大学

論文

190

Observation of anisotropy of orbital Hall effect in an epitaxial titanium

Shutaro Karube, Yuta Yahagi, Yoshiaki Saito, Chih-Hsiang Tseng, Ryusuke Hisatomi, Yoichi Shiota, Teruo Ono

Physical Review Materials 10(1) 014401-1-014401-6 2026年1月7日査読有り
31

Effect of stack structure on damping-like spin–orbit torque efficiency in RuO2/α-WTa/CoFeB/MgO and RuO2/(Cr, V)/α-WTa/CoFeB/MgO systems

Yoshiaki Saito, Shoji Ikeda, Tetsuo Endoh

Applied Physics Express 18(10) 103001-1-103001-6 2025年10月14日査読有り筆頭著者責任著者
22

Strong antiferromagnetic interlayer exchange coupling induced by small additions of Re to an Ir interlayer in synthetic antiferromagnetic systems

Yoshiaki Saito, Tufan Roy, Shoji Ikeda, Masafumi Shirai, Hiroaki Honjo, Hirofumi Inoue, Tetsuo Endoh

Scientific Reports 15(1) 8977-1-8977-8 2025年3月15日査読有り筆頭著者
Enhanced field-like torque generated from the anisotropic spin-split effect in triple-domain RuO2 for energy-efficient spin–orbit torque magnetic random-access memory

T. V. A. Nguyen, H. Naganuma, T. N. H. Vu, S. DuttaGupta, Y. Saito, D. Vu, Y. Endo, S. Ikeda, T. Endoh

Adv. Sci. 12 2413165-1-2413165-8 2025年3月査読有り
Enhancement of damping-like spin-orbit torque efficiency using light and heavy nonmagnetic metals on a polycrystalline RuO2 layer

Y. Saito, S. Ikeda, S. Karube, T. Endoh

Phys. Rev. B 110 134423-1-134423-10 2024年10月査読有り筆頭著者
Investigation of the dynamic magnetic properties in RuO2/Co-Fe-B stack film

T. V. A. Nguyen, Y. Saito, H. Naganuma, D. Vu, S. Ikeda, T. Endoh

IEEE Transactions on Magnetics 60(9) 2200305-1-2200305-5 2024年9月査読有り
Field-free spin-orbit torque switching and large damping-like spin-orbit torque efficiency in synthetic antiferromagnetic systems using interfacial Dzyaloshinskii-Moriya interaction

Yoshiaki Saito, Shoji Ikeda, Nobuki Tezuka, Hirofumi Inoue, Tetsuo Endoh

Physical Review B 108(2) 024419-1-024419-11 2023年7月査読有り筆頭著者責任著者
Charge-to-Spin Conversion Efficiency in Synthetic Antiferromagnetic System using Pt-Cu/Ir/Pt-Cu spacer layers

Yoshiaki Saito, Shoji Ikeda, Hirofumi Inoue, Tetsuo Endoh

IEEE Transactions on Magnetics 59(11) 1300405-1-1300405-5 2023年6月査読有り筆頭著者責任著者
Magnetic Switching Properties for Synthetic Antiferromagntic Layers with Perpendicular Easy Magnetic Anisotropy

N. Tezuka, S. Fujikawa, H. Akatani, M. Matsuura, S. Sugimoto, Y. Saito

IEEE Xplore 2023年5月査読有り最終著者
Enhancement of Damping-Like Spin-Orbit-Torque Efficiency in Synthetic Antiferromagnetic System using Pt-Cu Alloy

Yoshiaki Saito, Shoji Ikeda, Hirofumi Inoue, Tetsuo Endoh

IEEE Xplore 2023年5月査読有り筆頭著者責任著者
Correlation between the magnitude of interlayer exchange coupling and charge-to-spin conversion efficiency in a synthetic antiferromagnetic system

Yoshiaki Saito, Shoji Ikeda, Tetsuo Endoh

Applied Physics Express 16(1) 013002-013002 2023年1月1日査読有り筆頭著者責任著者
Effect of oxygen incorporation on dynamic magnetic properties in Ta-O/Co-Fe-B bilayer films under out-of-plane and in-plane magnetic fields

T. V. A. Nguyen, Y. Saito, H. Naganuma, S. Ikeda, T. Endoh, Y. Endo

AIP Advances 12(3) 035133-1-035133-5 2022年3月1日査読有り
Enhancement of current to spin-current conversion and spin torque efficiencies in a synthetic antiferromagnetic layer based on a Pt/Ir/Pt spacer layer

Yoshiaki Saito, Shoji Ikeda, Tetsuo Endoh

Physical Review B 105(5) 054421-1-054421-11 2022年2月22日査読有り筆頭著者責任著者
Synthetic antiferromagnetic layer based on Pt/Ru/Pt spacer layer with 1.05 nm interlayer exchange oscillation period for spin–orbit torque devices

Yoshiaki Saito, Shoji Ikeda, Tetsuo Endoh

Applied Physics Letters 119(14) 142401-1-142401-7 2021年10月4日査読有り筆頭著者責任著者
Antiferromagnetic interlayer exchange coupling and large spin Hall effect in multilayer systems with Pt/Ir/Pt and Pt/Ir layers

Yoshiaki Saito, Nobuki Tezuka, Shoji Ikeda, Tetsuo Endoh

Physical Review B 104(6) 064439-1-064439-11 2021年8月23日査読有り筆頭著者責任著者
W thickness dependence of spin Hall effect for (W/Hf)-multilayer electrode/CoFeB/MgO systems with flat and highly (100) oriented MgO layer

Y. Saito, N. Tezuka, S. Ikeda, T. Endoh

AIP Advances 11(2) 025007-1-025007-6 2021年2月査読有り筆頭著者責任著者
Study of spin transport and magnetoresistance effect in silicon-based lateral spin devices for spi -MOSFET applications

M. Ishikawa, Y. Saito, and K. Hamaya

J. Magn. Soc. Jpn 44(3) 56-63 2020年5月査読有り
Large spin Hall effect and increase in perpendicular magnetic anisotropy in artificially synthesized amorphous W/Hf multilayer/CoFeB system

Saito, Y., Tezuka, N., Ikeda, S., Endoh, T.

Applied Physics Letters 116(13) 132401-1-132401-5 2020年3月査読有り筆頭著者責任著者
Spin Hall effect investigated by spin Hall magnetoresistance in Pt100−xAux/CoFeB systems

Yoshiaki Saito, Nobuki Tezuka, Shoji Ikeda, Tetsuo Endoh

AIP Advances 9(12) 125312-1-125312-5 2019年12月査読有り筆頭著者責任著者
Increase in spin-Hall effect and influence of anomalous Nernst effect on spin-Hall magnetoresistance in β -phase and α -phase W100− x Ta x /CoFeB systems

Yoshiaki Saito, Nobuki Tezuka, Shoji Ikeda, Tetsuo Endoh

Appl. Phys. Exp. 12(5) 053008-1-053008-6 2019年5月査読有り筆頭著者責任著者

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MISC

電圧制御型スピントロニクスメモリ(VoCSM) (磁気記録・情報ストレージ)

アルタンサルガイブヤンダライ, 與田博明, 井口智明, 大沢裕一, 下村尚治, 白鳥聡志, 杉山英行, 加藤侑志, 上口裕三, 清水真理子 …

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 117(118) 37-40 2017年7月7日
電圧制御型スピントロニクスメモリ(VoCSM) (マルチメディアストレージ)

アルタンサルガイブヤンダライ, 與田博明, 井口智明, 大沢裕一, 下村尚治, 白鳥聡志, 杉山英行, 加藤侑志, 上口裕三, 清水真理子 …

映像情報メディア学会技術報告 = ITE technical report 41(21) 37-40 2017年7月
依頼講演超低消費エネルギーと高集積性を併せ持つ電圧制御スピントロニクスメモリ : Ultra-low Energy Consumption High-Density VoCSM (集積回路)

與田博明, 下村尚治, 大沢裕一, 白鳥聡志, 加藤侑志, 井口智明, 上口裕三, アルタンサガイブヤンダライ, 斉藤好昭, 鴻井克彦 …

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 117(9) 1-4 2017年4月20日
招待講演超低消費エネルギーと高集積性を併せ持つ電圧制御スピントロニクスメモリ : Ultra-low Energy Consumption High-Density VoCSM (シリコン材料・デバイス)

與田博明, 下村尚治, 大沢裕一, 白鳥聡志, 加藤侑志, 井口智明, 上口裕三, アルタンサガイブヤンダライ, 斉藤好昭, 鴻井克彦 …

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 116(448) 25-28 2017年1月30日
Si〈100〉スピン伝導素子のスピン信号強度増大

石川瑞恵, 石川瑞恵, 塚原誠人, 藤田裕一, 山田晋也, 杉山英行, 斉藤好昭, 浜屋宏平

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 78th 2017年
Si系横型素子における室温スピン信号の増大

岡孝保, 石川瑞恵, 藤田裕一, 山田晋也, 金島岳, 斉藤好昭, 浜屋宏平

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 63rd 2016年
International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS) 2015 roadmap

Yoshiaki Saito

2015年
International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS) 2013 roadmap

Yoshiaki Saito

International Technology Roadmap for Semiconductors 2013年
先端メモリ及びロジックICへ向けたスピンMOSFET技術

井口智明, 棚本哲史, 斉藤好昭

東芝レビュー 66(11) 40-43 2011年11月
Spin-based MOSFET の現状と展望

斉藤好昭

まぐね = Magnetics Japan 6(1) 16-22 2011年2月1日
不揮発再構成可能な回路へのスピンMOSFETの応用

井口智明, 丸亀孝生, 棚本哲史, 杉山英行, 石川瑞恵, 斉藤好昭

電子情報通信学会技術研究報告. ICD, 集積回路 110(183) 125-129 2010年8月19日
自己差動メモリ素子の作製とその検出

杉山英行, 斉藤好昭, 猪俣浩一郎

日本応用磁気学会学術講演概要集 = Digest of ... annual conference on magnetics in Japan 28 220-220 2004年9月21日
MRAMの高性能化とその課題

與田博明, 浅尾吉昭, 斉藤好昭, 上田知正, 菊田邦子, 岸達也, 池川純夫, 石綿延行, 土田賢二, 田原修一

電子情報通信学会技術研究報告. ICD, 集積回路 103(2) 11-15 2003年4月3日
MRAM : 開発の最前線

斉藤好昭, 天野実, 岸達也, 上田智樹, 浅尾吉昭, 土田賢二, 與田博明

日本応用磁気学会研究会資料 128 85-92 2003年1月30日
大容量MRAMの展望

浅尾吉昭, 土田賢二, 斉藤好昭, 池川純夫, 與田博明

日本応用磁気学会学術講演概要集 = Digest of ... annual conference on magnetics in Japan 26 165-166 2002年9月1日
デイープサブミクロン強磁性二重トンネル接合素子

高橋茂樹, 中島健太郎, 天野実, 岸達也, 斉藤好昭

日本応用磁気学会学術講演概要集 = Digest of ... annual conference on magnetics in Japan 25 326-326 2001年9月1日
MRAM用強磁性二重トンネル接合の性能と将来性

斉藤好昭, 中島健太郎, 天野実, 高橋茂樹, 岸達也, 砂井正之

日本応用磁気学会研究会資料 119 33-40 2001年3月6日
ナノ構造強磁性二重トンネル接合における磁気抵抗効果

中島健太郎, 斉藤好昭, 猪俣浩一郎

日本応用磁気学会学術講演概要集 = Digest of ... annual conference on magnetics in Japan 24 174a-174b 2000年9月1日
二重トンネル接合強磁性中間層のスイッチング特性

中島健太郎, 砂井正之, 天野実, 高橋茂樹, 斉藤好昭

日本応用磁気学会学術講演概要集 = Digest of ... annual conference on magnetics in Japan 24 27-27 2000年9月1日
MRAM用低抵抗強磁性二重トンネル接合素子

斉藤好昭, 天野実, 中島健太郎, 高橋茂樹, 砂井正之

日本応用磁気学会学術講演概要集 = Digest of ... annual conference on magnetics in Japan 24 28-28 2000年9月1日

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書籍等出版物

Nanomagnetic Materials : Fabrication, Characterization and Application

Yoshiaki Saito, Edi, Akinobu Yamaguchi, Atsufumi Hirohata, Bethanie Stadler (担当:共著)

2021年7月
2020版薄膜作製応用ハンドブック

監修者權田俊一, 編集委員酒井忠司、田畑仁、八瀬清志, 編集協力委員宮崎照宣 (担当:共著, 範囲:第4編第1章第1節-7 MRAM用強磁性トンネル接合薄膜)

株式会社エヌ・ティー・エス 2020年2月
スピントロニクスの基礎と材料・応用技術の最前線《普及版》

斉藤好昭 (担当:共著)

シーエムシー出版、高梨弘毅教授編集 2015年8月
スピントロニクスの基礎と材料・応用技術の最前線

斉藤好昭 (担当:共著, 範囲:スピントロニクス素子のシステムLSIへの応用とその課題)

シーエムシー出版、高梨弘毅教授編集 2009年6月
２１世紀版、薄膜作製応用ハンドブック

斉藤好昭 (担当:共著, 範囲:MRAM用強磁性トンネル接合薄膜)

株式会社エヌ・ティー・エス, 権田俊一教授監修 2003年4月
MRAM技術～基礎からLSI応用まで～

斉藤好昭 (担当:共著, 範囲:TMR・GMR磁性素子技術)

サイペック(株)REALIZE事業部門, 猪俣浩一郎教授監修 2002年2月

所属学協会

共同研究・競争的資金等の研究課題

スピン軌道トルクにおける軌道対称性効果の解明と高効率大容量スピンデバイスの創製

日本学術振興会科学研究費助成事基盤研究（Ｓ） 2024年4月 - 2029年3月

斉藤好昭
反強磁性体材料を基軸とした超高密度不揮発メモリデバイスの開拓

日本学術振興会科学研究費助成事業挑戦的研究(開拓) 挑戦的研究(開拓) 2021年7月 - 2026年3月

斉藤好昭
高効率スピン軌道トルク電圧制御デバイス創製を目指したナノ構造エンジニアリング

科学研究費補助金 2019年4月 - 2023年3月

斉藤好昭
純スピン流伝導の光・電界制御

科学研究費補助金 2016年4月 - 2017年9月
ImPACT: 低RA・高スピン偏極ソース/ドレイン電極開発（スピンFETプロジェクト）

大型別枠研究 2014年12月 - 2017年3月
半導体チャネルを介した磁気抵抗比の増大に関する研究

科学研究費補助金 2014年4月 - 2017年3月
縦型ショットキートランジスタの創製

科学研究費補助金 2013年4月 - 2016年3月
ホイスラー合金ソース・ドレイン構造を用いたＳｉチャンネルを介した磁気抵抗効果

日本学術振興会科学研究費補助金基盤研究(B) 2010年4月 - 2013年3月

手束展規, 斉藤好昭
NEDO: 高スピン偏極率材料を用いたスピンMOSFET の研究開発

新エネルギー技術研究開発費 2006年10月 - 2009年9月
CREST-JST: スピン量子ドットメモリ創製のための要素技術開発

ＪＳＴ戦略的創造研究推進制度（研究チーム型）（戦略的基礎研究推進事業：ＣＲＥＳＴ） 2001年4月 - 2006年3月
高性能スピントンネル2重接合の開発とその大容量MRAMへの適用化研究

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(A) 2001年 - 2002年

猪俣浩一郎, 斎藤好昭, 手束展規

斉藤好昭

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論文

MISC

書籍等出版物

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