梁剣波 (LIANG JIANBO) - マイポータル

基本情報

所属: 大阪市立大学

学位: 博士（工学）(名古屋工業大学)
修士（工学）(名古屋工業大学)
博士（工学）(名古屋工業大学)

J-GLOBAL ID: 201801007956686329
researchmap会員ID: 7000022925

外部リンク: http://www.shigekawa-ocu.jp

研究分野

自然科学一般 / 半導体、光物性、原子物理 /

経歴

2019年4月 - 現在

大阪市立大学, 工学研究科電子情報系専攻, 准教授
2015年4月 - 2019年3月

大阪市立大学, 工学研究科電子情報系専攻, 講師
2017年2月 - 2017年8月

ブリストル大学, HH Wills 物理学研究所, 客員研究員
2012年4月 - 2015年3月

大阪市立大学, 大学院工学研究科電子情報系専攻, 博士研究員

学歴

2009年4月 - 2012年3月

名古屋工業大学, 工学研究科, 未来材料創成工学専攻
2007年4月 - 2009年3月

名古屋工業大学, 工学研究科, 未来材料創成工学

委員歴

2020年12月 - 現在

Function Diamond編集委員会編集委員, 委員

受賞

2021年10月

Best Student Presentation Award, Fabrication of GaN/SiC/diamond structure for efficient thermal management of power device, The organizing committee of 2021 7th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D)

Ryo Kagawa, Keisuke Kawamura, Yoshiki Sakaida, Sumito Ouchi, Hiroki Uratani, Yasuo Shimizu, Yutaka Ohno, Yasuyoshi Nagai, Naoteru Shigekawa, Jianbo Liang
2021年10月

Best Presentation Award, Fabrication of Ga2O3/Si direct bonding interface for high power device applications, The organizing committee of 2021 7th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D)

Jianbo Liang, Daiki Takatsuki, Yasuo Shimizu, Masataka Higashiwaki, Yutaka Ohno, Yasuyoshi Nagai, Naoteru Shigekawa
2019年10月

大阪市立大学2019年度南部陽一郎記念若手奨励賞
2019年5月

Best Presentation Award, Impact of Ar atom irradiation on the crystallinity of GaAs/Si interfaces fabricated by surface activated bonding at room temperature, The organizing committee of 2019 6th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D)

Yutaka Ohno, Reina Miyagawa, Hideto Yoshida, Seiji Takeda, Jianbo Liang, Naoteru Shigekawa
2019年5月

Best Poster Presentation Award, Fabrication of Diamond/Cu Direct Bonding for Power Device Application, The organizing committee of 2019 6th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D)

Shinji Kanda, Satoshi Masuya, Makoto Kasu, Naoteru Shigekawa, Jianbo Liang

論文

125

High Thermal Stability and Low Thermal Resistance of Large Area GaN/3C‐SiC/Diamond Junctions for Practical Device Processes

Ryo Kagawa, Zhe Cheng, Keisuke Kawamura, Yutaka Ohno, Chiharu Moriyama, Yoshiki Sakaida, Sumito Ouchi, Hiroki Uratani, Koji Inoue, Yasuyoshi Nagai …

Small 2023年11月14日
Characterization of Ga-face/Ga-face and N-face/N-face interfaces with antiparallel polarizations fabricated by surface-activated bonding of freestanding GaN wafers

Kazuki Sawai, Jianbo Liang, Yasuo Shimizu, Yutaka Ohno, Yasuyoshi Nagai, Naoteru Shigekawa

Japanese Journal of Applied Physics 62(SN) SN1013-SN1013 2023年9月13日
Room temperature bonding of GaN and diamond via a SiC layer

A. Kobayashi, H. Tomiyama, Y. Ohno, Y. Shimizu, Y. Nagai, N. Shigekawa, J. Liang

Functional Diamond 2(1) 142-150 2022年12月査読有り
High thermal conductivity in wafer-scale cubic silicon carbide crystals

Zhe Cheng, Jianbo Liang, Keisuke Kawamura, Hao Zhou, Hidetoshi Asamura, Hiroki Uratani, Janak Tiwari, Samuel Graham, Yutaka Ohno, Yasuyoshi Nagai …

Nature Communications 13(1) 2022年11月23日
Heterojunctions fabricated by surface activated bonding–dependence of their nanostructural and electrical characteristics on thermal process

Naoteru Shigekawa, Jianbo Liang, Yutaka Ohno

Japanese Journal of Applied Physics 61(12) 120101-120101 2022年11月14日
Electrical properties of Si/diamond heterojunction diodes fabricated by using surface activated bonding

Yota Uehigashi, Shinya Ohmagari, Hitoshi Umezawa, Hideaki Yamada, Jianbo Liang, Naoteru Shigekawa

Diamond and Related Materials 109425-109425 2022年10月
Intrinsic luminescence-downshifting effects of Zn-based Mn-doped nanoparticle layers on Si solar cells

Yuki Idutsu, Keigo Awai, Jianbo Liang, Hisaaki Nishimura, DaeGwi Kim, Yong-Gu Shim, Naoteru Shigekawa

Japanese Journal of Applied Physics 61(6) 062004-062004 2022年6月1日
Fabrication of β-Ga₂O₃/Si heterointerface and characterization of interfacial structures for high-power device applications

Jianbo Liang, Daiki Takatsuki, Masataka Higashiwaki, Yasuo Shimizu, Yutaka Ohno, Yasuyoshi Nagai, Naoteru Shigekawa

Japanese Journal of Applied Physics 61(SF) SF1001-SF1001 2022年6月1日査読有り
Comparison of thermal stabilities of p⁺-Si/p-diamond heterojunction and Al/p-diamond Schottky barrier diodes

Yota Uehigashi, Shinya Ohmagari, Hitoshi UMEZAWA, hideaki YAMADA, Jianbo Liang, Naoteru Shigekawa

Japanese Journal of Applied Physics 2022年4月5日
AlGaN/GaN/3C-SiC on diamond HEMTs with thick nitride layers prepared by bonding-first process

Ryo Kagawa, Keisuke Kawamura, Yoshiki Sakaida, Sumito Ouchi, Hiroki Uratani, Yasuo Shimizu, Yutaka Ohno, Yasuyoshi Nagai, Jianbo Liang, Naoteru Shigekawa

Applied Physics Express 15(4) 041003-041003 2022年4月1日査読有り
Variation in atomistic structure due to annealing at diamond/silicon heterointerfaces fabricated by surface activated bonding

Yutaka Ohno, Jianbo Liang, Hideto Yoshida, Yasuo Shimizu, Yasuyoshi Nagai, Naoteru Shigekawa

Japanese Journal of Applied Physics 61(SF) SF1006/1-SF1006/5 2022年3月11日査読有り
Fabrication of n-Si/n-Ga2O3 heterojunctions by surface-activated bonding and their electrical properties

Zhenwei Wang, Daiki Takatsuki, Jianbo Liang, Takahiro Kitada, Naoteru Shigekawa, Masataka Higashiwaki

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 131(7) 2022年2月
Fabrication of p+-Si/p-diamond heterojunction diodes and effects of thermal annealing on their electrical properties

Yota Uehigashi, Shinya Ohmagari, Hitoshi Umezawa, Hideaki Yamada, Jianbo Liang, Naoteru Shigekawa

Diamond & Related Materials 120 108665-1-108665-6 2021年10月22日査読有り
Fabrication of Ga₂O₃/3C-SiC direct bonding for efficient surface heat dissipation

Hiromu Nagai, Keisuke Kawamura, Yoshiki Sakaida, Hiroki Uratani, Yasuo Shimizu, Yutaka Ohno, Yasuyoshi Nagai, Naoteru Shigekawa, Jianbo Liang

2021 7th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D) 2021年10月5日
Fabrication and Characterization of GaN/Diamond bonding interface

A. Kobayashi, Y. Shimizu, Y. Ohno, S. W. Kim, K. Koyama, M. Kasu, Y. Nagai, N. Shigekawa, J. Liang

2021 7th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D) 2021年10月5日
Nanostructural Analysis of Al/β-Ga₂O₃ Interface Fabricated Using Surface Activated Bonding

Zexin Wan, Jianbo Liang, Yasuo Shimizu, Yutaka Ohno, Yasuyoshi Nagai, Naoteru Shigekawa

2021 7th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D) 2021年10月5日
Polarization inverted GaN/GaN junctions fabricated by surface-activated bonding

Kazuki Sawai, Jianbo Liang, Yasuo Shimizu, Yutaka Ohno, Yasuyoshi Nagai, Naoteru Shigekawa

2021 7th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D) 2021年10月5日
Fabrication of Ga₂O₃/Si direct bonding interface for high power device applications

Jianbo Liang, Daiki Takatsuki, Yasuo Shimizu, Masataka Higashiwaki, Yutaka Ohno, Yasuyoshi Nagai, Naoteru Shigekawa

2021 7th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D) 2021年10月5日
Fabrication of GaN/SiC/diamond structure for efficient thermal management of power device

Ryo Kagawa, Keisuke Kawamura, Yoshiki Sakaida, Sumito Ouchi, Hiroki Uratani, Yasuo Shimizu, Yutaka Ohno, Yasuyoshi Nagai, Naoteru Shigekawa, Jianbo Liang

2021 7th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D) 2021年10月5日
Structural analysis of diamond/silicon heterointerfaces fabricated by surface activated bonding at room temperature

Yutaka Ohno, Jianbo Liang, Hideto Yoshida, Yasuo Shimizu, Yasuyoshi Nagai, Naoteru Shigekawa

2021 7th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D) 2021年10月5日

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MISC

n⁺-Si/p-ダイヤモンドヘテロ接合ダイオードの作製と電気特性評価

上東洋太, 大曲新矢, 梅沢仁, 山田英明, LIANG Jianbo, 重川直輝

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 69th 2022年
ダイヤモンドと異種材料との直接接合による超耐熱マテリアルの開発とその応用について

梁剣波, 重川直輝

技術情報協会 21(8) 2022年1月1日招待有り
Si/ダイヤモンドヘテロ接合ダイオードの耐熱性評価

上東洋太, 大曲新矢, 梅沢仁, 山田英明, LIANG Jianbo, 重川直輝

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 82nd 2021年
表面活性化接合法によるダイヤモンド/Siヘテロ接合ダイオードの作製

上東洋太, 大曲新矢, 梅沢仁, 山田英明, LIANG Jianbo, 重川直輝

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 68th 2021年
表面活性化接合法による厚膜・低損失配線の実現

重川直輝, 梁剣波, 前澤宏一

ケミカルエンジニアリング 65(11) 686-693 2020年11月1日招待有り
高効率パワー素子の実現に向けたダイヤモンドと異種材料の直接接合技術の開発

梁剣波, 重川直輝

化学工業社・ケミカルエンジニアリング 65(8) 469-474 2020年8月1日招待有り
ダイヤモンドと異種材料の直接接合による高効率デバイスの実現

梁剣波, 重川直輝

日本出版制作センター・月刊 JETI 68(6月) 37-40 2020年5月20日招待有り
Impact of Ar atom irradiation on the crystallinity of GaAs/Si interfaces fabricated by surface activated bonding at room temperature

Y. Ohno, R. Miyagawa, H. Yoshida, S. Takeda, J. Liang, N. Shigekawa

Proceedings of the 6th International IEEE Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration 2-2 2019年6月査読有り
次世代エレクトロニクスを拓くダイヤモンドと異種材料の直接接合

重川直輝, 梁剣

ニューダイヤモンドフォーラム 34(4) 3-5 2018年10月25日査読有り
次世代エレクトロニクスを拓くダイヤモンドと異種材料の直接接合

重川直輝, 梁剣

ニューダイヤモンドフォーラム 34(4) 3-5 2018年10月25日招待有り
Electrical conduction of Si/ITO/Si junctions fabricated by surface activated bonding

Jianbo Liang, Tomoki Ogawa, Kenji Araki, Takefumi Kamioka, Naoteru Shigekawa

2017 5TH INTERNATIONAL WORKSHOP ON LOW TEMPERATURE BONDING FOR 3D INTEGRATION (LTB-3D) 51-51 2017年
Surface-activated Bonding of III-V Compound Semiconductors and Si for Fabricating Hybrid Tandem Solar Cells

Naoteru Shigekawa, Jianbo Liang

2017 INTERNATIONAL CONFERENCE ON ELECTRONICS PACKAGING (ICEP) 229-231 2017年招待有り
Plane-view transmission electron microscopy of Si/GaAs interfaces fabricated by surface-activated bonding at room temperature

Yutaka Ohno, Hideto Yoshida, Seiji Takeda, Liang Jianbo, Naoteru Shigekawa

2017 5TH INTERNATIONAL WORKSHOP ON LOW TEMPERATURE BONDING FOR 3D INTEGRATION (LTB-3D) 4-4 2017年
Impacts of bonding-layer resistance of Si bottom cells on interface resistance in InGaP/GaAs/Si hybrid triple-junction cells

Naoteru Shigekawa, Jianbo Liang

2017 5TH INTERNATIONAL WORKSHOP ON LOW TEMPERATURE BONDING FOR 3D INTEGRATION (LTB-3D) 52-52 2017年
Analysis of the influence of interface charges on the electrical characteristics of GaAs/GaN junctions

S. Yamajo, J. Liang, N. Shigekawa

2017 5TH INTERNATIONAL WORKSHOP ON LOW TEMPERATURE BONDING FOR 3D INTEGRATION (LTB-3D) 77-77 2017年
Electrical properties of n(+)-Si/n-GaN junctions by room temperature bonding

T. Nishimura, J. Liang, N. Shigekawa, N. Watanabe

2015 IEEE INTERNATIONAL MEETING FOR FUTURE OF ELECTRON DEVICES, KANSAI (IMFEDK) 2015年
Investigation on the effects of annealing process on the electrical properties of n(+)-Si/n-SiC junctions

Jianbo Liang, Shota Nishida, Tomohiro Hayashi, Masashi Morimoto, Naoteru Shigekawa, Manabu Arai

2014 4TH IEEE INTERNATIONAL WORKSHOP ON LOW TEMPERATURE BONDING FOR 3D INTEGRATION (LTB-3D) 53-53 2014年査読有り
Annealing Characteristics of p(+)-Si/n-4H-SiC Junctions by Using Surface-Activated Bonding

S. Nishida, J. Liang, T. Hayashi, M. Morimoto, N. Shigekawa, M. Arai

2014 4TH IEEE INTERNATIONAL WORKSHOP ON LOW TEMPERATURE BONDING FOR 3D INTEGRATION (LTB-3D) 54-54 2014年
Annealing temperature dependence of SAB based Si/Si junctions

M. Morimoto, J. Liang, S. Nishida, Chai. Li, K. Takemura, N. Shigekawa

2014 4TH IEEE INTERNATIONAL WORKSHOP ON LOW TEMPERATURE BONDING FOR 3D INTEGRATION (LTB-3D) 52-52 2014年査読有り
Effects of Annealing on GaAs/Si Bonding Interfaces for Hybrid Tandem Solar Cells

L. Chai, J. Liang, S. Nishida, M. Morimoto, N. Shigekawa

2014 4TH IEEE INTERNATIONAL WORKSHOP ON LOW TEMPERATURE BONDING FOR 3D INTEGRATION (LTB-3D) 51-51 2014年査読有り

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書籍等出版物

Electrical Properties of n+-Si/n-GaN Junctions by Room Temperature Bonding

Takuya Nishimura, Jianbo Liang, Noriyuki Watanabe, Naoteru Shigekawa (担当:共著)

2015 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK) 2015年

講演・口頭発表等

225

Nanostructural Analysis of Al/β-Ga2O3 Interface Fabricated Using Surface Activated Bonding

Zexin Wan, Jianbo Liang, Yasuo Shimizu, Yutaka Ohno, Yasuyoshi Nagai, Naoteru Shigekawa

2021 IEEE International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D) 2021年10月7日
Coplanar Waveguides Fabricated by Directly Bonding Metal Foils to High-Resistivity Si Substrates

Kenya Yonekura, Tasuku Kawamoto, Jianbo Liang, Eiji Shikoh, Koichi Maezawa, Naoteru Shigekawa

2021 IEEE International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D) 2021年10月6日
Polarization Inverted GaN/GaN Junctions Fabricated by Surface-Activated Bonding

Kazuki Sawai, Jianbo Liang, Yasuo Shimizu, Yutaka Ohno, Yasuyoshi Nagai, Naoteru Shigekawa

2021 IEEE International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D) 2021年10月6日
High Temperature Stability of p+-Si/p-Diamond Heterojunction diodes

Yota Uehigashi, Shinya Ohmagari, Hitoshi Umezawa, Hideaki Yamada, Jianbo Liang, Naoteru Shigekawa

2021 IEEE International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D) 2021年10月6日
Fabrication of Ga2O3/3C-SiC Direct Bonding for Efficient Surface Heat Dissipation

Hiromu Nagai, Keisuke Kawamura, Hiroki Uratani, Yasuo Shimizu, Yutaka Ohno, Yasuyoshi Nagai, Naoteru Shigekawa, Jianbo Liang

2021 IEEE International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D) 2021年10月6日
Fabrication and Characterization of GaN/Diamond Boding Interface

Ayaka Kobayashi, Yasuo Shimizu, Yutaka Ohno, Swong-Woo Kim, Koji Koyama, Makoto Kasu, Yasuyoshi Nagai, Naoteru Shigekawa, Jianbo Liang

2021 IEEE International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D) 2021年10月6日
Fabrication of Ga2O3/Si Direct Bonding Interface for High Power Device Applications

JIanbo Liang, Daiki Takatsuki, Yasuo Shimizu, Masataka Higashiwaki, Yutaka Ohno, Yasuyoshi Nagai, Naoteru Shigekawa

2021 IEEE International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D) 2021年10月6日
Structural Analysis of Diamond/Silicon Heterointerfaces Fabricated by Surface Activated Bonding at Room Temperature

Yutaka Ohno, Jianbo Liang, Hideto Yoshida, Yasuo Shimizu, Yasuyoshi Nagai, Naoteru Shigekawa

2021 IEEE International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D) 2021年10月6日
Fabrication of GaN/SiC/diamond Structure for Efficient Thermal Management of Power Device

Ryo Kagawa, Keisuke Kawamura, Yoshiki Sakaida, Sumito Ouchi, Hiroki Uratani, Yasuo Shimizu, Yutaka Ohno, Yasuyoshi Nagai, Naoteru Shigekawa, Jianbo Liang

2021 IEEE International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D) 2021年10月6日
Ga2O3/Siヘテロ構造の作製及び構造評価

髙月大輝, 東脇正高, 清水康雄, 大野裕, 永井康介, 重川直輝, 梁剣波

第８２回応用物理学会秋季学術講演会 2021年9月13日
Direct bonding of diamond to semiconductors and metals for low thermal resistance modules

Naoteru Shigekawa, Jianbo Liang

31st International Conference on Diamond and Carbon Materials (ICDCM 2021) 2021年9月8日招待有り
Low-temperature direct wafer bonding innovating CS device technologies

Naoteru Shigekawa, Jianbo Liang

International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology (CS-MANTECH 2021) 2021年5月28日招待有り
Formation process of high thermal-stability diamond/Si and diamond/GaAs heterointerfaces by surface activated bonding

Yutaka Ohno, Jianbo Liang, Yasuo Shimizu, Hideto Yoshida, Naoteru Shigekawa

Materials Research Society (MRS) 2020年11月28日
Direct bonding of GaAs and diamond for high power device applications

Jianbo Liang, Yuji Nakamura, Yutaka Ohno, Yasuo Shimizu, Tianzhuo Zhan, Takanobu Watababe, NaotoKamiuchi, Yasuyoshi Nagai, Naoteru Shigekawa

Pacific Rim Meeting on Electrochemical and Solid State Science (PRiME) 2020年10月4日
Microscopic picture of direct bonding via surface activation for low-resistance Si/wide-gap semiconductor heterointerfaces

Yutaka Ohno, Jianbo Liang, Naoteru Shigekawa, Hideto Yoshida, Reina Miyagawa, Yasuo Shimizu, YasuyoshiNagai

Pacific Rim Meeting on Electrochemical and Solid State Science (PRiME) 2020年10月4日
Structural analysis of Si/diamond heterointerfaces fabricated by surface activated bonding using LT-FIB and STEM

Yutaka Ohno, Jianbo Liang, Naoteru Shigekawa, Hideto Yoshida, Yasuo Shimizu, Yasuyoshi Nagai

Global Institute for Materials Research Tohoku Joint International Symposium on Radiation Effects in Materials and Actinide Science 2020 (GIMRT-REMAS2020) 2020年9月30日
How to fabricate low-resistance heterointerfaces for tandem cells by direct bonding at low temperatures

Yutaka Ohno, Jianbo Liang, Naoteru Shigekawa, Hideto Yoshida, Reina Miyagawa, Yasuo Shimizu, Yasuyoshi Nagai

37th European PV Solar Energy Conference and Exhibition (EU-PVSC) 2020年9月7日
ダイヤモンドと異種材料の直接接合による高効率デバイスの実現

梁剣波

科学技術振興機構、大阪市立大学、大阪府立大学、兵庫県立大学主催新技術説明会 2019年11月12日
GaAs/Diamond 直接接合の界面評価

中村祐志, 清水康雄, 大野裕, 詹天卓, 山下雄一郎, 白崎謙次, 永井康介, 渡邊孝信, 嘉数誠, 重川直輝, 梁剣波

第８０回応用物理学会秋季学術講演会 2019年9月21日
高出力パワーデバイス応用に向けた GaN/Diamond 直接接合の作製

梁剣波, 清水康雄, 大野裕, 白崎謙次, 永井康介, 嘉数誠, 金聖祐, Martin Kuball, 重川直輝

第８０回応用物理学会秋季学術講演会 2019年9月21日