2016年7月6日
Interfacial atomic site characterization by photoelectron diffraction for 4H-AlN/4H-SiC(11-20) heterojunction
Japanese Journal of Applied Physics
- ,
- ,
- ,
- ,
- ,
- 巻
- 55
- 号
- 開始ページ
- 085701
- 終了ページ
- 記述言語
- 英語
- 掲載種別
- 研究論文（学術雑誌）