堤隆嘉 (Takayoshi Tsutsumi) - マイポータル

パルスプラズマにおける負イオンエネルギー分布の時間分解測定

都地一輝, 堤隆嘉, 蕭世男, 関根誠, 堀勝, 石川健治

第71回応用物理学会春期学術講演会 2024年3月24日
カーボンハードマスクの膜特性に対する基板バイアス寄与度の局所的顕在化

安藤悠介, 近藤博基, 堤隆嘉, 石川健治, 関根誠, 堀勝

第71回応用物理学会春期学術講演会 2024年3月24日
プラズマ誘起欠陥の発生と修復～RIE-SiO2に伴うSiO2 / Si界面の欠陥評価～

布村正太, 堤隆嘉, 深沢正永, 堀勝

第71回応用物理学会春期学術講演会 2024年3月24日
In-situ analysis of chemisorption reactions on SiO2 surface using carbon precursor containing halogen

L. Hu, T. Tsutsumi, N. Kobayashi, D. C. P. Raj, R. Borude, K. Ishikawa, M. Hori

ISPlasma2024/IC-PLANTS2024/APSPT-13 2024年3月5日
Prediction Model for RF Bias Effect on Etch Resistance of Amorphous Carbon in Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition

Y. Ando, H. Kondo, T. Tsutsumi, K. Ishikawa, M. Sekine, M. Hori

ISPlasma2024/IC-PLANTS2024/APSPT-13 2024年3月4日
ALEにおけるプラズマ誘起欠陥とラジカル吸着のin-situ計測

堤隆嘉, 近藤博基, 関根誠, 石川健治, 堀勝

2024年1月25日招待有り
Defect characterization at SiO2/Si interface throughout plasma processing and annealing

S.Nunomura, T.Tsutsumi, I. Sakata, M Hori

The 44th International Symposium on Dry Process (DPS2023) 2023年11月22日
A pseudo-wet cryogenic plasma etching of SiO2 investigated with in-situ surface monitoring

S-N Hsiao, M. Sekine, K. Ishikawa, T.Tsutsumi, M. Hori Y Iijima, R. Suda, Y. Kihara

The 44th International Symposium on Dry Process (DPS2023) 2023年11月22日
Control of etching profile by bias supply timing in cyclic process using C4F8/SF6 gas modulated plasma

T. Yoshie, K. Ishikawa, T. Tsutsumi, M. Sekine, M. Hori

The 44th International Symposium on Dry Process (DPS2023) 2023年11月22日
Electron-Beam-Assisted Self-limiting fluorination of GaN surface using XeF2 for Atomic Layer Etching

Y. Izumi, T. Tsutsumi, H Kondo, M. Sekine, M. Hori, K. Ishikawa

The 44th International Symposium on Dry Process (DPS2023) 2023年11月21日
Compositions of Ions Related with Electrode Materials in Pulsed Plasma for High-Aspect-Ratio Hole Etching

K. Toji, T. Tsutsumi, S-N. Hsiao, M. Sekine, M. Hori, K. Ishikawa

The 44th International Symposium on Dry Process (DPS2023) 2023年11月21日
Etch selectivities of SiO2 and SiN against a-C films using CF4/H2 plasma at low temperature

Y. Imai, S-N. Hsiao, M. Sekine, K. Ishikawa, T. Tsutsumi, M. Iwata, M. Tomura, Y. Iijima, K. Matsushima, M. Hori

The 44th International Symposium on Dry Process (DPS2023) 2023年11月21日
ドライエッチングと原子層エッチングの基礎と応用

堤隆嘉

第34回プラズマエレクトロニクス講習会 2023年11月17日招待有り
Etching Selectivities of SiO2 and SiN Against a-C Films Using CF4/H2 with a Pseudo-Wet Plasma Etching Mechanism

Yusuke Imai, S. Hsiao, M. Sekine, T. Tsutsumi, K. Ishikawa, M. Iwata, M. Tamura, Y. Iijima, T. Gohira, K. Matsushima, Y. Ohya, M. Hori

AVS 69th International Symposium and Exhibition (AVS 69) 2023年11月6日
Transient behavior of cycle process in Ar plasma with alternately injected C4F8 and SF6

T. Yoshie, K. Ishikawa, TTN Nguyen, S. Hsiao, T. Tsutsumi, M. Sekine, M. Hori

13th Asian-European International Conference on Plasma Surface Engineering (AEPSE 2023) 2023年11月8日
Plasma-based pseudo-wet mechanism for cryogenic SiO2 etching using hydrogen-contained fluorocarbon gases with an in-situ surface analysis

S. Hsiao, M. Sekine, T. Tsutsumi, K. Ishikawa, M. Iwata, M. Tomura, Y. Iijima, T. Gohira, K. Matsushima, Y. Ohya, M. Hori

The 76th Annual Gaseous Electronics Conference (GEC76) 2023年10月11日
Selective removal of graphene by irradiation of remote oxygen plasma

L. Hu, K. Ishikawa, T. Tsutsumi, TTN Nguyen, S. Hsiao, H. Kondo, M. Sekine, M. Hori

Global Plasma Forum in Aomori 2023年10月16日
Plasma-Enhanced Deposition Mechanism of Hydrogenated Amorphous Carbon Analyzed ByCombining Reactive Species Measurement and Machine Learning

H. Kondo, T. Tsutsumi, K. Ishikawa, M. Sekine, H. Kousaka, M. Hori

244th ECS Meeting 2023年10月11日招待有り
CF4/H2プラズマによるSiO2,SiN,a-C膜の低温エッチング

今井祐輔, 蕭世男, 関根誠, 飯島祐樹, 須田隆太郎, 大矢欣伸, 木原嘉英, 堤隆嘉, 石川健治, 堀勝

第84回応用物理学会秋季学術講演会 2023年9月22日
低温における絶縁膜の擬ウェットプラズマエッチング

蕭世男, 関根誠, 飯島祐樹, 須田隆太郎, 大矢欣伸, 木原嘉英, 堤隆嘉, 石川健治, 堀勝

第84回応用物理学会秋季学術講演会 2023年9月22日

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担当経験のある科目(授業)

所属学協会

共同研究・競争的資金等の研究課題

グリーンプラズマエッチングに向けた高アスペクト比孔内の活性種輸送特性の実験的解明

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 2023年4月 - 2026年3月

堤隆嘉
低温プラズマ加工の理論-計算-計測の連携環境構築による一原子一分子制御工学の創成

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 2021年4月 - 2024年3月

関根誠, 堤隆嘉, 石川健治
原子層エッチングにおけるプラズマ誘起欠陥生成機構の解明

日本学術振興会科学研究費助成事業若手研究 2020年4月 - 2023年3月

堤隆嘉
高移動度InNチャネルに向けた高密度ラジカル照射下における初期成長機構の解明

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 2018年4月 - 2021年3月

産業財産権

特許第7562110号 Sn粒子の製造方法

堀勝, グエン・ティ・トゥイ・ガー, 石川健治, 堤隆嘉
特許第7296093号窒化炭素膜の製造方法および窒化炭素被覆体の製造方法

堀勝, 石川健治, 関根誠, 堤隆嘉, 福永裕介, 近藤博基
特開2023-038032 汚れ除去装置

堀勝, 堤隆嘉, 石川健治, 阪本芳弘
特開2022-013006 Sn粒子の製造方法

堀勝, グエンガー, 石川健治, 堤隆嘉
特開2020-125223 窒化炭素膜の製造方法および窒化炭素被覆体の製造方法

堀勝, 石川健治, 関根誠, 堤隆嘉, 福永裕介, 近藤博基
特許0720334 Selective cyclic dry etching process of dielectric materials using plasma modification

Rene Henricus Jozef Vervuur, Nobuyoshi Kobayashi, Takayoshi Tsutsumi, Masaru Hori
特許10504742 Method of atomic layer etching using hydrogen plasma

M. Zaitsu, N. Kobayashi, A. Kobayashi, M. Hori, T. Tsutsumi
特許10720337 Pre-cleaning for etching of dielectric materials

Rene Henricus Jozef Vervuur, Nobuyoshi Kobayashi, Takayoshi Tsutsumi, Masaru Hori
特許09793135 Method of cyclic etching using etchant film

M. Zaitsu, N. Kobayashi, A. Kobayashi, M. Hori, H. Kondo, T. Tsutsumi

堤隆嘉

基本情報

研究分野

経歴

学歴

委員歴

受賞

論文

MISC

講演・口頭発表等

担当経験のある科目(授業)

所属学協会

共同研究・競争的資金等の研究課題

産業財産権

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