査読有り 2018年 Improvement of Write Efficiency in Voltage-Controlled Spintronic Memory by development of a Ta-B Spin Hall Electrode Phys. Rev. Appl. Y. Kato Y. Saito H. Yoda T. Inokuchi S. Shirotori N. Shimomura S. Oikawa A. Tiwari M. Ishikawa M. Shimizu B. Altansargai H. Sugiyama K. Koi A. Kurobe … 全て表示 折りたたむ 巻 号 10 開始ページ 044011 終了ページ 記述言語 英語 掲載種別 研究論文(学術雑誌) エクスポート BibTeX RIS