藤川紗千恵 (Sachie Fujikawa) - マイポータル

基本情報

所属: 埼玉大学理工学研究科助教

J-GLOBAL ID: 201601019153827520
researchmap会員ID: B000256979

外部リンク: http://s-read.saitama-u.ac.jp/researchers/pages/researcher/ssyjgwKB

研究分野

受賞

2013年4月

第三回先端フォトニクスシンポジウム人気ポスター賞, 日本学術会議総合工学委員会ICO分科会

藤川紗千恵
2012年11月

CREST「新機能創成に向けた光・光量子科学技術」研究領域第5回公開シンポジウムポスター賞, 独立行政法人科学技術振興機構

藤川紗千恵
2012年1月

平成23年度基礎科学・国際特別研究員研究成果発表会ポスター賞, 理化学研究所

藤川紗千恵
2010年5月

日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会研究奨励賞, 日本結晶成長学会

藤川紗千恵
2001年3月

大阪府知事賞

藤川紗千恵

論文

Investigation of off-cut angle of sapphire for epitaxial lateral overgrowth of AlN and fabrication of high-quality AlN template

Narihito Okada, Takahiro Saito, Sachie Fujikawa, Noritoshi Maeda, Masafumi Jo, Hideki Hirayama, Kazuyuki Tadatomo

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 588 2022年6月
Investigation of the growth mechanism and crystallographic structures of GaSb dots nucleation layer and GaSb thin film grown on Si(001) substrate by molecular beam epitaxy

Ryuto Machida, Ryusuke Toda, Shinsuke Hara, Issei Watanabe, Kouichi Akahane, Sachie Fujikawa, Akifumi Kasamatsu, Hiroki Fujishiro

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A 40(3) 2022年5月
Impact of Mg-level on lattice-relaxation in p-AlGaN hole source layer (HSL) and attempting excimer laser annealing on p-AlGaN HSL of UVB emitters (vol 32, 055702, 2021)

M. Ajmal Khan, Juan Paolo Bermundo, Yasuaki Ishikawa, Hiroshi Ikenoue, Sachie Fujikawa, Eriko Matsuura, Yukio Kashima, Noritoshi Maeda, Masafumi Jo, Hideki Hirayama

NANOTECHNOLOGY 32(36) 2021年9月
Impact of Mg-level on lattice-relaxation in p-AlGaN hole source layer (HSL) and attempting excimer laser annealing on p-AlGaN HSL of UVB emitters (vol 32, 055702, 2021)

M. Ajmal Khan, Juan Paolo Bermundo, Yasuaki Ishikawa, Hiroshi Ikenoue, Sachie Fujikawa, Eriko Matsuura, Yukio Kashima, Noritoshi Maeda, Masafumi Jo, Hideki Hirayama

NANOTECHNOLOGY 32(36) 2021年9月
Impact of Mg-level on lattice-relaxation in p-AlGaN hole source layer (HSL) and attempting excimer laser annealing on p-AlGaN HSL of UVB emitters (vol 32, 055702, 2021)

M. Ajmal Khan, Juan Paolo Bermundo, Yasuaki Ishikawa, Hiroshi Ikenoue, Sachie Fujikawa, Eriko Matsuura, Yukio Kashima, Noritoshi Maeda, Masafumi Jo, Hideki Hirayama

NANOTECHNOLOGY 32(36) 2021年9月
Impact of Mg level on lattice relaxation in a p-AlGaN hole source layer and attempting excimer laser annealing on p-AlGaN HSL of UVB emitters

M. Ajmal Khan, Juan Paolo Bermundo, Yasuaki Ishikawa, Hiroshi Ikenoue, Sachie Fujikawa, Eriko Matsuura, Yukio Kashima, Noritoshi Maeda, Masafumi Jo, Hideki Hirayama

NANOTECHNOLOGY 32(5) 2021年1月
Evaluation of GaN/AlGaN THz quantum-cascade laser epi-layers grown on AlGaN/Si templates by MOCVD

Sachie Fujikawa, Toshiya Ishiguro, Ke Wang, Wataru Terashima, Hiroki Fujishiro, Hideki Hirayama

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 510 47-49 2019年3月
Milliwatt power UV-A LEDs developed by using n-AlGaN superlattice buffer layers grown on AlN templates

Takuma Matsumoto, M. Ajmal Khan, Noritoshi Maeda, Sachie Fujikawa, Norihiko Kamata, Hideki Hirayama

JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS 52(11) 2019年3月
Advantage of heteroepitaxial GaSb thin-film buffer and GaSb dot nucleation layer for GaSb/AlGaSb multiple quantum well structure grown on Si(100) substrate by molecular beam epitaxy

Ryuto Machida, Kouichi Akahane, Issei Watanabe, Shinsuke Hara, Sachie Fujikawa, Akifumi Kasamatsu, Hiroki I. Fujishiro

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 507 357-361 2019年2月
Surface cleaning and pure nitridation of GaSb by in-situ plasma processing

Takahiro Gotow, Sachie Fujikawa, Hiroki I. Fujishiro, Mutsuo Ogura, Wen Hsin Chang, Tetsuji Yasuda, Tatsuro Maeda

AIP ADVANCES 7(10) 2017年10月
Comparative study on noise characteristics of As and Sb-based high electron mobility transistors

Takuto Takahashi, Shota Hatsushiba, Sachie Fujikawa, Hiroki I. Fujishiro

PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE 214(3) 2017年3月
Effect of low-temperature-grown GaSb layer on formation of high-density and small GaSb islands on Si(100) substrate

Ryuto Machida, Ryusuke Toda, Sachie Fujikawa, Shinsuke Hara, Issei Watanabe, Hiroki I. Fujishiro

PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS 253(4) 648-653 2016年4月
InSb-based HEMT with Over 300 GHz-f(T) using Evaporated SiOx Film

Kyousuke Isono, Daisuke Tsuji, Tatsuya Taketsuru, Sachie Fujikawa, Issei Watanabe, Yoshimi Yamashita, Akira Endoh, Shinsuke Hara, Akifumi Kasamatsu, Hiroki I. Fujishiro

2016 COMPOUND SEMICONDUCTOR WEEK (CSW) INCLUDES 28TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON INDIUM PHOSPHIDE & RELATED MATERIALS (IPRM) & 43RD INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON COMPOUND SEMICONDUCTORS (ISCS) 2016年
Growth of GaSb Dots Nucleation Layer and Thin-Film GaSb on Si(100) Substrate by Molecular Beam Epitaxy

Ryuto Machida, Ryusuke Toda, Sachie Fujikawa, Shinsuke Hara, Issei Watanabe, Kouichi Akahane, Akifumi Kasamatsu, Hiroki I. Fujishiro

2016 COMPOUND SEMICONDUCTOR WEEK (CSW) INCLUDES 28TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON INDIUM PHOSPHIDE & RELATED MATERIALS (IPRM) & 43RD INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON COMPOUND SEMICONDUCTORS (ISCS) 2016年
Comparative Study on Noise Characteristics of As and Sb-based HEMTs

Takuto Takahashi, Shota Hatsushiba, Sachie Fujikawa, Hiroki Inomata Fujishiro

2016 COMPOUND SEMICONDUCTOR WEEK (CSW) INCLUDES 28TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON INDIUM PHOSPHIDE & RELATED MATERIALS (IPRM) & 43RD INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON COMPOUND SEMICONDUCTORS (ISCS) 2016年
Effects of Ga-induced reconstructed surfaces and atomic steps on the morphology of GaSb islands on Si(100)

Ryuto Machida, Ryusuke Toda, Sachie Fujikawa, Shinsuke Hara, Issei Watanabe, Hiroki I. Fujishiro

APPLIED SURFACE SCIENCE 351 686-692 2015年10月
Recent Progress in AlGaN-Based Deep-UV LEDs

Hideki Hirayama, Sachie Fujikawa, Norihiko Kamata

ELECTRONICS AND COMMUNICATIONS IN JAPAN 98(5) 1-8 2015年5月
Effects of HCI treatment and predeposition vacuum annealing on Al2O3/GaSb/GaAs metal-oxide-semiconductor structures

Takahiro Gotow, Sachie Fujikawa, Hiroki I. Fujishiro, Mutsuo Ogura, Tetsuji Yasuda, Tatsuro Maeda

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 54(2) 2015年2月
Recent progress and future prospects of AlGaN-based high-efficiency deep-ultraviolet light-emitting diodes

Hideki Hirayama, Noritoshi Maeda, Sachie Fujikawa, Shiro Toyoda, Norihiko Kamata

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 53(10) 2014年10月
Comparative study on nano-scale III-V double-gate MOSFETs with various channel materials

Akio Nishida, Kei Hasegawa, Ryoko Ohama, Sachie Fujikawa, Shinsuke Hara, Hiroki I. Fujishiro

PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 10, NO 11 10(11) 1413-1416 2013年

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MISC

230nm帯far-UVC LEDの短波長化の検討と高出力LEDパネルの実現

牟田実広, 大神裕之, 毛利健吾, 河島宏和, 前田哲利, KHAN Ajmal, 鹿嶋行雄, 松浦恵里子, 中村祐樹, 住司光 …

電子情報通信学会技術研究報告(Web) 123(288(ED2023 14-37)) 2023年
第一原理計算によるInSb_1-xN_x混晶の電子構造解析

藤川紗千恵, 藤原彬嵩, 矢口裕之

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 83rd 2022年
微傾斜サファイア基板上AlNの選択横方向成長

斉藤貴大, 中村亮太, 藤川紗千恵, 金輝俊, 前田哲利, 岡田成仁, 平山秀樹, 只友一行

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2019.2 3557-3557 2019年9月4日
電子ブロック層の最適化による250nm AlGaN UVC-LEDの出力改善

中村励志, 藤川紗千恵, 前田哲利, 遠藤聡, 藤代博記, 平山秀樹

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2019.2 3282-3282 2019年9月4日
240nm帯AlGaN UVC-LEDの高出力化の検討

石黒稔也, 中村励志, 藤川紗千恵, 前田哲利, 町田龍人, 藤代博記, 平山秀樹

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2018.2 3337-3337 2018年9月5日
選択横方向成長による高品質AlNのストライプ方位依存性

斉藤貴大, KIM F., 藤川紗千恵, 前田哲利, 岡田成仁, 平山秀樹, 只友一行

応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会講演予稿集 2018 2018年
AlNの選択横方向成長におけるストライプ方位依存性

KIM F., 斉藤貴大, 藤川紗知恵, 前田哲利, 岡田成仁, 平山秀樹, 只友一行

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 79th 2018年
GaN系QCL実現に向けたSi基板上GaN/AlGaN超格子構造の作製

藤川紗千恵, 藤川紗千恵, 石黒稔也, 王科, 藤代博記, 平山秀樹

光量子工学研究第6回理研シンポジウム平成30年 2018年
低温成長InSbがGaAs基板上InSb薄膜成長に与える影響

渡邊優介, 椎野響太, 伊藤峰水, 鈴木浩基, 藤川紗千恵, 町田龍人, 藤代博記

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2017.2 3308-3308 2017年8月25日
GaSb薄膜／ドット核形成層を用いたSi(100)基板上のGaSb/AlGaSb MQW構造の作製

町田龍人, 赤羽浩一, 渡邊一世, 原紳介, 藤川紗千恵, 笠松章史, 藤代博記

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2017.2 3305-3305 2017年8月25日
Si基板上へのGaN系THz-QCL構造のMOCVD成長と評価

石黒稔也, 藤川紗千恵, 王科, 前田哲利, 町田龍人, 藤代博記, 平山秀樹

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2017.2 3411-3411 2017年8月25日
GaAs(100)基板上ヘテロエピタキシャルGaSb薄膜成長の界面制御

伊藤峰水, 鈴木浩基, 渡邊優介, 藤川紗千恵, 町田龍人, 藤代博記

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2017.2 3306-3306 2017年8月25日
Ge基板上のAl₂O₃膜の構造変化と熱輸送特性

中島佑太, 藤代博記, 藤川紗千恵, 前田辰郎, 服部淳一, 福田浩一, 内田紀行

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2017.1 3052-3052 2017年3月1日
InSb/Ga_0.35In_0.65Sb複合チャネル構造の電気的特性の評価

岩木拓也, 原田義彬, 竹内淳, 藤川紗千恵, 藤代博記

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2017.1 3169-3169 2017年3月1日
アンチモン系トランジスタの開発

藤代博記, 藤川紗千恵, 町田龍人

電子情報通信学会技術研究報告 117(364) 33-36 2017年
蒸着SiO_x膜を用いたf_T = 300GHz超InSb-HEMTの作製

辻大介, 磯野恭佑, 竹鶴達哉, 藤川紗千恵, 渡邊一世, 山下良美, 遠藤聡, 原紳介, 笠松章史, 藤代博記

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2016.1 3147-3147 2016年3月3日
高密度GaSbドットを用いたSi(100)基板上のGaSb薄膜成長

町田龍人, 戸田隆介, 藤川紗千恵, 原紳介, 渡邊一世, 赤羽浩一, 笠松章史, 藤代博記

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2016.1 3351-3351 2016年3月3日
3次元ICに向けた多結晶InSb MOSFETの電気特性評価

高橋正紘, 藤川紗千恵, 藤代博記, 入沢寿史, 富永淳二, 前田辰郎

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2016.1 3032-3032 2016年3月3日
SLS回数と成長温度の最適化によるInSb-HEMT構造の電気的特性向上

加藤三四郎, 宮下愛理, 藤川紗千恵, 藤代博記

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2016.1 3104-3104 2016年3月3日
In_1-xGa_xSb量子井戸構造の電気的特性の評価

原田義彬, 岡直希, 藤川紗千恵, 藤代博記

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2016.1 3350-3350 2016年3月3日

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所属学協会

- 現在

応用物理学会結晶工学分科会
- 現在

応用物理学会

共同研究・競争的資金等の研究課題

テラヘルツ領域極限性能トランジスタの開発

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 2016年4月 - 2019年3月

藤代博記, 町田龍人, 藤川紗千恵
Sb系希薄窒化物半導体の物性解明と高輝度遠赤外線発光素子の創製

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 2015年4月 - 2018年3月

藤川紗千恵
Ｓｉ基板を用いた縦型大面積・高出力深紫外ＬＥＤの研究

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(A) 2012年4月 - 2015年3月

平山秀樹, 藤川紗知恵
窒化物半導体を用いた深紫外LED・深紫外LDの開発

日本学術振興会科学研究費助成事業若手研究(B) 2010年 - 2011年

藤川紗千恵

産業財産権

特許第5777196号窒化物半導体発光素子の製造方法

高野隆好, 椿健治, 平山秀樹, 藤川紗千恵
特許第5704724号窒化物半導体多層構造体の製造方法

高野隆好, 椿健治, 平山秀樹, 藤川紗千恵
特許第5315513号発光素子及びその製造方法

鹿嶋行雄, 松浦恵里子, 西原浩巳, 田代貴晴, 大川貴史, 平山秀樹, 藤川紗千恵, 尹成圓, 高木秀樹, 上村隆一郎, 長田大和
特許第5279006号窒化物半導体発光素子

高野隆好, 椿健治, 平山秀樹, 藤川紗千恵
WO2013-008556 発光素子及びその製造方法

鹿嶋行雄, 松浦恵里子, 西原浩巳, 田代貴晴, 大川貴史, 平山秀樹, 藤川紗千恵, 尹成圓, 高木秀樹, 上村隆一郎, 長田大和
WO2011-027896 窒化物半導体多層構造体およびその製造方法、窒化物半導体発光素子

高野隆好, 椿健治, 平山秀樹, 藤川紗千恵
特開2010-258096 窒化物半導体発光素子

高野隆好, 椿健治, 平山秀樹, 藤川紗千恵
特開2010-258097 窒化物半導体層の製造方法、窒化物半導体発光素子の製造方法および窒化物半導体発光素子

高野隆好, 椿健治, 平山秀樹, 藤川紗千恵
特開2009-260203 窒化物半導体発光素子

高野隆好, 椿健治, 平山秀樹, 藤川紗千恵

藤川紗千恵

基本情報

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受賞

論文

MISC

所属学協会

共同研究・競争的資金等の研究課題

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