基本情報

学位
理学(博士)(2002年9月 東京大学)
技術経営修士(専門職)(2015年3月 東京理科大学大学院イノベーション研究科技術経営専攻)
修士(理学)(1993年4月 東京大学)

連絡先
hiroki.iwanagatoshiba.co.jp
ORCID ID
 https://orcid.org/0000-0002-5751-5369
J-GLOBAL ID
202301017521701844
researchmap会員ID
R000054304

主要な委員歴

  5

主要な論文

  42

MISC

  7

主要な講演・口頭発表等

  53

産業財産権

  134

学術貢献活動

  8

社会貢献活動

  2

メディア報道

  13

その他

  1
  • 1998年4月 - 1999年3月
    低温ポリシリコン TFTは、それ以前のアモルファスシリコンTFTの100倍の移動度(スイッチング特性)を有する。従って低温ポリシリコンTFT-LCDは、従来のTFT-LCDより明るく鮮明な表示を実現することができる。 低温ポリシリコンTFT-LCDにおいては、カラーフィルターがTFTの上部に連続形成される(Color Filter On Array)ことが特徴であり、COA-LCDと呼ばれている。アレイの上にカラーフィルターがあるため、基板の位置合わせ精度が向上して開効率が増大し、明るい表示と低消費電力が両立されるのである。 しかしながら、COA-LCDの量産化の過程で深刻な焼き付き不良(電圧を印加しても液晶画素の光学特性が変化しない現象)が発生し、商品化は停滞した。 この課題に対して、焼き付き不良の原因物質と不良発生の作用機序を解明し、さらに原因物質を除去する工程を見出すことにより、TFT-LCD低温ポリシリコンTFT-LCDの量産化を導いた。