2012年7月20日 ナノエレクトロニクスにおける絶縁超薄膜技術ー成膜技術と膜・界面の物性科学 廣瀬和之, 小林大輔, その他 担当区分 共著 担当範囲 X線光電子分光と第一原理軌道計算によるMOS界面局所構造の物性研究ー誘電率と絶縁破壊電界ー 出版者・発行元 (株)エヌ・ティー・エス