2009年 - 2011年
硬X線光電子分光法と第一原理計算を用いた極薄酸化膜の光学的誘電率の研究
日本学術振興会 科学研究費助成事業 基盤研究(B) 基盤研究(B)
- 課題番号
- 21360025
- 体系的課題番号
- JP21360025
- 担当区分
- 研究代表者
- 配分額
-
- (総額)
- 16,250,000円
- (直接経費)
- 12,500,000円
- (間接経費)
- 3,750,000円
光電子分光を利用する解析手法で, Si基板上に形成したSiO_2の光学的誘電率は, Si(100)基板上とSi(110)基板上でほぼ一致するが, Si(111)基板上では大きいことを明らかにした.その原因を第一原理分子軌道計算を用いて考察した結果, SiO_2/Si(111)界面近傍では, 他の界面近傍と比べてSi-O結合距離がおよそ0.8%程度長くなっているためであることが示唆された.
- リンク情報
- ID情報
-
- 課題番号 : 21360025
- 体系的課題番号 : JP21360025