松浦秀治 (Hideharu Matsuura) - マイポータル

基本情報

学位: 博士(工学)(京都大学)

J-GLOBAL ID: 200901016187489875
researchmap会員ID: 1000196342

外部リンク: https://www.researchgate.net/profile/Hideharu-Matsuura-2

研究キーワード

研究分野

経歴

2022年4月 - 2026年3月

大阪電気通信大学, 学長補佐
2009年4月 - 2026年3月

大阪電気通信大学, 工学部電気電子工学科, 教授
2021年3月 - 2024年3月

学校法人大阪電気通信大学, 評議員会, 評議員
2020年4月 - 2022年3月

大阪電気通信大学, エレクトロニクス基礎研究所, 所長
2018年4月 - 2020年3月

大阪電気通信大学, 図書館, 館長
2015年4月 - 2017年3月

学校法人大阪電気通信大学, 理事会, 理事
2015年4月 - 2017年3月

学校法人大阪電気通信大学, 評議員会, 評議員
2013年4月 - 2017年3月

大阪電気通信大学, 工学部, 部長
2015年4月 - 2016年1月

学校法人大阪電気通信大学, MV2（Mission、Value、Vision）委員会(理事長諮問機関), 委員長
2012年4月 - 2013年3月

大阪電気通信大学, 教務部, 部長
2007年4月 - 2011年3月

大阪電気通信大学, 入試部, 部長
2003年4月 - 2009年3月

大阪電気通信大学, 工学部電子工学科, 教授
1998年 - 2003年

大阪電気通信大学, 工学部電子工学科, 助教授
1995年 - 1998年

大阪電気通信大学, 工学部, 専任講師
1982年 - 1990年

通産省工業技術院電子技術総合研究所研究員
1982年 - 1990年

Electrotechnical Laboratory, Researcher、
Ministry of International Trade and Industry
The Agency of Industrial Science and Technology,

学歴

1980年4月 - 1982年3月

京都大学, 工学研究科, 電子工学
1976年4月 - 1980年3月

京都大学, 工学部, 電子工学

委員歴

2022年4月 - 2023年3月

日本高等教育評価機構, 評価員
2020年4月 - 2022年3月

応用物理学会, 論文賞委員会委員
2020年4月 - 2021年3月

日本高等教育評価機構, 評価員
2013年4月 - 2019年3月

応用物理学会, 先進パワー半導体研究会幹事
2003年4月 - 2015年3月

宇宙航空研究開発機構, 「宇宙用太陽電池の耐放射線強化技術に関する検討委員会」委員
2007年4月 - 2013年3月

応用物理学会, SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会幹事
2007年4月 - 2010年3月

応用物理学会, SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会庶務幹事
2004年4月 - 2006年3月

応用物理学会, 関西支部幹事
2002年4月 - 2003年3月

宇宙開発事業団, 「平成14年度宇宙用太陽電池の放射線強化技術に関する検討委員会」委員
2002年8月 - 2003年2月

宇宙開発事業団, 「MDS-1搭載TSCの評価技術に関する検討委員会」委員
2001年4月 - 2002年3月

宇宙開発事業団, 「平成13年度宇宙用太陽電池の放射線強化技術に関する検討委員」委員
2000年4月 - 2001年3月

宇宙開発事業団, 「電子部品・太陽電池の耐放射線性強化技術に関する検討委員会（太陽電池）」委員
1999年4月 - 2000年3月

宇宙開発事業団, 「電子部品の耐放射線性強化技術に関する検討委員会(太陽電池)」副委員長
1997年11月 - 2000年3月

宇宙開発事業団, 「地上用太陽電池の宇宙実証に係る検討委員会」委員
1998年4月 - 1999年3月

宇宙開発事業団, 「太陽電池の耐放射線性強化技術の検討委員会」副委員長
1996年4月 - 1998年3月

宇宙開発事業団, 「太陽電池の放射線劣化メカニズムの検討(その２）・（その３）委員会」副委員長
1997年 - 1998年

日本真空協会, 関西支部幹事

論文

120

7

Physical picture of nearest-neighbor hopping conduction in heavily Al-doped p-type 4H-SiC

Hideharu Matsuura, Tomoya Narita, Atsuki Hidaka, Kazuma Eto, Shiyang Ji, Kazutoshi Kojima, Tomohisa Kato, Sadafumi Yoshida

Japanese Journal of Applied Physics 65(8) 081001 2026年4月30日査読有り筆頭著者責任著者
11

Low-temperature transition from band conduction to nearest-neighbor hopping conduction in heavily Al-doped 4H-SiC epilayers

Hideharu Matsuura, Tomoya Narita, Mitsuhide Iwatsuki, Atsuki Hidaka, Kazuma Eto, Shiyang Ji, Kazutoshi Kojima, Tomohisa Kato

Japanese Journal of Applied Physics 65(7) 078001 2026年4月17日査読有り筆頭著者責任著者
89

Correlation between variable-range hopping conduction and lattice strain in heavily Al-doped 4H-SiC epilayers

Hideharu Matsuura, Yuki Kondo, Atsuki Hidaka, Kazuma Eto, Shiyang Ji, Kazutoshi Kojima, Tomohisa Kato, Sadafumi Yoshida

Japanese Journal of Applied Physics 64 091003 2025年9月1日査読有り筆頭著者責任著者
28

Temperature-dependent Hall mobility in heavily Al-doped 4H-SiC grown by chemical vapor deposition

Atsuki Hidaka, Yuuta Tokai, Tomoya Narita, Hideharu Matsuura, Kazuma Eto, Shiyang Ji, Kazutoshi Kojima, Tomohisa Kato, Sadafumi Yoshida

Japanese Journal of Applied Physics 2025年6月1日査読有り責任著者
104

Electrical Properties in Heavily Al-Doped 4H-SiC by Hall-Effect Measurement

Hideharu Matsuura

Silicon Carbide - Materials, Devices and Emerging Applications 89-109 2025年2月27日査読有り招待有り筆頭著者最終著者責任著者
86

Comparison of temperature-dependent resistivity of heavily Al- and N-codoped 4H-SiC grown by physical vapor transport and heavily Al-doped 4H-SiC grown by chemical vapor deposition

Atsuki Hidaka, Yuki Kondo, Akinobu Takeshita, Hideharu Matsuura, Kazuma Eto, Shiyang Ji, Kazutoshi Kojima, Tomohisa KATO, Sadafumi Yoshida, Hajime Okumura

Japanese Journal of Applied Physics 62(10) 101001-1-101001-6 2023年10月11日査読有り責任著者
137

Negative Hall coefficient in band conduction region in heavily Al-doped 4H-SiC

Hideharu Matsuura, Atsuki Hidaka, Shiyang Ji, Kazuma Eto, Yuuki Ishida, Sadafumi Yoshida

Journal of Applied Physics 134(11) 115701-1-10 2023年9月15日査読有り筆頭著者責任著者
78

Electrical Properties of Heavily Al-Doped 4H-SiC

Hideharu Matsuura, Akinobu Takeshita, Rinya Nishihata, Yuuki Kondo, Atsuki Hidaka

Materials Science Forum 1093 73-86 2023年7月21日査読有り招待有り筆頭著者責任著者
54

Sign and Activation Energy of Hall Coefficient for Hopping Conduction in Heavily Al-Doped 4H-Sic

Hideharu Matsuura, Rinya Nishihata, Atsuki Hidaka

Journal of Physics and Chemistry Research 4(1) 1-8 2022年5月10日査読有り筆頭著者責任著者
157

Simple physical model for the sign of the Hall coefficient in variable-range hopping conduction in heavily Al-doped p-type 4H-SiC

Hideharu Matsuura, Yuki Kondo, Kosuke Iida, Atsuki Hidaka, Shiyang Ji, Kazuma Eto, Kazutoshi Kojima, Tomohisa Kato, Sadafumi Yoshida, Hajime Okumura

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 60(3) 2021年3月査読有り筆頭著者責任著者
50

Sign of Hall coefficient in nearest-neighbor hopping conduction in heavily Al-doped p-type 4H-SiC (vol 59, 051004, 2020)

Hideharu Matsuura, Akinobu Takeshita, Atsuki Hidaka, Shiyang Ji, Kazuma Eto, Takeshi Mitani, Kazutoshi Kojima, Tomohisa Kato, Sadafumi Yoshida, Hajime Okumura

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 59(8) 2020年8月査読有り筆頭著者責任著者
6

Anomalous Conduction between the Band and Nearest-Neighbor Hopping Conduction Regions in Heavily Al-Doped p-Type 4H-SiC

Atsuki Hidaka, Akinobu Takeshita, Kohei Ogawa, Tatsuya Imamura, Kota Takano, Kazuya Okuda, Hideharu Matsuura, Shi Yang Ji, Kazuma Eto, Takeshi Mitani …

Materials Science Forum 1004 224-230 2020年7月査読有り責任著者
7

Anomalous Temperature Dependence of the Hall Coefficient of Heavily Al-Doped 4H-SiC Epilayers in the Band Conduction Region

Hideharu Matsuura, Rinya Nishihata, Akinobu Takeshita, Kohei Ogawa, Tatsuya Imamura, Kota Takano, Kazuya Okuda, Atsuki Hidaka, Shi Yang Ji, Kazuma Eto …

Materials Science Forum 1004 215-223 2020年7月査読有り筆頭著者責任著者
87

Sign of Hall coefficient in nearest-neighbor hopping conduction in heavily Al-doped p-type 4H-SiC

Hideharu Matsuura, Akinobu Takeshita, Atsuki Hidaka, Shiyang Ji, Kazuma Eto, Takeshi Mitani, Kazutoshi Kojima, Tomohisa Kato, Sadafumi Yoshida, Hajime Okumura

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 59(5) 2020年5月査読有り筆頭著者責任著者
126

Transition of conduction mechanism from band to variable-range hopping conduction due to Al doping in heavily Al-doped 4H-SiC epilayers

Hideharu Matsuura, Akinobu Takeshita, Tatsuya Imamura, Kota Takano, Kazuya Okuda, Atsuki Hidaka, Shiyang Ji, Kazuma Eto, Kazutoshi Kojima, Tomohisa Kato …

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 58(9) 2019年9月査読有り筆頭著者責任著者
80

Relationship between Temperature Dependencies of Resistivity and Hall Coefficient in Heavily Al-Doped 4H-SiC Epilayers

Hideharu Matsuura, Rinya Nishihata, Akinobu Takeshita, Tatsuya Imamura, Kota Takano, Kazuya Okuda, Atsuki Hidaka, Shi Yang Ji, Kazuma Eto, Kazutoshi Kojima …

Materials Science Forum 963 324-327 2019年7月査読有り筆頭著者責任著者
66

Dependence of conduction mechanisms in heavily Al-doped 4H-SiC epilayers on Al concentration

Hideharu Matsuura, Akinobu Takeshita, Tatsuya Imamura, Kota Takano, Kazuya Okuda, Atsuki Hidaka, Shiyang Ji, Kazuma Eto, Kazutoshi Kojima, Tomohisa Kato …

APPLIED PHYSICS EXPRESS 11(10) 2018年10月査読有り筆頭著者責任著者
5

Comparison of Conduction Mechanisms in Heavily Al-Doped 4H-SiC and Heavily Al- and N-Codoped 4H-SiC

Hideharu Matsuura, Akinobu Takeshita, Tatsuya Imamura, Kota Takano, Kazuya Okuda, Atsuki Hidaka, Shi Yang Ji, Kazuma Eto, Kazutoshi Kojima, Tomohisa Kato …

Materials Science Forum 924 188-191 2018年6月査読有り筆頭著者責任著者
45

Gated Silicon Drift Detector as Thick, Large-Area, Simple-Structure Silicon X-Ray Detector Operated by Peltier Cooling

Hideharu Matsuura

Chemical Sensors and Biosensors 2018年筆頭著者責任著者
60

Investigation of Electron-Irradiation Damage in Silicon Carbide by Hall-Effect Measurements

Hideharu Matsuura

Quarterly Physics Review (https://esmed.org/MRA/qpr/issue/view/69) 3(3) 1-30 2017年査読有り筆頭著者責任著者

もっとみる

MISC

40

OECU-Eノート2021

松浦秀治, 玉井眞理子, 海老原聡, 渡邊俊彦, 伊藤義道, 佐野正彦, 不破信勝, 伊与田功, 齊尾恭子

2021年4月筆頭著者責任著者
53

OECU-Eノート2016

松浦秀治, 玉井眞理子, 渡邊俊彦, 伊与田功, 海老原聡, 伊藤義道, 不破信勝

2016年4月筆頭著者責任著者
39

OECU-Eノート2015

松浦秀治, 玉井眞理子, 岡﨑芳, 伊与田功, 海老原聡, 伊藤義道, 不破信勝

2015年4月筆頭著者責任著者
32

OECU-Eノート2014

松浦秀治, 玉井眞理子, 佐野正彦, 岡﨑芳, 伊与田功, 海老原聡, 伊藤義道, 不破信勝

2014年4月筆頭著者責任著者
51

OECU-Eノート2013

松浦秀治, 玉井眞理子, 佐野正彦, 橘邦英, 岡﨑芳, 伊与田功, 海老原聡, 不破信勝

2013年4月筆頭著者責任著者
Possibilities for Thick, Simple-Structure Silicon X-ray Detectors Operated by Peltier Cooling

MATSUURA Hideharu

国際会議IC-MAST 2011 2011年
Influence of excited states of Mg acceptors on hole concentration in GaN

H Matsuura, D Katsuya, T Ishida, S Kagamihara, K Aso, H Iwata, T Aki, SW Kim, T Shibata, T Suzuki

5TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON NITRIDE SEMICONDUCTORS (ICNS-5), PROCEEDINGS (7) 2214-2218 2003年
Dependence of hole concentration in p-type silicon solar cell wafers on temperature and on position within the polycrystalline ingot

H Matsuura, T Ishida, K Nishikawa, N Fukunaga, T Kuroda

POLYCRYSTALLINE SEMICONDUCTORS VII, PROCEEDINGS 93 141-146 2003年
MFMIS-FEI不揮発性メモリ用強誘電体薄膜の成膜と評価

中尾良昭, 関本安泰, 松浦秀治

電子情報通信学会、信学技報 SDM2002-220, Vol.102, No.540, 51-56(540) 51-56 2002年
多結晶Si太陽電池用ウェハの多数キャリア密度の温度依存性のインゴット中の場所依存性

電子情報通信学会、信学技報 SDM12002, Vol.102, No540, 1-6 2002年
放電電流過渡分光法によるSi上のBST薄膜のトラップ評価(共著)

電子通信情報学会 SDM98(180) 81-88 1998年
多数キャリア密度の温度依存性を用いた新しい評価方法によるSiC中のドナー評価(共著)

電子通信情報学会 SDM98(169) 13-18 1998年
a-Si:H/c-Siヘテロ接合の電気的特性(共著)

電子通信学会 SSD86(27) 63-70 1986年
Electrical properties of n^--p amorphous-crystalline silicon heterojunctions(jointly worked)

15th Conf. Solid State Devices & Materials, Ext. Abs. 185-188 1983年

書籍等出版物

Electrical Properties in Heavily Al-Doped 4H-SiC by Hall-Effect Measurement

Hideharu Matsuura

IntechOpen 2025年査読有り
Advances in Sensors: Reviews Vol. 6

Sergey Y Yurish (担当:分担執筆, 範囲:Chapter 11 Gated Silicon Drift Detector as Thick, Large-Area, Simple-Structure Silicon X-Ray Detector Operated by Peltier Cooling)

International Frequency Sensor Association (IFSA) (http://www.sensorsportal.com/HTML/BOOKSTORE/Advances_in_Sensors_VI.pdf) 2018年 (ISBN: 9788409030309)
2段階方式で学ぶわかる電磁気学

松浦, 秀治, 海老原, 聡, 前川, 泰之

ムイスリ出版 2015年3月 (ISBN: 9784896412338)
半導体SiC技術と応用

松波, 弘之, 大谷, 昇, 木本, 恒暢, 中村, 孝 (担当:分担執筆, 範囲:6. SiCの評価技術 6.1 SiCの物性評価 6.1.3 Hall効果)

日刊工業新聞社 2011年9月 (ISBN: 9784526067549)
Advances in condensed matter and materials research Vol. 10

Geelvinck, Hans, Reynst, Sjaak (担当:分担執筆, 範囲:Chapter 7 "Determination Methods of Densities and Energy Levels of Impurities and Defects Affecting Majority-Carrier Concentration in Next-Generation Semiconductors)

Nova Science Publishers 2010年 (ISBN: 9781607419594)
絵でわかる半導体工学の基礎

松浦, 秀治

ムイスリ出版 2009年9月 (ISBN: 9784896411560)
第4章物性・プロセス評価第4.4節電気的特性評価

（SiC素子の基礎と応用）オーム社 2003年
Electrical properties of amorphous/crystalline-semiconductor heterojunctions

(Amorphous and Microcrystalline Semiconductor Devices Volume II : Materials and Device Physics) Artech House 1992年
Junction properties of amorphous semiconductors

(Glow-Discharge Hydrogenated Amorphous Silicon) KTK Scientific Publishers 1989年

講演・口頭発表等

186

22

Temperature-Dependent Resistivity, Hall Coefficient, and Hall Mobility of Heavily Al-doped 4H-SiC

Hideharu Matsuura

2025 MRS Spring Meeting & Exhibit 2025年4月11日招待有り
22

Al濃度2.5×10^19 cm^-3のp型4H-SiC CVDエピ膜での電気的特性と結晶性のオフ角依存性

日高淳輝, 成田智哉, 岩槻光栄, 梅内滉武, 松浦秀治, 紀世陽, 江藤数馬, 児島一聡, 加藤智久, 吉田貞史

第72回応用物理学会春季学術講演会 2025年3月14日
23

Alドープ4H-SiC中の最近接ホッピング(NNH)の伝導キャリア～新しいNNH伝導機構モデルの提案～

成田智哉, 岩槻光栄, 日髙淳輝, 松浦秀治, 紀世陽, 江藤数馬, 児島一聡, 加藤智久, 吉田貞史

第72回応用物理学会春季学術講演会 2025年3月14日
27

Al濃度2.5×10^19 cm^-3の4H-SiCの中温域での伝導機構の提案

岩槻光栄, 成田智哉, 荒堀斗真, 濱田梨那, 竹下明伸, 日高淳輝, 松浦秀治, 紀世陽, 江藤数馬, 児島一聡, 加藤智久, 吉田貞史

応用物理学会先進パワー半導体分科会第11回講演会 2024年11月26日
24

Al濃度2.5×10^19 cm^-3のAlドープおよびNコドープp型4H-SiCエピ膜のX伝導領域での電気伝導のオフ角依存性

日高淳輝, 成田智哉, 岩槻光栄, 荒堀斗真, 濱田梨那, 竹下明伸, 松浦秀治, 紀世陽, 江藤数馬, 児島一聡, 加藤智久, 吉田貞史

応用物理学会先進パワー半導体分科会第11回講演会 2024年11月26日
26

Alドープ4H-SiC中の最近接ホッピング(NNH)の伝導キャリア～NNH伝導の新しい伝導機構モデル～

成田智哉, 岩槻光栄, 日髙淳輝, 松浦秀治, 紀世陽, 江藤数馬, 児島一聡, 加藤智久, 吉田貞史

応用物理学会先進パワー半導体分科会第11回講演会 2024年11月25日
Temperature-Dependent Hall Coefficient in Band Conduction Region for Heavily Al-Doped 4H-SiC

Hideharu Matsuura, Akinobu Takeshita, Rinya Nishihata, Yuki Kondo, Atsuki Hidaka, Shiyang Ji, Kazuma Eto, Yuuki Ishida, Kazutoshi Kojima, Tomohisa Kato, Sadafumi Yoshida, Hajime Okumura

International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM2023) 2023年9月18日
Electrical Properties of Heavily Al-Doped 4H-SiC

Hideharu Matsuura, Akinobu Takeshita, Rinya Nishihata, Yuki Kondo, Atsuki Hidaka

The 3rd Asia-Pacific Conference on Silicon Carbide and Related Materials(APCSCRM 2022) 2022年11月招待有り
Al濃度10²⁰ cm⁻³台前半でのp型4H-SiC CVDエピ膜の結晶性と電気特性との関係

近藤佑樹, 日高淳輝, 松浦秀治, 紀世陽, 江藤数馬, 児島一聡, 加藤智久, 吉田貞史, 奥村元

第64回応用物理学会春季学術講演会, 青山学院大学相模原キャンパス 2022年3月
Al濃度10²⁰ cm⁻³台前半でのp型4H-SiCエピ膜の電気抵抗率の温度依存性とAl濃度との関係

近藤佑樹, 竹下明伸, 今村辰哉, 高野晃大, 奥田和也, 日高淳輝, 松浦秀治, 紀世陽, 江藤数馬, 児島一聡, 加藤智久, 吉田貞史, 奥村元

第81回応用物理学会秋季学術講演会(オンライン) 2020年9月8日
Al濃度10²⁰ cm⁻³台前半のp型4H-SiCエピ膜の電気抵抗率とHall係数

近藤佑樹, 竹下明伸, 今村辰哉, 高野晃大, 奥田和也, 日高淳輝, 松浦秀治, 紀世陽, 江藤数馬, 児島一聡, 加藤智久, 吉田貞史, 奥村元

第67回応用物理学会春季学術講演会、上智大学四谷キャンパス 2020年3月
高濃度Alドープp型4H-SiCのAl濃度10^19 cm^-3台前半での未知の伝導

日高淳輝, 竹下明伸, 今村辰哉, 高野晃大, 奥田和也, 小川晃平, 松浦秀治, 紀世陽, 江藤数馬, 三谷武志, 児島一聡, 加藤智久, 吉田貞史, 奥村元

第67回応用物理学会春季学術講演会、上智大学四谷キャンパス 2020年3月
高濃度Alドープp型4H-SiCの可変領域ホッピング伝導の温度範囲でのHall係数の温度依存性及び符号反転

近藤佑樹, 竹下明伸, 今村辰哉, 高野晃大, 奥田和也, 日高淳輝, 松浦秀治, 紀世陽, 江藤数馬, 児島一聡, 加藤智久, 吉田貞史, 奥村元

先進パワー半導体分科会第6回講演会, 広島国際会議場 2019年12月
高濃度Alドープp型4H-SiCのAl濃度10^19 cm⁻³台前半で見られる未知の伝導

日高淳輝, 竹下明伸, 小川晃平, 今村辰哉, 高野晃大, 奥田和也, 松浦秀治, 紀世陽, 江藤数馬, 三谷武志, 児島一聡, 加藤智久, 吉田貞史, 奥村元

先進パワー半導体分科会第6回講演会, 広島国際会議場 2019年12月
Anomalous Temperature Dependence of Hall Coefficient of Heavily Al-doped 4H-SiC Epilayers in Band Conduction Region

Hideharu Matsuura, Rinya Nishihata, Akinobu Takeshita, Kohei Ogawa, Tatsuya Imamura, Kota Takano, Kazuya Okuda, Atsuki Hidaka, Shiyang Ji, Kazuma Eto, Kazutoshi Kojima, Tomohisa Kato, Sadafumi Yoshida, Hajime Okumura

International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM2019) 2019年9月
Anomalous conduction between Band and Nearest Neighbor Hopping conduction in heavily Al-doped p-type 4H-SiC

Atsuki Hidaka, Akinobu Takeshita, Tatsuya Imamura, Kota Takano, Kazuya Okuda, Hideharu Matsuura, Shiyang Ji, Kazuma Eto, Kazutoshi Kojima, Tomohisa Kato, Sadafumi Yoshida, Hajime Okumura

International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM2019) 2019年9月
Electrical Characterization of Heavily Al-doped 4H-SiC for Collectors of SiC Insulated Gate Bipolar Transistors

Hideharu Matsuura

Asia Pacific Society for Materials Research (APSMR), Sapporo, Japan 2019年7月招待有り
Relationship between Temperature Dependencies of Resistivity and Hall Coefficient in Heavily Al-doped 4H-SiC Epilayer

Hideharu Matsuura, Rinya Nishihata, Akinobu Takeshita, Tatsuya Imamura, Kota Takano, Kazuya Okuda, Atsuki Hidaka, Shiyang Ji, Kazuma Eto, Kazutoshi Kojima, Tomohisa Kato, Sadafumi Yoshida, Hajime Okumura

European Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2018 (ECSCRM2018), Birmingham, UK 2018年9月
Electrical Characterization of Wide Bandgap Semiconductors by Hall-Effect Measurements

Hideharu Matsuura

Asia-Pacific Conference on Silicon Carbide and Related Materials(APCSCRM 2018), Beijing, China 2018年7月招待有り
Gated Silicon Drift Detector as Thick, Large-area, Simple-structure Silicon X-ray Detector Operated by Peltier Cooling

Hideharu Matsuura

BIT’s 6th Annual Conference of AnalytiX 2018 (AnalytiX-2018), Miami, USA 2018年3月招待有り

もっとみる

担当経験のある科目(授業)

所属学協会

Works(作品等)

半導体X線検出器の開発

2004年
Development of semicondoctor X-ray detectors

2004年
SiCデバイスの電気特性とトラップ評価に関する研究

1999年 - 2003年
携帯用X線検出器の開発

1996年 - 2000年
Development of handy-type X-ray detectors

1996年 - 2000年
Electrical characterization of SiC devices and evaluation of traps in SiC

1999年
太陽電池の放射線劣化メカニズムに関する研究

1996年
Study for radiation damage mechanism of solar cells

1996年

共同研究・競争的資金等の研究課題

SiC-IGBTのコレクタ用高濃度Al添加4H-SiCの電気伝導機構の解明

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 2023年4月 - 2026年3月

松浦秀治
超高濃度Al添加4H-SiCの抵抗率及びHall係数の温度依存性の物理モデル構築

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 2020年4月 - 2023年3月

松浦秀治
有機半導体／無機半導体へテロ接合及び有機半導体ヘテロ接合の研究

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 2014年4月 - 2017年3月

松浦秀治
半絶縁性次世代半導体中の電気的に活性な欠陥評価方法の開発

産学が連携した研究開発成果の展開研究成果展開事業研究成果最適展開支援プログラム(A-STEP) 探索タイプ 2010年 - 2010年

松浦秀治
微量公害物質検出用室温動作・高エネルギーX線検出素子の研究

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 2006年 - 2007年

松浦秀治, 谷口一雄, 須崎渉
サブバンド間遷移を用いた3μm帯室温発振赤外半導体レーザ

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 2003年 - 2005年

須崎渉, 松浦秀治, 大野宣人, 富岡明宏
室温動作赤外半導体レーザの長波長化に関する研究

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 1998年 - 1999年

須さき渉, 柴田登, 松浦秀治
(InGaAl)As多重へテロ構造のディスオーダ化とそのマイクロレーザへの適用

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 1996年 - 1997年

須さき渉, 松浦秀治
半導体中の不純物・欠陥の評価に関する研究

共同研究
半導体X線検出器の開発

科学研究費補助金
耐放射線性に優れたパワーデバイスの研究

共同研究
色素増感太陽電池の研究

経常研究
強誘電体薄膜の電気的特性に関する研究

経常研究
太陽電池の放射線劣化メカニズムに関する研究

受託研究
半導体中の不純物及び欠陥に関する研究

共同研究
Determination of densities and energy levels of impurities and defects in semiconductors

Cooperative Research
Development of Semicondoctor X-ray detectors

Cooperative Research
Study on electric characteristics of ferroelectric thin films

Cooperative Research
Study for radiation damage mechanism of solar cells

Cooperative Research
Study on impurities and defects in semiconductors

Cooperative Research

産業財産権

特許U.S. Patent 8,314,468 B2 Variable Ring Width SDD

Hideharu Matsuura, D. Hullinger, K. Taniguchi, T. Utaka
特開2011-014718 放射線検出器

松浦秀治
WO2009-022378 放射線検出装置

松浦秀治
WO2009-022377 放射線検出素子用のシリコンカーバイド及び放射線検出方法

松浦秀治
特開2008-258348 放射線検出器

松浦秀治, 谷口一雄, 宇高忠
特開2008-153256 放射線検出器

松浦秀治, 谷口一雄, 宇高忠
特許第3883678号半導体装置

松浦秀治, 谷口一雄, 西田克彦
特開平11-186285 半導体装置

松浦秀治, 谷口一雄, 西田克彦
半導体装置(特願H9-352659)
アモルファス光電変換素子(特許第1627938)(米国特許番号第4532373)
半導体にオーミックコンタクトする電極(特許第1870296)

松浦秀治

基本情報

研究キーワード

研究分野

経歴

学歴

委員歴

論文

MISC

書籍等出版物

講演・口頭発表等

担当経験のある科目(授業)

所属学協会

Works(作品等)

共同研究・競争的資金等の研究課題

産業財産権

メニュー

共著者の一覧