土田秀一 (Hidekazu Tsuchida) - マイポータル

基本情報

ORCID iD: https://orcid.org/0009-0009-9753-9929
J-GLOBAL ID: 202301021025715212
researchmap会員ID: R000055361

論文

226

Photoionization Current Spectroscopy of Individual Silicon Vacancies in Silicon Carbide

Kazuki Okajima, Tetsuri Nishikawa, Hiroshi Abe, Koichi Murata, Takeshi Ohshima, Hidekazu Tsuchida, Naoya Morioka, Norikazu Mizuochi

Nano Letters 2026年5月6日
The critical excitation intensity for expansion of single Shockley stacking fault in 4H-silicon carbide: Theoretical study

Koji Maeda, Satoshi Asada, Koichi Murata, Hidekazu Tsuchida

Journal of Applied Physics 2026年4月14日
The critical excitation intensity for expansion of single Shockley stacking fault in 4H-silicon carbide: Experimental study

Koji Maeda, Koichi Murata, Satoshi Asada, Hidekazu Tsuchida

Journal of Applied Physics 2026年4月14日
Vanadium photoluminescence in 3C-SiC

Danial Shafizadeh, Valdas Jokubavicius, Koichi Murata, Hidekazu Tsuchida, Péter Udvarhelyi, Guodong Bian, Oliver Lang, Merve Karaman, Diego Haya Enriquez, Moritz Brehm …

Physical Review B 2026年2月2日
Coherent photoelectrical readout of single spins in silicon carbide at room temperature

Tetsuri Nishikawa, Naoya Morioka, Hiroshi Abe, Koichi Murata, Kazuki Okajima, Takeshi Ohshima, Hidekazu Tsuchida, Norikazu Mizuochi

Nature Communications 2025年4月15日
Impacts of single Shockley-type stacking faults on current conduction in 4H-SiC PiN diodes

Satoshi Asada, Koichi Murata, Hidekazu Tsuchida

Journal of Applied Physics 2024年11月7日
Formation of basal plane dislocations by stress near epilayer/substrate interface of large-diameter SiC wafers with thick epitaxial layers

Fumihiro Fujie, Tsubasa Shiono, Koichi Murata, Naoto Ishibashi, Yuichiro Mabuchi, Hidekazu Tsuchida

Journal of Applied Physics 2024年6月21日
Advances in fast 4H–SiC crystal growth and defect reduction by high-temperature gas-source method

Hidekazu Tsuchida, Takahiro Kanda

Materials Science in Semiconductor Processing 2024年6月
Aluminum channeling in 4H-SiC by high-energy implantation above 10 MeV

Manuel Belanche, Yoshiyuki Yonezawa, Rene Heller, Arnold Muller, Christof Vockenhuber, Corinna Martinella, Michael Rub, Masashi Kato, Koichi Murata, Hidekazu Tsuchida …

Materials Science in Semiconductor Processing 179 108461-1-108461-8 2024年5月2日査読有り
Experimental determination of intrinsic carrier density in 4H-SiC based on electron diffusion current in an npn bipolar junction transistor

Satoshi Asada, Koichi Murata, Hajime Tanaka, Hidekazu Tsuchida

Journal of Applied Physics 134(23) 2023年12月15日
Optically detected magnetic resonance of silicon vacancies in 4H-SiC at elevated temperatures toward magnetic sensing under harsh environments

Shu Motoki, Shin-ichiro Sato, Seiichi Saiki, Yuta Masuyama, Yuichi Yamazaki, Takeshi Ohshima, Koichi Murata, Hidekazu Tsuchida, Yasuto Hijikata

Journal of Applied Physics 133(15) 2023年4月21日
Quality Evaluation of 150 mm 4H-SiC Grown at over 1.5 mm/h by High-Temperature Chemical Vapor Deposition Method

Okamoto, T., Uehigashi, H., K, a, T., Ohya, N., Horiai, A., Sakakibara, S., Kanemura, T., Betsuyaku, K., Hoshino, N. …

Solid State Phenomena 342 2023年
Modeling of Stacking Faults in 4H-SiC n-Type Epilayer for TCAD Simulation

Asada, S., Murata, K., Tsuchida, H.

IEEE Transactions on Electron Devices 70(4) 2023年
Investigation of propagation and coalescence of threading screw and mixed dislocations in 4H-SiC crystals grown by the high-temperature gas source method

Hidekazu Tsuchida

Journal of Crystal Growth 590 2022年
Limited current conduction due to various types of stacking faults in n-type 4H-SiC epilayers

Hidekazu Tsuchida

Applied Physics Express 15(4) 2022年
Mechanical-stressing measurements of formation energy of single Shockley stacking faults in 4H-SiC

Hidekazu Tsuchida

Applied Physics Express 14(4) 2021年
Simulation Analysis of Increase in ON-State Voltage of 4H-SiC Bipolar Devices Due to Single-Shockley-Stacking Faults

Hidekazu Tsuchida

IEEE Transactions on Electron Devices 68(7) 2021年
Carrier lifetime control by intentional boron doping in aluminum doped p-type 4H-SiC epilayers

Hidekazu Tsuchida

Journal of Applied Physics 129(2) 2021年
Carrier dynamics of silicon vacancies of SiC under simultaneous optically and electrically excitations

Hidekazu Tsuchida

Applied Physics Letters 118(2) 2021年
Optically detected magnetic resonance study of 3d arrayed silicon vacancies in sic pn diodes

Yamazaki, Y., Chiba, Y., Sato, S.-I., Makino, T., Yamada, N., Satoh, T., Kojima, K., Hijikata, Y., Tsuchida, H., Hoshino, N. …

Materials Science Forum 1004 MSF 2020年

もっとみる

MISC

炭化ケイ素シリコン空孔荷電状態安定性のドーピング条件依存性

山崎雄一, 明石遼介, 花輪雅史, 村田晃一, 佐藤真一郎, 宮脇信正, 圓谷志郎, 増山雄太, 松下雄一郎, 松下雄一郎 …

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 71st 2024年
¹²C濃縮4H-SiC中に形成したシリコン空孔のODMR特性

山城宏育, 山城宏育, 佐藤真一郎, 村田晃一, 花輪雅史, ZHANG S., ZHANG S., 山崎雄一, 土田秀一, 土方泰斗 …

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 71st 2024年
炭化ケイ素シリコン空孔荷電状態安定性の定量的解析

山崎雄一, 明石遼介, 花輪雅史, 村田晃一, 佐藤真一郎, 宮脇信正, 圓谷志郎, 増山雄太, 西谷侑将, 西谷侑将 …

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 85th 2024年
電子線照射により形成した4H-SiC中シリコン空孔の荷電状態とドーピング濃度の関係

ZHANG S., ZHANG S., 佐藤真一郎, ZHANG Q., ZHANG Q., 元木秀, 元木秀, 村田晃一, 花輪雅史, 土田秀一 …

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 70th 2023年
電子線照射による4H-SiC中窒素・空孔複合欠陥の高濃度形成

ZHANG Q., ZHANG Q., 佐藤真一郎, 村田晃一, 花輪雅史, 元木秀, 元木秀, ZHANG S., ZHANG S., 土田秀一 …

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 70th 2023年
高温ガス法による高速4H-SiCバルク結晶成長における転位密度低減

星乃紀博, 鎌田功穂, 神田貴裕, 徳田雄一郎, 久野裕也, 土田秀一

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 70th 2023年
薄膜型SiC検出器による重粒子線がん治療場の線エネルギー付与分布測定

松本卓己, 新井優大, 新井優大, 窪寺敬, 山口皐平, 横田凌, 大島武, 牧野高紘, 酒井真理, 松村彰彦 …

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 70th 2023年
4H-SiCSBDを用いた放射線誘起過渡電流測定による炭素線がん治療場での線量分布測定

新井優大, 新井優大, 窪寺敬, 山口皐平, 横田凌, 松本卓己, 大島武, 牧野高紘, 酒井真理, 松村彰彦 …

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 69th 2022年
シリコン空孔量子センサーによるSiCデバイス内電流誘起磁場の測定

山崎雄一, 増山雄太, 佐藤真一郎, 牧野高紘, 山田尚人, 佐藤隆博, 児島一聡, 土田秀一, 星乃紀博, 大島武

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 82nd 2021年
SiCデバイス内の3次元配列シリコン空孔を用いた光検出磁場共鳴測定

山崎雄一, 千葉陽史, 千葉陽史, 佐藤真一郎, 牧野高紘, 山田尚人, 佐藤隆博, 土方泰斗, 児嶋一聡, 土田秀一 …

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 80th 2019年
ガス法で成長した4H-SiCバルク結晶における厚さ方向の転位密度変化

星乃紀博, 鎌田功穂, 徳田雄一郎, 神田貴裕, 杉山尚宏, 杉山尚宏, 土田秀一

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 66th 2019年
高温ガス成長法による高速レートでのφ4′′長尺4H-SiC結晶の成長

徳田雄一郎, 久野裕也, 上東秀幸, 岡本武志, 神田貴裕, 大矢信之, 星乃紀博, 鎌田功穂, 土田秀一

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 66th 2019年
高温ガス成長法によるΦ6inch4H-SiC結晶の開発

神田貴裕, 岡本武志, 徳田雄一郎, 鈴木玄, 大矢信之, 牧野英美, 上東秀幸, 星乃紀博, 鎌田功穂, 土田秀一

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 66th 2019年
熱処理によって高密度窒素ドープ4H-SiC結晶中に発生するダブルショックレー型積層欠陥の構造解析—Structural Analysis of Double-Layer Shockley Stacking Faults Formed in Heavily-Nitrogen-Doped 4H-SiC during Annealing—特集基盤技術 ; 半導体/センサ

徳田雄一郎, 山下任, 加藤智久, 奥村元, 星乃紀博, 宮澤哲哉, 鎌田功穂, 土田秀一, 木本恒暢

Denso technical review / デンソーテクニカルレビュー編 23 77-93 2018年
ガス成長法による4H-SiCバルク単結晶成長の開発

牧野英美, 徳田雄一郎, 神田貴裕, 杉山尚宏, 久野裕也, 小島淳, 星乃紀博, 鎌田功穂, 土田秀一

化学工学会秋季大会研究発表講演要旨集(CD-ROM) 49th 2017年

共同研究・競争的資金等の研究課題

高温CVD法による高速SiCバルク結晶成長における転位低減機構解明と限界探求

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(A) 2020年4月 - 2023年3月

土田秀一

土田秀一

基本情報

論文

MISC

共同研究・競争的資金等の研究課題

メニュー

共著者の一覧