土田秀一 (Hidekazu Tsuchida) - マイポータル

基本情報

ORCID iD: https://orcid.org/0009-0009-9753-9929
J-GLOBAL ID: 202301021025715212
researchmap会員ID: R000055361

論文

221

Coherent photoelectrical readout of single spins in silicon carbide at room temperature

Tetsuri Nishikawa, Naoya Morioka, Hiroshi Abe, Koichi Murata, Kazuki Okajima, Takeshi Ohshima, Hidekazu Tsuchida, Norikazu Mizuochi

Nature Communications 2025年4月15日
Impacts of single Shockley-type stacking faults on current conduction in 4H-SiC PiN diodes

Satoshi Asada, Koichi Murata, Hidekazu Tsuchida

Journal of Applied Physics 2024年11月7日
Formation of basal plane dislocations by stress near epilayer/substrate interface of large-diameter SiC wafers with thick epitaxial layers

Fumihiro Fujie, Tsubasa Shiono, Koichi Murata, Naoto Ishibashi, Yuichiro Mabuchi, Hidekazu Tsuchida

Journal of Applied Physics 2024年6月21日
Advances in fast 4H–SiC crystal growth and defect reduction by high-temperature gas-source method

Hidekazu Tsuchida, Takahiro Kanda

Materials Science in Semiconductor Processing 2024年6月
Experimental determination of intrinsic carrier density in 4H-SiC based on electron diffusion current in an npn bipolar junction transistor

Satoshi Asada, Koichi Murata, Hajime Tanaka, Hidekazu Tsuchida

Journal of Applied Physics 134(23) 2023年12月15日
Optically detected magnetic resonance of silicon vacancies in 4H-SiC at elevated temperatures toward magnetic sensing under harsh environments

Shu Motoki, Shin-ichiro Sato, Seiichi Saiki, Yuta Masuyama, Yuichi Yamazaki, Takeshi Ohshima, Koichi Murata, Hidekazu Tsuchida, Yasuto Hijikata

Journal of Applied Physics 133(15) 2023年4月21日
Quality Evaluation of 150 mm 4H-SiC Grown at over 1.5 mm/h by High-Temperature Chemical Vapor Deposition Method

Okamoto, T., Uehigashi, H., K, a, T., Ohya, N., Horiai, A., Sakakibara, S., Kanemura, T., Betsuyaku, K., Hoshino, N. …

Solid State Phenomena 342 2023年
Modeling of Stacking Faults in 4H-SiC n-Type Epilayer for TCAD Simulation

Asada, S., Murata, K., Tsuchida, H.

IEEE Transactions on Electron Devices 70(4) 2023年
Investigation of propagation and coalescence of threading screw and mixed dislocations in 4H-SiC crystals grown by the high-temperature gas source method

Hidekazu Tsuchida

Journal of Crystal Growth 590 2022年
Limited current conduction due to various types of stacking faults in n-type 4H-SiC epilayers

Hidekazu Tsuchida

Applied Physics Express 15(4) 2022年
Mechanical-stressing measurements of formation energy of single Shockley stacking faults in 4H-SiC

Hidekazu Tsuchida

Applied Physics Express 14(4) 2021年
Simulation Analysis of Increase in ON-State Voltage of 4H-SiC Bipolar Devices Due to Single-Shockley-Stacking Faults

Hidekazu Tsuchida

IEEE Transactions on Electron Devices 68(7) 2021年
Carrier lifetime control by intentional boron doping in aluminum doped p-type 4H-SiC epilayers

Hidekazu Tsuchida

Journal of Applied Physics 129(2) 2021年
Carrier dynamics of silicon vacancies of SiC under simultaneous optically and electrically excitations

Hidekazu Tsuchida

Applied Physics Letters 118(2) 2021年
Optically detected magnetic resonance study of 3d arrayed silicon vacancies in sic pn diodes

Yamazaki, Y., Chiba, Y., Sato, S.-I., Makino, T., Yamada, N., Satoh, T., Kojima, K., Hijikata, Y., Tsuchida, H., Hoshino, N. …

Materials Science Forum 1004 MSF 2020年
Formation of double shockley stacking faults in heavily nitrogen doped 4h-sic crystal with reduction of residual stress around scratch damage

Sugiyama, N., Mitani, T., Kamata, I., Kato, T., Tsuchida, H., Okumura, H.

Materials Science Forum 1004 MSF 2020年
Fast 4H-SiC bulk growth by high-temperature gas source method

Tokuda, Y., Hoshino, N., Kuno, H., Uehigashi, H., Okamoto, T., K, a, T., Ohya, N., Kamata, I., Tsuchida, H.

Materials Science Forum 1004 MSF 2020年
Effects of stacking faults on electron transport in 4H-SiC n-type epilayers under unipolar operation evaluated by TCAD simulation

Hidekazu Tsuchida

Japanese Journal of Applied Physics 59(5) 2020年
Fabrication of 4H-SiC PIN diodes on substrate grown by HTCVD method

Hidekazu Tsuchida

Japanese Journal of Applied Physics 59(SG) 2020年
Reduction in dislocation densities in 4H-SiC bulk crystal grown at high growth rate by high-temperature gas-source method

Hidekazu Tsuchida

Applied Physics Express 13(9) 2020年

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MISC

高温ガス法による高速4H-SiCバルク結晶成長における転位密度低減

星乃紀博, 鎌田功穂, 神田貴裕, 徳田雄一郎, 久野裕也, 土田秀一

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 70th 2023年
薄膜型SiC検出器による重粒子線がん治療場の線エネルギー付与分布測定

松本卓己, 新井優大, 新井優大, 窪寺敬, 山口皐平, 横田凌, 大島武, 牧野高紘, 酒井真理, 松村彰彦 …

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 70th 2023年
ガス法で成長した4H-SiCバルク結晶における厚さ方向の転位密度変化

星乃紀博, 鎌田功穂, 徳田雄一郎, 神田貴裕, 杉山尚宏, 杉山尚宏, 土田秀一

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 66th 2019年
高温ガス成長法による高速レートでのφ4′′長尺4H-SiC結晶の成長

徳田雄一郎, 久野裕也, 上東秀幸, 岡本武志, 神田貴裕, 大矢信之, 星乃紀博, 鎌田功穂, 土田秀一

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 66th 2019年
高温ガス成長法によるΦ6inch4H-SiC結晶の開発

神田貴裕, 岡本武志, 徳田雄一郎, 鈴木玄, 大矢信之, 牧野英美, 上東秀幸, 星乃紀博, 鎌田功穂, 土田秀一

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 66th 2019年
熱処理によって高密度窒素ドープ4H-SiC結晶中に発生するダブルショックレー型積層欠陥の構造解析—Structural Analysis of Double-Layer Shockley Stacking Faults Formed in Heavily-Nitrogen-Doped 4H-SiC during Annealing—特集基盤技術 ; 半導体/センサ

徳田雄一郎, 山下任, 加藤智久, 奥村元, 星乃紀博, 宮澤哲哉, 鎌田功穂, 土田秀一, 木本恒暢

Denso technical review / デンソーテクニカルレビュー編 23 77-93 2018年
ガス成長法による4H-SiCバルク単結晶成長の開発

牧野英美, 徳田雄一郎, 神田貴裕, 杉山尚宏, 久野裕也, 小島淳, 星乃紀博, 鎌田功穂, 土田秀一

化学工学会秋季大会研究発表講演要旨集(CD-ROM) 49th 2017年

共同研究・競争的資金等の研究課題

高温CVD法による高速SiCバルク結晶成長における転位低減機構解明と限界探求

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(A) 2020年4月 - 2023年3月

土田秀一

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