2016年4月 - 2019年3月
ダイヤモンドを用いた次世代半導体ピクセル検出器の開発と高性能化研究
日本学術振興会 科学研究費助成事業 基盤研究(B) 基盤研究(B)
高強度化・高輝度加速器ビームを利用した実験に使用可能な耐環境性能(放射線耐性を含む)・高速応答・高位置分解能を兼ね備えたダイヤモンド半導体測定装置実用化のための技術基盤を確立し、従来の装置性能を大きく向上させることを目的とし研究を行った。
その結果、従来の半導体検出器と同じ性能を持ちつつ耐環境性能に優れたダイヤモンドを用いた半導体測定装置用センサー開発に成功した。更に100μm以下の位置分解能を達成するためのダイヤモンドセンサー製造の知見を蓄積しつつ、ダイヤモンド半導体測定装置用信号処理集積回路用技術開発では、開発したトランジスタが0.3MGy以上の放射線耐性を持つことを確認した。
その結果、従来の半導体検出器と同じ性能を持ちつつ耐環境性能に優れたダイヤモンドを用いた半導体測定装置用センサー開発に成功した。更に100μm以下の位置分解能を達成するためのダイヤモンドセンサー製造の知見を蓄積しつつ、ダイヤモンド半導体測定装置用信号処理集積回路用技術開発では、開発したトランジスタが0.3MGy以上の放射線耐性を持つことを確認した。
- リンク情報
- ID情報
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- 課題番号 : 16H03990
- 体系的課題番号 : JP16H03990