MISC

1999年

Novel process of SiO₂/Si selective etching using a new gas source to prevent global warming (共著)

Journal of uacuum Science&technolog

巻: 17
号: 3
開始ページ: 957
終了ページ: 960
DOI: 10.1116/1.590676

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DOI: https://doi.org/10.1116/1.590676

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DOI : 10.1116/1.590676
ISSN : 0734-211X

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