姚 永昭

J-GLOBALへ         更新日: 18/10/25 17:10
 
アバター
研究者氏名
姚 永昭
 
ヤオ ヨンチャオ
eメール
y_yaojfcc.or.jp
所属
一般財団法人ファインセラミックスセンター
部署
材料技術研究所 機能性材料グループ
職名
上級研究員
学位
博士(工学)(筑波大学)
科研費研究者番号
80523935

研究分野

 
 

経歴

 
2009年6月
 - 
現在
一般財団法人 ファインセラミックスセンター 材料技術研究所 機能性材料グループ 上級研究員
 
2008年1月
 - 
2009年5月
物質・材料研究機構 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点 ポスドク研究員
 
2004年9月
 - 
2007年12月
物質・材料研究機構 ジュニア研究員
 

学歴

 
2004年9月
 - 
2007年12月
筑波大学 数理物質科学研究科 物質材料工学専攻(博士号取得)
 
2001年9月
 - 
2004年7月
中国清華大学大学院 電子工程学部 電子工学学科(修士号取得)
 
1997年9月
 - 
2001年7月
中国清華大学 電子工程学部 電子工学学科(学士号取得)
 

受賞

 
2018年9月
公益社団法人 応用物理学会 第12回 応用物理学会Poster Award 放射光X線トポグラフィによるPVT法AlN単結晶基板の転位評価
受賞者: 姚 永昭、菅原 義弘、石川 由加里、岡田 成仁、井本 良、只友 一行、高橋 由美子、平野 馨一
 
2013年9月
公益社団法人 応用物理学会 第35回(2013年度)応用物理学会 論文賞 Dislocation Revelation from (000-1) Carbon-face of 4H-SiC by Using Vaporized KOH at High Temperature
受賞者: 姚 永昭.
 
2013年6月
日本セラミックス協会 2012年Journal of the Ceramic Society of Japan優秀論文賞 Influence of substrate nitridation on GaN and InN growth by plasma-assisted molecular-beam epitaxy
受賞者: 姚 永昭、関口 隆史、大垣 武、安達 裕、大橋 直樹
 
2012年5月
日本ファインセラミックス協会 平成23年度 技術振興賞 炭化ケイ素ウエハの簡易な欠陥検出法の開発
受賞者: 姚 永昭、石川 由加里、菅原 義弘、河合 洋一郎、鈴木 寛、斎藤 広明、旦野 克典
 
2011年12月
日本表面科学会中部支部研究会 第11回講演会 講演奨励賞
受賞者: 姚 永昭.
 
2008年12月
日中科学技術交流協会 第5回 元東京大学総長 向坊 隆 記念研究奨励賞
受賞者: 姚 永昭.
 

論文

 
S. Usami, Y. Ando, A. Tanaka, K. Nagamatsu, M. Deki, M. Kushimoto, S. Nitta, Y. Honda, H. Amano, Y. Sugawara, 姚永昭 and Y. Ishikawa
Appl. Phys. Lett.   112 182106   2018年   [査読有り]
Y. Ishikawa, M. Sudo, 姚永昭, Y. Sugawara and M. Kato
J. Appl. Phys.   123 225101   2018年   [査読有り]
姚永昭, Y. Ishikawa, Y. Sugawara, Y. Takahashi, K. Hirano
J. of Electron. Mater.   47 5007-5012   2018年   [査読有り]
姚永昭, Y. Ishikawa, Y. Sugawara, Y. Takahashi, K. Hirano
Mater. Sci. Forum   897 185-188   2017年   [査読有り]
姚永昭, Y. Ishikawa, Y. Sugawara, D. Yokoe, M. Sudo, N. Okada, K. Tadatomo
Mater. Sci. Forum   897 707-710   2017年   [査読有り]
姚永昭, Y. Ishikawa, M. Sudo, Y. Sugawara, D. Yokoe
J. Cryst. Growth   468 484-488   2017年   [査読有り]
姚永昭, Y. Ishikawa, Y. Sugawara, K. Sato, K. Danno, T. Shirai, K. Sato, T. Bessho, Y. Takahashi, Y. Yamashita, K. Hirano
Mater. Sci. Forum   858 389-392   2016年   [査読有り]
姚永昭, Y. Ishikawa, Y. Sugawara, D. Yokoe, M. Sudo, N. Okada, K. Tadatomo
Superlattices and Microstructures   99 83-87   2016年   [査読有り]
姚永昭, Y. Ishikawa, Y. Sugawara, H. Yamada, A. Chayahara, Y.Mokuno
Diamond & Related Materials   63 86-90   2016年   [査読有り]
姚永昭, Y. Ishikawa, Y. Sugawara, K. Sato
Mater. Sci. Forum   823 541-544   2015年   [査読有り]
Y. Ishikawa, 姚永昭, Y. Sugawara, K. Sato, Y. Okamoto, N. Hayashi, B. Dierre, K. Watanabe, T. Sekiguchi
Jpn. J. Appl. Phys.   53 71301   2014年   [査読有り]
Y. Sugawara, 姚永昭, Y. Ishikawa, K. Danno, H. Suzuki, T. Bessho, S. Yamaguchi, K. Nishikawa, Y. Ikuhara
Mater. Sci. Forum   778-780 366-369   2014年   [査読有り]
Y. Ishikawa, 姚永昭, K. Sato, Y. Sugawara, Y. Okamoto, N. Hayashi
Mater. Sci. Forum   778-780 362-365   2014年   [査読有り]
姚永昭, Y. Ishikawa, Y. Sugawara, K. Sato, T. Shirai, K. Danno, H. Suzuki, H. Sakamoto, T. Bessho, B. Dierre, K. Watanabe, T. Sekiguchi
Jpn. J. Appl. Phys.   53 81301   2014年   [査読有り]
姚永昭, Y. Ishikawa, Y. Sugawara, K. Sato
Mater. Sci. Forum   778-780 746-749   2014年   [査読有り]
姚永昭, Y. Ishikawa, Y. Sugawara, K. Sato, K. Danno, H. Suzuki, H. Sakamoto, T. Bessho, S. Yamaguchi, K. Nishikawa
Mater. Sci. Forum   778-780 346-349   2014年   [査読有り]
姚永昭, Y. Ishikawa, K. Sato, Y. Sugawara, K. Danno, H. Suzuki, T. Bessho
Mater. Sci. Forum   740-742 829-832   2013年   [査読有り]
姚永昭, Y. Ishikawa, Y. Sugawara, K. Sato, K. Danno, H. Suzuki, T. Bessho, S. Yamaguchi, K. Nishikawa
J. Cryst. Growth   364 7-10   2013年   [査読有り]
Y. Sugawara, M. Nakamori, 姚永昭, Y. Ishikawa, K. Danno, H. Suzuki, T. Bessho, S. Yamaguchi, K. Nishikawa and Y. Ikuhara
Appl. Phys. Express   5 81301   2012年   [査読有り]
Y. Sugawara, 姚永昭, Y. Ishikawa, K. Danno, H. Suzuki, T. Bessho, Y. Kawai and Y. Ikuhara
Mater. Sci. Forum   725 11-14   2012年   [査読有り]
Y. Ishikawa, K. Sato, Y. Okamoto, N. Hayashi, 姚永昭, Y. Sugawara
Mater. Sci. Forum   717-720 383-386   2012年   [査読有り]
Y. Ishikawa, 姚永昭, Y. Sugawara, K. Danno, H. Suzuki, Y. Kawai and N. Shibata
Mater. Sci. Forum   717-720 367-370   2012年   [査読有り]
姚永昭, T. Sekiguchi, T. Ohgaki, Y. Adachi and N. Ohashi
J. Ceram. Soc. Jpn   120(11) 513-519   2012年   [査読有り]
姚永昭, K. Sato, Y. Sugawara, Y. Ishikawa, Y. Okamoto and N. Hayashi
Mater. Sci. Forum   725 23-26   2012年   [査読有り]
姚永昭, Y. Sugawara, Y. Ishikawa, K. Danno, H. Suzuki, T. Bessho, Y. Kawai and N. Shibata
Mater. Sci. Forum   725 45-48   2012年   [査読有り]
姚永昭, Y. Ishikawa, K. Sato, Y. Sugawara, K. Danno, H. Suzuki, T. Bessho
Appl. Phys. Express   5 75601   2012年   [査読有り]
Y. Ishikawa, 姚永昭, Y. Sugawara, K. Sato, K. Danno, H. Suzuki, T. Bessho, Y. Kawai and N. Shibata
Acta Phys. Pol. A   120 A25-A27   2011年   [査読有り]
姚永昭, Y. Sugawara, Y. Ishikawa, H. Saitoh, K. Danno, H. Suzuki, Y. Kawai and N. Shibata
J. Appl. Phys.   109 123524   2011年   [査読有り]
姚永昭, Y. Ishikawa, Y. Sugawara, H. Saitoh, K. Danno, H. Suzuki, Y. Kawai and N. Shibata
Jpn. J. Appl. Phys.   50 75502   2011年   [査読有り]
姚永昭, Y. Sugawara, Y. Ishikawa, H. Saitoh, K. Danno, H. Suzuki, Y. Kawai and N. Shibata
Mater. Sci. Forum   679-680 294-297   2011年   [査読有り]
姚永昭, Y. Ishikawa, Y. Sugawara, H. Saitoh, K. Danno, H. Suzuki, Y. Kawai and N. Shibata
Mater. Sci. Forum   679-680 290-293   2011年   [査読有り]
姚永昭, T. Sekiguchi, T. Ohgaki, Y. Adachi and N. Ohashi
J. Ceram. Soc. Jpn.   118(2) 152-156   2010年   [査読有り]
姚永昭, T. Ohgaki, N. Fukata, Y. Adachi, Y. Wada, H. Haneda and N. Ohashi
Scripta Mater.   62 516-519   2010年
Y. Wang, B. Dierre, T. Sekiguchi, 姚永昭, X. L. Yuan, F. J. Xu and B. Shen
J. Vac. Sci. Technol. A   27 611-613   2009年   [査読有り]
T. Yamada, H. Yamane, 姚永昭, M. Yokoyama and T. Sekiguchi
Mate. Res. Bull.   44 594-599   2009年   [査読有り]
姚永昭, T. Sekiguchi, T. Ohgaki, Y. Adachi, N. Ohashi, H. Okuno and M. Takeguchi
Appl. Phys. Lett.   95 41913   2009年
姚永昭, T. Ohgaki, K. Matsumoto, I. Sakaguchi, Y. Wada, H. Haneda, T. Sekiguchi and N. Ohashi
Phys. Stat. Sol. (c)   6 S707-S710   2009年
B. Dierre, X. L. Yuan, 姚永昭, M. Yokoyama and T. Sekiguchi
J. Mater. Sci.-Mater. El.   19 S307-S310   2008年   [査読有り]
姚永昭, T. Sekiguchi, N. Ohashi, Y. Adachi and T. Ohgaki
Appl. Phys. Lett.   92 211910   2008年
姚永昭, T. Sekiguchi, Y. Sakuma, N. Ohashi, Y. Adachi, H. Okuno and M. Takeguchi
Cryst. Growth & Des.   8 1073-1077   2008年
T. Yamada, H. Yamane, T. Goto, T. Yao, 姚永昭 and T. Sekiguchi
Cryst. Res. Technol.   42 713-717   2007年   [査読有り]
姚永昭, T. Sekiguchi, Y. Sakuma and N. Ohashi
J. Cryst. Growth   301-302 521-524   2007年
T. Sekiguchi , M.R. Chandra, 姚永昭, X.L. Yuan, K. Tsuji and J.Y. Kang
Mater. Sci. Semicon. Proc.   9 19-24   2006年   [査読有り]
R.F. Yue, 姚永昭 and L.T. Liu
Chin. Phys. Lett.   23 482-485   2006年   [査読有り]
姚永昭, T. Sekiguchi, Y. Sakuma, M. Miyamura and Y. Arakawa
Scripta Mater.   55 679-682   2006年
R. Buckmaster, J.H. Yoo, K. Shin, 姚永昭, T. Sekiguchi, M. Yokoyama, T. Hanada, T. Goto, M. Cho, Y. Kawazoe and T. Yao
Microelectron J.   36 456-459   2005年   [査読有り]

Misc

 
炭化ケイ素ウエハの簡易な欠陥検出法の開発
姚永昭, 石川由加里, 菅原義弘, 斎藤広明, 旦野克典, 鈴木寛, 河合洋一郎
FC Report   31(1) 12-14   2013年   [依頼有り]
低損失・省エネパワーデバイス用SiC結晶欠陥検出技術の開発
姚永昭, 石川由加里, 菅原義弘, 佐藤功二, 旦野克典, 鈴木寛, 坂本秀光, 別所毅
金属   83(5) 425-432   2013年
炭化珪素における結晶欠陥検出技術の開発
姚永昭, 石川由加里, 菅原義弘, 佐藤功二, 旦野克典, 鈴木寛, 別所毅
Materials Integration   25(6) 16-20   2012年

講演・口頭発表等

 
Observation of dislocations in AlN single crystal by using synchrotron X-ray topography, etch pit method and transmission electron microscope
姚永昭, Y. Sugawara, Y. Ishikawa, D. Yokoe, N. Okada, R. Inomoto, K. Tadatomo, Y. Takahashi, K. Hirano
(ORAL) ISGN-7 (The 7th International Symposium on Growth of III-nitrides), Warsaw, Poland, Aug. 5-10, 2018   
Characterization of EFG-grown β-Ga2O3 single crystal by using Synchrotron X-ray topography, X-ray diffraction and Raman [招待有り]
姚永昭, Y. Ishikawa, Y. Sugawara, Y. Takahashi, K. Hirano
(INVITED TALK) IWGO 2017 (2nd International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials), Parma, Italy, Sept. 12-15, 2017   
Observation of threading dislocations in ammono-thermal gallium nitride single crystal by using synchrotron X-ray topography
姚永昭, Y. Ishikawa, Y. Sugawara, Y. Takahashi, K. Hirano
(ORAL) DRIP XVII (17th Defect-Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors), Valladolid, Spain, Oct. 8-12, 2017   
Dislocation revelation and categorization for thick free-standing GaN substrates grown by HVPE
姚永昭, Y. Ishikawa, Y. Sugawara, D. Yokoe, M. Sudo, N. Okada, K. Tadatomo
ECSCRM 2016 (European Conf. on SiC and Related Materials 2016), Halkidiki, Greece, Sept. 25-29, 2016 (Poster)   
Characterization of threading dislocations in GaN (0001) substrates by photoluminescence imaging, cathodoluminescence mapping and etch pits
姚永昭, Y. Ishikawa, M. Sudo, Y. Sugawara, D. Yokoe
(ORAL) ICCGE-18 (18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy), Nagoya, Japan, Aug. 7-12, 2016   
Elementary screw and mixed-type dislocations in 4H-SiC characterized by X-ray topography taken with six equivalent 11-28 g-vectors and a comparison to etch pit evaluation
姚永昭, Y. Ishikawa, Y. Sugawara, Y. Takahashi, K. Hirano
ECSCRM 2016 (European Conf. on SiC and Related Materials 2016), Halkidiki, Greece, Sept. 25-29, 2016 (Poster)   
Revelation of dislocations in HVPE GaN single crystal by KOH etching with Na2O2 additive and cathodoluminescence mapping
姚永昭, Y. Ishikawa, Y. Sugawara, D. Yokoe, M. Sudo, N. Okada, K. Tadatomo
The 16th conference on Defects-Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors (DRIP XVI), Suzhou, China, Sept. 6-10, 2015 (Poster)   
Fast removal of surface damage layer from single crystal diamond by using chemical etching in molten KCl + KOH solution
姚永昭, Y. Ishikawa, Y. Sugawara, H. Yamada, A. Chayahara, Y.Mokuno
2015 9th International Conference on New Diamond and Nano Carbons, Shizuoka, Japan, May. 25-26, 2015 (Poster)   
Dislocations in SiC revealed by NaOH vapor etching and a comparison with X-ray topography taken with various g-vectors
姚永昭, Y. Ishikawa, Y. Sugawara, K. Sato, K. Danno, T. Shirai, K. Sato, T. Bessho, Y. Takahashi, Y. Yamashita, K. Hirano
ICSCRM 2015 (International Conf. on SiC and Related Materials 2015), Giardini Naxos, Italy, Oct. 4-9, 2015 (Poster)   
Removal of mechanical polishing-induced surface damages by chemical etching and its effect on subsequent epitaxial growth
姚永昭, Y. Ishikawa, Y. Sugawara, K. Sato
10th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, Grenoble, France, Sept. 21-25, 2014 (Poster)   
Removal of mechanical-polishing-induced surface damages on 4H-SiC wafers by using chemical etching with molten KCl+KOH
姚永昭, Y. Ishikawa, Y. Sugawara, K. Sato
The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials, Miyazaki, Japan, Sept. 29-Oct. 4, 2013 (Poster)   
Dislocation revelation for 4H-SiC by using vaporized NaOH: a possible way to distinguish edge, screw and mixed threading dislocations by etch pit method
姚永昭, Y. Ishikawa, Y. Sugawara, K. Sato, K. Danno, H. Suzuki, H. Sakamoto, T. Bessho, S. Yamaguchi, K. Nishikawa
The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials, Miyazaki, Japan, Sept. 29-Oct. 4, 2013 (Poster)   
Novel chemical etching technique using vaporized KOH for dislocation revelation from carbon-face (000-1) of 4H-SiC
姚永昭, Y. Ishikawa, K. Sato, Y. Sugawara, K. Danno, H. Suzuki, T. Bessho
9th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, Saint Petersburg, Russia, Sept. 2-6, 2012 (Poster)   
Electron beam induced current observation of dislocations in 4H-SiC introduced by mechanical polishing
姚永昭, K. Sato, Y. Sugawara, Y. Ishikawa, Y. Okamoto and N. Hayashi
14th International Conference on Defects-Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors, Miyazaki, Japan, Sept. 26-29, 2011 (Poster)   
Dissociation of basal plane dislocations in 4H-SiC under electron beam irradiation observed by electron beam induced current and KOH+Na2O2 etching
姚永昭, Y. Sugawara, Y. Ishikawa, K. Danno, H. Suzuki, T. Bessho
International Symposium on EcoTopia Science 2011, Nagoya, Japan, Dec. 9-11, 2011 (Poster)   
Different dissociation behavior of [11-20] and non-[11-20] basal plane dislocations in 4H-SiC under electron beam irradiation
姚永昭, Y. Sugawara, Y. Ishikawa, K. Danno, H. Suzuki, T. Bessho, Y. Kawai and N. Shibata
(ORAL) 14th International Conference on Defects-Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors, Miyazaki, Japan, Sept. 26-29, 2011   
Dislocation revelation in highly doped n-type 4H-SiC by molten KOH etching with Na2O2 additive
姚永昭, Y. Ishikawa, Y. Sugawara, H. Saitoh, K. Danno, H. Suzuki, Y. Kawai and N. Shibata
8th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, Oslo, Norway, Aug. 29-Sept. 2, 2010 (Poster)   
Dislocation analysis in highly doped n-type 4H-SiC by using electron beam induced current and KOH+Na2O2 etching
姚永昭, Y. Sugawara, Y. Ishikawa, H. Saitoh, K. Danno, H. Suzuki, Y. Kawai and N. Shibata
8th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, Oslo, Norway, Aug. 29-Sept. 2, 2010 (Poster)   
Nitrogen isotopic effect on the properties of Ga15N grown by molecular-beam epitaxy
姚永昭, M. Ogawa, Y. Ishikawa, T. Ohgaki, N. Fukata, H. Haneda, and N. Ohashi
(ORAL) The 26th International Japan-Korea Seminar on Ceramics, Tsukuba, Japan, Nov. 24-26, 2009   
Lattice constants of isotopic natGa15N epilayers grown on c-plane sapphire
姚永昭, T. Ohgaki, K. Matsumoto, I. Sakaguchi, Y. Wada, H. Haneda, T. Sekiguchi and N. Ohashi
(ORAL) The International Conference on Nanophotonics 2009, Harbin, China, May 11-14, 2009   
Isotopic effect of nitrogen substitution on the lattice of Ga15N
姚永昭, T. Ohgaki, K. Matsumoto, I. Sakaguchi, Y. Wada, H. Haneda, T. Sekiguchi and N. Ohashi
The 3rd International Conference on the Science and Technology for Advanced Ceramics, Yokohama, Japan, Jun. 16-18, 2009 (Poster, presented by T. Ohgaki)   
Growth and characterization of isotopic natGa15N by molecular-beam epitaxy
姚永昭, T. Ohgaki, K. Matsumoto, I. Sakaguchi, Y. Wada, H. Haneda, T. Sekiguchi and N. Ohashi
(ORAL) International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2008), Montreux, Switzerland, Oct. 6-10, 2008   
InN Growth by Plasma-Assisted Molecular-Beam Epitaxy with Indium Monolayer Insertion
姚永昭, T. Sekiguchi, Y. Sakuma, N. Ohashi, Y. Adachi, H. Okuno, and M. Takeguchi
4th International Nanotechnology Conference (INC4), Tokyo, Apr. 14-17, 2008 (Poster)   
Fabrication of GaN film by Molecular Beam Epitaxy for InN growth
姚永昭, T. Sekiguchi, Y. Sakuma and N. Ohashi
4th NIMS International Conference on Photonic Processes in Semiconductor Nanostructures, Tokyo, Mar. 7-10, 2006 (Poster)   
The influence of indium monolayer insertion on the InN epifilm grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy
姚永昭, T. Sekiguchi, Y. Sakuma and N. Ohashi
14th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE2006), Tokyo, Sept. 3-8, 2006 (Poster)   

所属学協会

 
 

競争的資金等の研究課題

 
AlNを用いたヘテロ接合型超高耐圧・大電流パワーデバイスとAlN結晶評価技術の開発
国立研究開発法人 新エネルギー・産業技術総合開発機構: エネルギー・環境新技術先導プログラム/未踏チャレンジ2050
研究期間: 2017年10月 - 2022年9月    代表者: 姚 永昭
次世代パワー半導体材料酸化ガリウムの結晶欠陥検出法の開発
日本学術振興会: 科学研究費助成事業・若手研究B
研究期間: 2016年4月 - 2018年3月    代表者: 姚 永昭
GaN結晶評価技術の開発
国立研究開発法人 科学技術振興機構: 研究成果展開事業 スーパークラスタープログラム
研究期間: 2015年4月 - 2018年3月    代表者: 石川 由加里
パワーデバイス用炭化珪素ウエハに対する低欠陥加工技術の開発
国立研究開発法人 科学技術振興機構: 研究成果展開事業 研究成果最適展開支援プログラム(A-STEP)
研究期間: 2012年11月 - 2013年10月    代表者: 姚 永昭

特許

 
特願2017-003766 : 窒化物系半導体の非極性面のエッチング方法および窒化物系半導体の非極性面における結晶欠陥の検出方法
姚 永昭、石川 由加里
特開2016-207968 : 窒化物系半導体のエッチング方法および窒化物系半導体の結晶欠陥検出方法
姚 永昭、石川 由加里
特開2016-119429 : 窒化物系半導体基板のエッチング方法、窒化物系半導体膜の作成方法
姚 永昭、石川 由加里
特開2016-119428 : ダイヤモンドのエッチング方法、ダイヤモンドの結晶欠陥の検出方法、およびダイヤモンド結晶の結晶成長方法
姚 永昭、石川 由加里、山田 英明、茶谷原 昭義
特開2015-012124 : 半導体ウェハのエッチング方法、半導体ウェハとその製造方法および半導体ウェハの結晶欠陥検出方法
姚 永昭、石川 由加里
特許第6022972号 : SiC結晶の検査方法及びそれを用いたSiC結晶の製造方法
旦野 克典、石川 由加里、姚 永昭、佐藤 功二
特許第5558268号 : 半導体単結晶基板の欠陥観察方法
旦野 克典、斎藤 広明、石川 由加里、姚 永昭、菅原 義弘、柴田 典義
特許第5519305号 : 炭化珪素単結晶の欠陥検出方法
旦野 克典、斎藤 広明、石川 由加里、姚 永昭、柴田 典義
特許第4873705号 : 窒化インジウム(InN)あるいは高インジウム組成を有する窒化インジウムガリウム(InGaN)エピタキシャル薄膜の形成方法
佐久間 芳樹、姚 永昭、関口 隆史、大橋 直樹