姚永昭 (Yongzhao Yao) - マイポータル

基本情報

所属: 三重大学研究基盤推進機構半導体・デジタル未来創造センター（兼）工学部電子情報工学科教授

学位: 博士（工学）(筑波大学)

連絡先: yaoicsdf.mie-u.ac.jp
研究者番号: 80523935
J-GLOBAL ID: 201801017983395447
researchmap会員ID: B000328269

研究キーワード

主要な研究分野

主要な経歴

2025年4月 - 現在

三重大学, 工学部電子情報工学, 教授
2024年4月 - 現在

三重大学, 半導体・デジタル未来創造センター, 教授
2024年4月 - 2025年3月

三重大学, 工学部電気電子工学科 (兼), 教授
2023年6月 - 2024年3月

(一財)ファインセラミックスセンター, 主任研究員, 機能性材料グループ長
2021年7月 - 2023年5月

(一財)ファインセラミックスセンター, 主任研究員
2018年5月 - 2023年3月

物質・材料研究機構, 客員研究員 (兼)
2009年6月 - 2021年6月

(一財)ファインセラミックスセンター, 上級研究員
2008年1月 - 2009年5月

物質・材料研究機構, 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点, ポスドク研究員
2004年9月 - 2007年12月

物質・材料研究機構, ジュニア研究員

学歴

2004年9月 - 2007年12月

筑波大学, 数理物質科学研究科, 物質材料工学専攻（博士号取得）
2001年9月 - 2004年7月

中国清華大学大学院, 電気電子工学研究科, 電気電子工学専攻（修士号取得）
1997年9月 - 2001年7月

中国清華大学, 電気電子工学部, 電気電子工学専攻（学士号取得）

主要な委員歴

2025年6月 - 現在

高エネルギー加速器研究機構 Photon Factory User Association, 運営委員会委員
2025年6月 - 現在

国際会議ISPLASMA2026, Technical Program Committee
2025年3月 - 現在

GaNコンソーシアム, 結晶評価・光デバイス・電子デバイス WG委員
2024年4月 - 現在

文部科学省科学技術予測・政策基盤調査研究センター, 科学技術専門家ネットワーク・専門調査員
2024年4月 - 現在

SPring-8/SACLA成果審査委員会査読者
2022年9月 - 現在

国際会議DRIP, 国際運営委員（International Steering Committee）
2024年6月 - 2025年3月

国際会議ISPLASMA2025, Technical Program Committee
2022年11月 - 2023年11月

国際会議SSDM 2023, Technical Program Committee
2020年2月 - 2023年9月

国際会議DRIP XIX, 実行委員
2021年11月 - 2022年11月

国際会議SSDM 2022, Technical Program Committee
2020年11月 - 2021年11月

国際会議SSDM 2021, Technical Program Committee
2018年4月 - 2021年3月

国際標準化, GaN結晶の転位検出方法に関する国際標準化委員

主要な受賞

2025年3月

2024年度（第51回）研究助成, 公益財団法人岩谷直治記念財団

姚永昭
2023年4月

2023年度研究助成, 公益財団法人池谷科学技術振興財団

姚永昭
2022年12月

2022年度（第54回）倉田奨励金, 公益財団法人日立財団

姚永昭
2022年10月

2022年度基礎科学研究助成, 公益財団法人住友財団

姚永昭
2021年11月

2021年度研究助成, 公益財団法人大倉和親記念財団

姚永昭
2021年7月

第46回学術写真賞優秀賞, 公益社団法人日本セラミックス協会

姚永昭、石川由加里、菅原義弘、佐藤功二、横江大作
2021年6月

2021年度研究助成, 公益財団法人村田学術振興財団

姚永昭
2020年3月

第42回研究助成, 公益財団法人日本板硝子材料工学助成会

姚永昭
2020年3月

2019年度共同研究奨励金, 公益財団法人永井科学技術財団

姚永昭(JFCC)、陳君(NIMS)
2018年9月

第12回応用物理学会Poster Award, 放射光X線トポグラフィによるPVT法AlN単結晶基板の転位評価, 公益社団法人応用物理学会

姚永昭, 菅原義弘, 石川由加里, 岡田成仁, 井本良, 只友一行, 高橋由美子, 平野馨一
2013年9月

第35回（2013年度）応用物理学会論文賞, Dislocation Revelation from (000-1) Carbon-face of 4H-SiC by Using Vaporized KOH at High Temperature 【Y. Yao, et al, APEX 5, 075601 (2012).】, 公益社団法人応用物理学会

姚永昭
2013年6月

2012年 Journal of the Ceramic Society of Japan 優秀論文賞, Influence of substrate nitridation on GaN and InN growth by plasma-assisted molecular-beam epitaxy, 公益社団法人日本セラミックス協会

姚永昭, 関口隆史, 大垣武, 安達裕, 大橋直樹
2012年5月

平成23年度技術振興賞, 炭化ケイ素ウエハの簡易な欠陥検出法の開発, 一般社団法人日本ファインセラミックス協会

姚永昭, 石川由加里, 菅原義弘, 河合洋一郎, 鈴木寛, 斎藤広明, 旦野克典
2011年12月

第11回講演会講演奨励賞, 公益社団法人日本表面科学会中部支部

姚永昭
2008年12月

第5回元東京大学総長向坊隆記念研究奨励賞, 一般社団法人日中科学技術交流協会

姚永昭

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主要な論文

18

High-speed, high-resolution, three-dimensional imaging of threading dislocations in β-Ga2O3 via phase-contrast microscopy

Yukari Ishikawa, Daiki Katsube, Yongzhao Yao, Koji Sato, Kohei Sasaki

APL Materials 14 021104 2026年2月査読有り
16

★【Featured Article】Kinematical and dynamical contrast of dislocations in thick GaN substrates observed by synchrotron-radiation x-ray topography under six-beam diffraction conditions

Yongzhao Yao, Yoshiyuki Tsusaka, Yukari Ishikawa

Journal of Applied Physics 139 065102 2026年2月査読有り筆頭著者責任著者
10

High-throughput, high-resolution, three-dimensional imaging of GaN threading dislocations with in-plane Burgers vector component via phase-contrast microscopy

Yukari Ishiakwa, Ryo Hattori, Yongzhao Yao, Daiki Katsube, Koji Sato

https://doi.org/10.48550/arXiv.2511.08989 2025年11月
Polarization Superimposed Phase Contrast Microscope Inspection of Dislocations in SiC Epitaxial Layer

R. Hattori, Y. Yao, Y. Ishikawa

Solid State Phenomena 376 47-54 2025年9月査読有り
19

Anisotropic mechanical properties of β-Ga₂O₃ single-crystal measured via angle-dependent nanoindentation using a Berkovich indenter【Open Access】

Yongzhao Yao, Yoshihiro Sugawara, Kohei Sasaki, Akito Kuramata, Yukari Ishikawa

Journal of Applied Physics 134 215106 2023年12月査読有り筆頭著者
35

Three-dimensional distribution and propagation of dislocations in β-Ga₂O₃ revealed by Borrmann effect X-ray topography【Open Access】

Yongzhao Yao, Yoshiyuki Tsusaka, Keiichi Hirano, Kohei Sasaki, Akito Kuramata, Yoshihiro Sugawara, Yukari Ishikawa

Journal of Applied Physics 134 155104 2023年10月査読有り筆頭著者
15

★【Editor’s Choice】【WILEY Top Viewed Article】Lattice misorientation at domain boundaries in β‐Ga₂O₃ single‐crystal substrates observed via synchrotron radiation x-ray diffraction imaging and x-ray reticulography【Open Access】

Yongzhao Yao, Keiichi Hirano, Kohei Sasaki, Akito Kuramata, Yoshihiro Sugawara, Yukari Ishikawa

Journal of the American Ceramic Society 106 5487-5500 2023年4月査読有り筆頭著者
31

X-ray topographic observation of dislocations in β-Ga₂O₃ Schottky barrier diodes and their glide and multiplication under reverse bias【Open Access】

Yongzhao Yao, Daiki Wakimoto, Hironobu Miyamoto, Kohei Sasaki, Akito Kuramata, Keiichi Hirano, Yoshihiro Sugawara, Yukari Ishikawa

Scripta Materialia 226 115216 2023年1月査読有り筆頭著者
11

Domain boundaries in ScAlMgO₄ single crystal observed by synchrotron radiation x-ray topography and reticulography

Yongzhao Yao, Keiichi Hirano, Yoshihiro Sugawara, Yukari Ishikawa

Semiconductor Science and Technology 37 115009 2022年10月査読有り筆頭著者
11

★【Featured Article】Large-area total-thickness imaging and Burgers vector analysis of dislocations in β-Ga₂O₃ using bright-field x-ray topography based on anomalous transmission

Yongzhao Yao, Yoshiyuki Tsusaka, Kohei Sasaki, Akito Kuramata, Yoshihiro Sugawara, Yukari Ishikawa

Applied Physics Letters 121 012105 2022年7月査読有り筆頭著者
24

★【Editor's Pick】Observation of dislocations in thick β-Ga₂O₃ single-crystal substrates using Borrmann effect synchrotron x-ray topography【Open Access】

Yongzhao Yao, Keiichi Hirano, Yoshihiro Sugawara, Kohei Sasaki, Akito Kuramata, Yukari Ishikawa

APL Materials 10 051101 2022年5月査読有り筆頭著者
42

Etch pit formation on β-Ga₂O₃ by molten KOH+NaOH and hot H₃PO₄ and their correlation with dislocations

Yongzhao Yao, Yoshihiro Sugawara, Koji Sato, Daisaku Yokoe, Kohei Sasaki, Akito Kuramata, Yukari Ishikawa

Journal of Alloys and Compounds 910 164788 2022年3月査読有り筆頭著者
43

Mechanism of molten KOH+NaOH etching of GaN revealed by the slopes of etch pits formed at threading dislocations

Yongzhao Yao, Koji Sato, Yoshihiro Sugawara, Yukari Ishikawa

Journal of Alloys and Compounds 902 163830 2022年1月査読有り筆頭著者
25

A synchrotron X-ray topography study of crystallographic defects in ScAlMgO₄ single crystals

Yongzhao Yao, Keiichi Hirano, Hirotaka Yamaguchi, Yoshihiro Sugawara, Narihito Okada, Kazuyuki Tadatomo, Yukari Ishikawa

Journal of Alloys and Compounds 896 163025 2021年12月査読有り筆頭著者
18

★【該当号表紙】Correlation between structural properties and nonradiative recombination behaviors of threading dislocations in freestanding GaN substrates grown by hydride vapor phase epitaxy【Open Access】

Yong-Zhao Yao, Yoshihiro Sugawara, Daisaku Yokoe, Koji Sato, Yukari Ishikawa, Narihito Okada, Kazuyuki Tadatomo, Masaki Sudo, Masashi Kato, Makoto Miyoshi …

CrystEngComm 22 8299-8312 2020年12月査読有り筆頭著者
18

Study of dislocations in AlN single-crystal using bright-field synchrotron X-ray topography under a multiple-beam diffraction condition

Y. Yao, Y. Tsusaka, Y. Ishikawa, Y. Sugawara, Y. Fujita, J. Matsui, N. Okada, K. Tadatomo

Applied Physics Letters 117 092102 2020年9月査読有り筆頭著者
6

Crystallinity evaluation and dislocation observation for an aluminum nitride single crystal substrate on a wafer scale

Y. Yao, Y. Sugawara, Y. Ishikawa, N. Okada, K. Tadatomo

JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS 49 5144-5153 2020年9月査読有り筆頭著者
35

Identification of Burgers vectors of dislocations in monoclinic β-Ga₂O₃ via synchrotron X-ray topography

Y. Yao, Y. Sugawara, Y. Ishikawa

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 127 205110 2020年5月査読有り筆頭著者
27

★【該当号裏表紙】Revelation of Dislocations in β-Ga₂O₃ Substrates Grown by Edge‐Defined Film‐Fed Growth

Y. Yao, Y. Ishikawa, Y. Sugawara

PHYSICA STATUS SOLIDI A 217 1900630 2020年2月査読有り筆頭著者
7

★【Editor's Pick】X-ray diffraction and Raman characterization of β-Ga₂O₃ single crystal grown by edge-defined film-fed growth method

Y. Yao, Y. Ishikawa, Y. Sugawara

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 126 205106 2019年11月査読有り筆頭著者
16

Observation of Threading Dislocations in Ammonothermal Gallium Nitride Single Crystal Using Synchrotron X-ray Topography

Y. Yao, Y. Ishikawa, Y. Sugawara, Y. Takahashi, K. Hirano

Journal of Electronic Materials 47 5007-5012 2018年4月2日査読有り筆頭著者
11

Correlation between etch pits formed by molten KOH+Na₂O₂ etching and dislocation types in heavily doped n(+)-4H-SiC studied by X-ray topography

Yongzhao Yao, Yukari Ishikawa, Yoshihiro Sugawara, Koji Sato, Katsunori Danno, Hiroshi Suzuki, Takeshi Bessho, Satoshi Yamaguchi, Koichi Nishikawa

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 364 7-10 2013年2月査読有り筆頭著者
★【セラ協論文賞】Influence of substrate nitridation on GaN and InN growth by plasma-assisted molecular-beam epitaxy

Yongzhao Yao, Takashi Sekiguchi, Takeshi Ohgaki, Yutaka Adachi, Naoki Ohashi

JOURNAL OF THE CERAMIC SOCIETY OF JAPAN 120(1407) 513-519 2012年11月査読有り筆頭著者
★【応物論文賞】Dislocation Revelation from ($000\bar{1}$) Carbon-face of 4H-SiC by Using Vaporized KOH at High Temperature

Yong-Zhao Yao, Yukari Ishikawa, Koji Sato, Yoshihiro Sugawara, Katsunori Danno, Hiroshi Suzuki, Takeshi Bessho

Applied Physics Express 5(7) 075601-075601 2012年6月22日査読有り筆頭著者
A simultaneous observation of dislocations in 4H-SiC epilayer and n⁺-substrate by using electron beam induced current

Yong-Zhao Yao, Yoshihiro Sugawara, Yukari Ishikawa, Hiroaki Saitoh, Katsunori Danno, Hiroshi Suzuki, Yoichiro Kawai, Noriyoshi Shibata

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 109(12) 123524 2011年6月査読有り筆頭著者
Nitrogen isotopic effect in Ga¹⁵N epifilms grown by plasma-assisted molecular-beam epitaxy

Yong-zhao Yao, Takeshi Ohgaki, Naoki Fukata, Yutaka Adachi, Yoshiki Wada, Hajime Haneda, Naoki Ohashi

SCRIPTA MATERIALIA 62(7) 516-519 2010年4月査読有り筆頭著者
Periodic supply of indium as surfactant for N-polar InN growth by plasma-assisted molecular-beam epitaxy

Yong-Zhao Yao, Takashi Sekiguchi, Takeshi Ohgaki, Yutaka Adachi, Naoki Ohashi, Hanako Okuno, Masaki Takeguchi

APPLIED PHYSICS LETTERS 95 041913 2009年7月査読有り筆頭著者
Photoluminescence and x-ray diffraction measurements of InN epifilms grown with varying In/N ratio by plasma-assisted molecular-beam epitaxy

Yong-Zhao Yao, Takashi Sekiguchi, Naoki Ohashi, Yutaka Adachi, Takeshi Ohgaki

APPLIED PHYSICS LETTERS 92(21) 211910 2008年5月査読有り筆頭著者
InN Growth by Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy with Indium Monolayer Insertion

Y. Yao, T. Sekiguchi, Y. Sakuma, N. Ohashi, Y. Adachi, H. Okuno, M. Takeguchi

CRYSTAL GROWTH & DESIGN 8(3) 1073-1077 2008年2月査読有り筆頭著者

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MISC

Imaging of dislocations in β -Ga2O3 via X-ray topography based on anomalous transmission

姚永昭

SPring-8/SACLA Research Frontiers 2023 2023 108-109 2024年8月招待有り筆頭著者
Ｘ線異常透過を利用した酸化ガリウム結晶欠陥撮影

姚永昭

公益社団法人日本アイソトープ協会 Isotope News (789) 24-28 2023年10月招待有り筆頭著者
低損失パワーデバイス用半導体材料β-Ga2O3 の転位評価技術の開発

姚永昭

（公財）日本板硝子材料工学助成会 NSG Found. Mat. Sci. Eng. Rep. 41 203-209 2023年8月筆頭著者
ワイドバンドギャップ半導体結晶の転位検出と解析

石川由加里, 姚永昭, 菅原義弘, 佐藤功二, 横江大作

日本金属学会講演大会(Web) 171st 2022年
レーザー昇華堆積法を用いたSiCコーティング技術の開発

末廣智, 木村禎一, 横江大作, YAO Yongzhao, 石川由加里

日本セラミックス協会秋季シンポジウム講演予稿集(Web) 35th 2022年
HVPE-GaN(0001)基板にVickers圧入で生じた転位構造

石川由加里, 横江大作, 菅原義弘, YAO YongZhao

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 82nd 2021年
極性反転とパルスH₂エッチングを利用したN極性面AlNの結晶成長

安高和哉, LU You, 松村航, 花咲光基, YAO Y., 石川由加里, 菅原義弘, 横江大作, 倉井聡, 岡田成仁 …

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 82nd 2021年
ラマン分光法、X線回折およびエッチピット法を用いた超ワイドバンドギャップ半導体ウエハの結晶性評価

姚永昭, 石川由加里

Jasco Report 63(1) 2021年1月招待有り筆頭著者
HVPE-GaN結晶上に形成したビッカース圧痕周囲の転位構造

石川由加里, 菅原義弘, 横江大作, YAO Yong-Zhao

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 67th 2020年
炭化ケイ素ウエハの簡易な欠陥検出法の開発

姚永昭, 石川由加里, 菅原義弘, 斎藤広明, 旦野克典, 鈴木寛, 河合洋一郎

FC Report 31(1) 12-14 2013年招待有り筆頭著者
低損失・省エネパワーデバイス用SiC結晶欠陥検出技術の開発

姚永昭, 石川由加里, 菅原義弘, 佐藤功二, 旦野克典, 鈴木寛, 坂本秀光, 別所毅

金属 83(5) 425-432 2013年筆頭著者
炭化珪素における結晶欠陥検出技術の開発

姚永昭, 石川由加里, 菅原義弘, 佐藤功二, 旦野克典, 鈴木寛, 別所毅

Materials Integration 25(6) 16-20 2012年筆頭著者

主要な講演・口頭発表等

Lattice defects in wide bandgap semiconductor wafers - visualization, categorization, and structural analysis

Y. Yao

(INVITED TALK) NANOTS2025 (The 45th Annual NANO Testing Symposium), Osaka, Japan, Nov. 11-13, 2025 2025年11月13日招待有り
Nondestructive, real-time observation of lattice defects in power semiconductors using synchrotron radiation X-rays

Y. Yao, D. Katsube, H. Yamaguchi, Y. Sugawara, Y. Ishikawa, D. Wakimoto, H. Miyamoto, K. Sasaki, A. Kuramata

(INVITED TALK) IWNT2025 (International Workshop on Nanodevice Technologies 2025), Hiroshima, Japan, Oct. 30-31, 2025 2025年10月30日招待有り
Operando X-ray topographic observation of lattice defects in Ga₂O₃ Schottky barrier diodes using synchrotron radiation X-ray source

Y. Yao, D. Katsube, H. Yamaguchi, Y. Sugawara, Y. Ishikawa, D. Wakimoto, H. Miyamoto, K. Sasaki, A. Kuramata

HQSN2025 (International Conference on Hybrid Quantum Systems and Nanotechnologies 2025), Matsue, Japan, Oct. 26-29, 2025 2025年10月28日
反射/透過配置放射光XRTを用いたβ型Ga₂O₃基板とエピ層の転位解析

姚永昭, 勝部大樹, 山口博隆, 菅原義弘, 石川由加里, 佐々木公平, 倉又朗人

第86回応用物理学会秋季学術講演会 2025年9月10日
放射光X線トポグラフィーによる実動作中のβ-Ga₂O₃パワーデバイスにおける転位のオペランド観測技術

姚永昭, 勝部大樹, 山口博隆, 菅原義弘, 石川由加里, 脇本大樹, 宮本広信, 佐々木公平, 倉又朗人

【注目講演】第86回応用物理学会秋季学術講演会 2025年9月10日
放射光X線トポグラフィーによるパワー半導体単結晶の欠陥観察

姚永昭

(INVITED TALK) SPring-8秋の学校講師 2025年9月9日招待有り
放射光X線トポグラフィーによる酸化ガリウム結晶とパワーデバイスの格子欠陥評価

姚永昭

(INVITED TALK) 日本結晶成長学会第8回結晶成長基礎セミナー 2025年7月28日招待有り
パワー半導体β型酸化ガリウム結晶中の格子欠陥

姚永昭

(INVITED TALK) 第17回ナノ構造エピタキシャル成長講演会 2025年7月18日招待有り
β型酸化ガリウム中の転位の観察

姚永昭

(INVITED TALK) 応用物理学会先進パワー半導体分科会第29回研究会 2025年3月11日招待有り
ワイドギャップパワー半導体の格子欠陥可視化技術の開発

姚永昭

(INVITED TALK) 表面真空学会中部支部研究会 2024年11月16日招待有り
GaNとAlNの単結晶基板中の転位の評価技術

姚永昭

(INVITED TALK) GaNコンソーシアム 2024年度サマースクール 2024年10月3日招待有り
放射光X線トポグラフィーによるパワー半導体単結晶の欠陥観察

姚永昭

(INVITED TALK) SPring-8秋の学校講師 2024年9月4日招待有り
次世代パワー半導体の結晶欠陥評価技術の開発

姚永昭

(INVITED TALK) ブルカーワークショップ2024@名古屋 2024年7月17日招待有り
Visualization of structural defects in β-Ga₂O₃ using synchrotron X-ray techniques for power-device application

Yongzhao Yao, Kohei Sasaki, Daiki Wakimoto, Hironobu Miyamoto, Akito Kuramata, Yukari Ishikawa

(INVITED TALK) ISPlasma2024 (16th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials), Nagoya, Japan, Mar. 3-7, 2024 2024年3月4日招待有り
Structural defects in beta-Ga₂O₃ analyzed by X-ray topography and complementary techniques

姚永昭

(INVITED TALK) The 19th International Conference on Defects-Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors (DRIP XIX) 2022年8月31日招待有り
放射光X線トポグラフィー・エッチピット法によるβ-Ga₂O₃単結晶基板の評価

姚永昭

(INVITED TALK) 日本学術振興会「結晶加工と評価技術」第145委員会第173回研究会 2021年12月8日招待有り
Wide Bandgap Semiconductors towards High-Efficiency Power Conversion for a Carbon-Neutral Society

(INVITED TALK) Joint Workshop on Advanced Ceramic Materials, Beijing, China, Nov. 29, 2020 2020年11月29日招待有り
次世代パワー半導体材料β-Ga2O3の結晶欠陥評価

姚永昭

(INVITED TALK) 五セラミックス研究機関合同講演会 2019年10月18日招待有り
GaN結晶中の転位の評価

姚永昭

(INVITED TALK) パワーデバイス用シリコンおよび関連半導体材料に関する研究会 2018年12月18日招待有り
Revelation and classification of dislocations in GaN single crystal for power device application

姚永昭

(INVITED TALK) The 4th Intensive Discussion on Growth of Nitride Semiconductors (IDGN-4) 2018年11月20日招待有り
β-Ga₂O₃結晶中の転位の評価

姚永昭

(INVITED TALK) 日本学術振興会「結晶加工と評価技術」第145委員会第160回研究会 2018年10月19日招待有り
Characterization of EFG-grown β-Ga₂O₃ single crystal by using Synchrotron X-ray topography, X-ray diffraction and Raman

姚永昭, Y. Ishikawa, Y. Sugawara, Y. Takahashi, K. Hirano

(INVITED TALK) IWGO 2017 (2nd International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials), Parma, Italy, Sept. 12-15, 2017 2017年9月招待有り
エッチピット法、CLマッピング及びTEMによる自立HVPE-GaN基板の転位検出と分類

姚永昭

(INVITED TALK) 応用物理学会先進パワー半導体分科会第3回講演会 2016年11月9日招待有り
Dislocation Revelation from (000-1) Carbon-face of 4H-SiC by Using Vaporized KOH at High Temperature

Yongzhao Yao

(INVITED TALK) 応用物理学会第74回秋季学術講演会論文賞受賞記念講演 2013年9月17日招待有り