講演・口頭発表等

国際会議
2010年8月

Dislocation analysis in highly doped n-type 4H-SiC by using electron beam induced current and KOH+Na2O2 etching

8th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, Oslo, Norway, Aug. 29-Sept. 2, 2010 (Poster)
  • 姚永昭
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  • Y. Sugawara
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  • Y. Ishikawa
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  • H. Saitoh
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  • K. Danno
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  • H. Suzuki
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  • Y. Kawai
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  • N. Shibata
記述言語
英語
会議種別
開催地
Oslo, Norway
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