金山敏彦 (Toshihiko Kanayama) - マイポータル

基本情報

所属: 独立行政法人産業技術総合研究所 (特別顧問)

学位: 工学博士

J-GLOBAL ID: 200901040091752212
researchmap会員ID: 0000044018

外部リンク: http://www.aist.go.jp/RESEARCHERDB/cgi-bin/worker_detail.cgi?call=namae&rw_id=T28930003

研究分野

ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電気電子材料工学 /

経歴

1993年

-産業技術融合領域研究所
1993年

-National Institute for Advanced Interdisciplinary
1977年

-電子技術総合研究所
1977年

-Electrotechnical Laboratory
Research

学歴

論文

133

Amorphous Si-rich tungsten silicide with a low work function near the conduction band edge of Si

Naoya Okada, Noriyuki Uchida, Shinichi Ogawa, Toshihiko Kanayama

Applied Physics Express 13(6) 2020年6月1日
Stability and bonding nature for icosahedral or planar cluster of hydrogenated boron or aluminum

Hitoshi Yamamura, Yuji Ohishi, Yukari Katsura, Kaoru Kimura, Noriyuki Uchida, Toshihiko Kanayama

AIP Advances 9(11) 115117-115117 2019年11月1日
Cluster-Preforming-Deposited Si-rich W Silicide: A new contact material for advanced CMOS

Naoya Okada, Noriyuki Uchida, Shinichi Ogawa, Toshihiko Kanayama

ECS Transactions 89(3) 155-164 2019年
Gas-phase reactions of WF6 with SiH4 for deposition of WSin films free from powder formation

Naoya Okada, Noriyuki Uchida, Shinichi Ogawa, Toshihiko Kanayama

Japanese Journal of Applied Physics 58 2019年
Initial growth kinetics of positive and negative hydrogenated Si cluster ions under the presence of silane radicals

Toshihiko Kanayama, Noriyuki Kawashima, Noriyuki Uchida

Japanese Journal of Applied Physics 58(4) 2019年
Cu Barrier Properties of Cluster-Preforming-Deposited Amorphous WSin Films Depending on Composition n

Naoya Okada, Noriyuki Uchida, Shinichi Ogawa, Toshihiko Kanayama

2018 IEEE International Interconnect Technology Conference, IITC 2018 132-134 2018年8月8日
Thermal stability of amorphous Si-rich W silicide films composed of W-atom-encapsulated Si clusters

Naoya Okada, Noriyuki Uchida, Toshihiko Kanayama

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 121(22) 2017年6月査読有り
Cluster-Preforming-Deposited Amorphous WSin (n=12) Insertion Film of Low SBH and High Diffusion Barrier for Direct Cu Contact

Okada Naoya, Uchida Noriyuki, Ogawa Sinichi, Endo Kazuhiko, Kanayama Toshihiko, IEEE

2017 Ieee International Electron Devices Meeting (Iedm) 2017年査読有り
Si-rich W silicide films composed of W-atom-encapsulated Si clusters deposited using gas-phase reactions of WF6 with SiH4

Naoya Okada, Noriyuki Uchida, Toshihiko Kanayama

JOURNAL OF CHEMICAL PHYSICS 144(8) 2016年2月査読有り
Advanced Scanning Tunneling Microscopy for Nanoscale Analysis of Semiconductor Devices

Leonid Bolotov, Toshihiko Kanayama

Microscopy and Analysis 2016年査読有り
24pAC-2 水素化アルミ及びボロン正20面体及び平面クラスターに関する研究

山村仁, 山崎翔平, 大石佑治, 内田紀行, 木村薫, 金山敏彦

日本物理学会講演概要集 70 1927-1927 2015年
Electrical properties of amorphous and epitaxial Si-rich silicide films composed of W-atom-encapsulated Si clusters

Okada Naoya, Uchida Noriyuki, Kanayama Toshihiko

Journal of Applied Physics 117(9) 2015年査読有り
Fermi-level depinning and contact resistance reduction in metal/n-Ge junctions by insertion of W-encapsulating Si cluster films

Naoya Okada, Noriyuki Uchida, Toshihiko Kanayama

APPLIED PHYSICS LETTERS 104(6) 2014年2月査読有り
Three-dimensional simulation of scanning tunneling microscopy for semiconductor carrier and impurity profiling

Fukuda K, Nishizawa M, Tada T, Bolotov L, Suzuki K, Satoh S, Arimoto H, Kanayama T

Journal of Applied Physics 116(2) 2014年査読有り
Simulation of light-illuminated STM measurements

Fukuda K, Nishizawa M, Tada T, Bolotov L, Suzuki K, Sato S, Arimoto H, Kanayama T

International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices, SISPAD 129-132 2014年査読有り
Ultraviolet Raman spectra of single uncoated and SiO2-coated silicon-on-insulator nanowires: Phonon boundary scattering, wave-vector relaxation and stress

Vladimir Poborchii, Tetsuya Tada, Yukinori Morita, Toshihiko Kanayama

APPLIED PHYSICS LETTERS 103(15) 2013年10月査読有り
Built-in Potential Mapping of Silicon Field Effect Transistor Cross Sections by Multimode Scanning Probe Microscopy

Bolotov Leonid, Tada Tetsuya, Arimoto Hiroshi, Fukuda Koichi, Nishizawa Masayasu, Kanayama Toshihiko

Transactions of the Materials Research Society of Japan 38(2) 257-260 2013年
Nanoscale Characterization of Silicon-On-Insulator Nanowires by Multimode Scanning Probe Microscopy

Bolotov Leonid, Tada Tetsuya, Morita Yukinori, Poborchii Vladimir, Kanayama Toshihiko

Transactions of the Materials Research Society of Japan 38(2) 265-268 2013年
Synthesis of silicon and molybdenum-silicide nanocrystal composite films having low thermal conductivity

Ohishi Y, Kurosaki K, Suzuki T, Muta H, Yamanaka S, Uchida N, Tada T, Kanayama T

Thin Solid Films 534 238-241 2013年査読有り
Quantitative evaluation of dopant concentration in shallow silicon p-n junctions by tunneling current mapping with multimode scanning probe microscopy

Bolotov L, Fukuda K, Arimoto H, Tada T, Kanayama T

Japanese Journal of Applied Physics 52(4 PART 2) 04CA04-04CA04-4 2013年査読有り

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MISC

108

Ionization of decaborane with controlled hydrogen content by charge transfer from ambient gas

Yuji Ohishi, Yuji Ohishi, Kaoru Kimura, Masaaki Yamaguchi, Noriyuki Uchida, Toshihiko Kanayama

Materials Research Society Symposium Proceedings 1307 94-99 2011年12月1日
招待講演 STMによるキャリア分布測定のデバイスシミュレーション (シリコン材料・デバイス)

福田浩一, 西澤正泰, 多田哲也, BOLOTOV Leonid, 鈴木腕, 佐藤成生, 有本宏, 金山敏彦

電子情報通信学会技術研究報告 : 信学技報 111(281) 21-26 2011年11月10日
Synthesis and formation mechanism of hydrogenated boron clusters B12 H<inf>n</inf>with controlled hydrogen content

Yuji Ohishi, Yuji Ohishi, Kaoru Kimura, Masaaki Yamaguchi, Noriyuki Uchida, Toshihiko Kanayama

Journal of Chemical Physics 133 2010年8月21日査読有り
Energy barrier of structure transition from icosahedral B <inf>12</inf>H<inf>6</inf>⁺ to planar B<inf>12</inf>H <inf>5</inf>⁺ and B<inf>12</inf>H<inf>4</inf>⁺ clusters

Yuji Ohishi, Kaoru Kimura, Masaaki Yamaguchi, Noriyuki Uchida, Toshihiko Kanayama

Journal of Physics: Conference Series 176 012030-012030 2009年1月1日
走査型トンネル顕微鏡を用いた二次元不純物分布計測

金山敏彦, 西澤正泰, Bolotov Leonid

應用物理 77(9) 1103-1106 2008年9月10日
21aTA-1 遷移金属で安定化したグラフェンシート状単一シリコン原子層の構造モデル(21aTA 領域9,領域7合同グラフェン・グラファイトの形成と評価II,領域9(表面・界面,結晶成長))

宮崎剛英, 内田紀行, 金山敏彦

日本物理学会講演概要集 63(2) 805-805 2008年8月25日
Formation of hydrogenated boron clusters in an external quadrupole static attraction ion trap

Yuji Ohishi, Kaoru Kimura, Masaaki Yamaguchi, Noriyuki Uchida, Toshihiko Kanayama

Journal of Chemical Physics 128 2008年4月9日
Multipole ion trap as cluster-ion source

Noriyuki Uchida, Noriyuki Uchida, Yuji Ohishi, Tomonari Sho, Kaoru Kimura, Toshihiko Kanayama

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers 46(7) 4312-4317 2007年7月4日
Dopant-atom distribution measurement at p-n junctions on wet-prepared Si(111):H surfaces by scanning tunneling microscopy

NISHIZAWA Masayasu, BOLOTOV Leonid, KANAYAMA Toshihiko

Extended abstracts of the ... Conference on Solid State Devices and Materials 2006 346-347 2006年9月13日
Scanning tunneling microscopy detection of individual dopant atoms on wet-prepared Si(111): H surfaces

M Nishizawa, L Bolotov, T Tada, T Kanayama

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B 24(1) 365-369 2006年1月
Scanning resonant tunneling spectroscopy of fullerene molecules on Si surfaces for carrier density profiling across p-n junctions

L Bolotov, T Okui, T Kanayama

APPLIED PHYSICS LETTERS 87(13) 133107-133109 2005年9月
Impact of aggressively shallow source/drain extensions on device performance

K Kimoto, T Tada, T Kanayama

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS 44(7A) 4843-4847 2005年7月
Giant heating of Si nanoparticles by weak laser light: Optical microspectroscopic study and application to particle modification

Poborchii, V, T Tada, T Kanayama

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 97(10) 104323-1-104323-5 2005年5月
27pWN-7 多重極イオントラップ装置を用いたクラスター成長(イオン源,イオントラップ,新領域)

内田紀行, 金山敏彦, 正知晃, 三吉佑治, 木村薫

日本物理学会講演概要集 60(1) 120-120 2005年3月4日
Carborane superclusters formed by ion-molecule reactions in an ion trap

H Hiura, T Kanayama

JOURNAL OF MOLECULAR STRUCTURE 735 367-374 2005年2月
Scanning Tunneling Microscopy observation of individual boron dopant atoms beneath Si(001)-2 x 1 surfaces

M Nishizawa, L Bolotov, T Kanayama

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS 44(46-49) L1436-L1438 2005年
Subwavelength-resolution Raman microscopy of si structures using metal-particle-topped AFM probe

Poborchii, V, T Tada, T Kanayama

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS 44(1-7) L202-L204 2005年
A simulation study of charge transfer doping for ultra-shallow source/drain extensions

K Kimoto, T Kanayama

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY 114 367-371 2004年12月
Scanning tunneling spectroscopy of Si6H12 clusters deposited on Si(111)-(7x7) surfaces (vol 85, pg 462, 2000)

L Bolotov, N Uchida, T Kanayama

SURFACE SCIENCE 572(2-3) 521-521 2004年11月
Impact of Aggressively Shallow Source/Drain Extensions on the Device Performance

KIMOTO Kenji, TADA Tetsuya, KANAYAMA Toshihiko

Extended abstracts of the ... Conference on Solid State Devices and Materials 2004 418-419 2004年9月15日

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所属学協会

共同研究・競争的資金等の研究課題

極微細半導体プロセス技術

金山敏彦

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