2010年3月26日
Ge/GeO_2界面反応の理解に基づいたGeO_2膜物性の制御とGe-MOSFETの性能向上
電気学会研究会資料. EDD, 電子デバイス研究会
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- 巻
- 2010
- 号
- 36
- 開始ページ
- 7
- 終了ページ
- 12
- 記述言語
- 日本語
- 掲載種別
- リンク情報
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- CiNii Articles
- http://ci.nii.ac.jp/naid/10026366610
- CiNii Books
- http://ci.nii.ac.jp/ncid/AN1044178X
- ID情報
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- CiNii Articles ID : 10026366610
- CiNii Books ID : AN1044178X
- identifiers.cinii_nr_id : 9000004935985