HfO_2/SiO_2スタツク構造に対して、超高真空環境でC-AFM観察を行うことにより、正、負どちらのテイップバイアスに対しても再現性のある観察を行うことができた。これは、超高真空環境の導入、カンチレバー、試料の脱ガス処理による、試料、ティップ表面の清浄化が達成されたために、観察中の針先、表面の変質を回避できたためであると考えている。正、負どちらのティップバイアスにおいてもリークは局所的なリークスポットとして電流像に現れた。これらのリークスポットの面密度はバイアスの大きさに対して指数関数的に増加する。