中村健 (Ken Nakamura) - マイポータル

基本情報

所属: 芝浦工業大学 SIT総合研究所特任教授

ORCID iD: https://orcid.org/0000-0003-2688-576X
J-GLOBAL ID: 200901028674800045
researchmap会員ID: 5000086755

主要な研究分野

経歴

2025年4月 - 現在

芝浦工業大学, SIT総合研究所, 特任教授
2024年4月 - 2025年3月

産総研, 分析計測標準研究部門, キャリアエキスパート
2022年4月 - 2024年3月

産総研, 分析計測標準研究部門, 応用ナノ計測研究グループ長
2021年4月 - 2023年9月

産総研, TIA推進センター, 共用施設ステーション付（兼務） (先端ナノ計測施設（ANCF）リーダー)
2020年4月 - 2022年3月

産総研, 分析計測標準研究部門応用ナノ計測研究グループ, 上級主任研究員
2015年8月 - 2021年3月

産総研, TIA推進センター, 共用施設ステーション付（兼務） (先端ナノ計測施設（ANCF）担当)
2015年4月 - 2020年3月

産総研, 分析計測標準研究部門, ナノ分光計測研究グループ長
2016年5月 - 2018年3月

産総研, 分析計測標準研究部門, ナノ顕微計測研究グループ長（兼務）
2013年5月 - 2015年3月

産総研, 計測フロンティア研究部門, ナノ顕微分光グループ長
2010年10月 - 2013年4月

産総研, 計測フロンティア研究部門, 活性種計測技術研究グループ長
2005年4月 - 2006年3月

産総研, 企画本部, 企画主幹
2001年4月

産業技術総合研究所（産総研）
1990年4月 - 2001年3月

電子技術総合研究所（電総研）

学歴

1988年4月 - 1990年3月

東京大学, 大学院理学系研究科, 化学専攻修士課程
1986年4月 - 1988年3月

東京大学, 理学部, 化学科
1983年4月 - 1986年3月

東京大学, 教養学部, 理科II類

委員歴

2018年5月 - 現在

次世代センサ協議会技術委員会, 委員（副委員長 2023年～）・材料WG 主査
2018年5月 - 現在

日本表面真空学会, 協議員
2014年4月 - 現在

国立研究開発法人新エネルギー・産業技術総合開発機構 (NEDO), 事前書面審査員（ピアレビュア）
2016年7月 - 2019年7月

International Union for Vacuum Science, Technique and Applications (IUVSTA), Surface Engineering Division,, Representative
2015年3月 - 2018年3月

日本真空学会, 理事
2016年4月 - 2017年12月

第58回真空に関する連合講演会実行委員長, （2017年真空・表面科学合同講演会委員会合同副委員長）
2015年4月 - 2017年3月

日本真空学会, 講演・研究会企画委員会委員長
2014年11月 - 2015年12月

第56回真空に関する連合講演会プログラム委員長, （2015年真空・表面科学合同講演会合同プログラム委員長）

受賞

2003年2月

第13回つくば奨励賞（実用化部門）, 茨城県科学技術振興財団

中村健
2000年7月

業務表彰業績賞, 工業技術院電子技術総合研究所

中村健
1997年7月

第2回(1997年春季)応用物理学会講演奨励賞, 応用物理学会

中村健

主要な論文

Formation of OH species from ethylene and highly concentrated ozone gases

Toshinori Miura, Naoto Kameda, Mitsuru Kekura, Hidehiko Nonaka, Ken Nakamura

Jpn. J. Appl. Phys. 64(3) 036003-(10 pages) 2025年3月28日査読有り責任著者
Photoelectron detection from transient species in organic semiconducting thin films by dual laser pulse irradiation

Takuya Hosokai, Hiroyuki Matsuzaki, Akihiro Furube, Ken Nakamura

Appl. Phys. Express 10(2) 022401 2017年2月査読有り
Silicon oxidation by ozone (Topical review)

Christian K. Fink, Ken Nakamura, Shingo Ichimura, Stephen J. Jenkins

J. Phys. Condens. Matter 21(18) 183001-(19 pages) 2009年5月査読有り招待有り

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MISC

高純度オゾンガスとエチレンガス由来の活性種を用いた新たな低温成膜法

亀田直人, 三浦敏徳, 森川良樹, 花倉満, 中村健, 野中秀彦

表面と真空 62(7) 433-438 2019年査読有り
半導体プロセス技術のイノベーション高品位シリコン酸化膜のオゾンによる低温作製技術

一村信吾, 野中秀彦, 黒河明, 中村健

電子材料 42(5) 36-41 2003年5月1日
高濃度オゾンで形成した極薄シリコン酸化膜の界面構造

黒河明, 一村信吾, 中村健

電子技術総合研究所彙報 63(12) 501-507 1999年12月
高濃度オゾンガスを用いた極薄シリコン酸化膜形成

一村信吾, 黒河明, 中村健, 井藤浩志

応用物理学会薄膜･表面物理分科会 NEWSLETTER 106 8-13 1999年査読有り
Application of high purity ozone beam in the formation and characterization of SiO2 and other oxide thin films

S. Ichimura, H. Nonaka, A. Kurokawa, K. Nakamura

Vide: Science, Technique et Applications 100-109 1998年12月1日
高純度オゾンビームを利用したシリコン酸化膜形成と表面クリーニング

一村信吾, 黒河明, 中村健, 野中秀彦

応用物理 67(6) 673-677 1998年6月10日査読有り招待有り
純オゾンビームの発生とシリコン極薄酸化膜作製への応用

一村信吾, 野中秀彦, 黒河明, 中村健

表面科学 18(12) 766-774 1997年12月査読有り招待有り
高純度オゾンによるシリコン酸化膜の作製と評価

一村信吾, 中村健, 黒河明, 野中秀彦, 村上寛

電子情報通信学会技術研究報告 97(220(CPM97 52-60)) 13-18 1997年8月4日
非線形光学効果と表面/界面物性 (表面エレクトロニクスに関する調査報告) -- (表面物性と電子状態)

中村健, 一村信吾

電子技術総合研究所調査報告 (226) 55-62 1996年3月
2 次非線形光学効果を用いた固体表面評価技術（フェムト秒テクノロジーに関する調査報告）

中村健

電子技術総合研究所調査報告 225 53-56 1994年筆頭著者

書籍等出版物

計量標準120 周年記念誌

中村健 (担当:分担執筆, 範囲:pp. 118-121 （2-2-4-5 ナノ計測技術）)

国立研究開発法人産業技術総合研究所 2023年12月査読有り
最新実用真空技術総覧

最新実用真空技術総覧, 編集委員会, 編 (担当:共編者(共編著者), 範囲:第1部第7編「環境・安全・衛生対策と保守」, 第2部第7編「真空が牽引する次世代先端科学技術」, 同第8編「環境・安全・衛生対策と法規」及び担当:分担執筆, 範囲:pp.383-385, など.)

（株）エヌ・ティー・エス 2019年2月 (ISBN: 9784860435592) 査読有り
調査報告書ー日本分析機器産業の競争力強化について

産総研ナノインテリジェント計測調査委員会, 編 (担当:共編者(共編著者), 範囲:第4章「分析機器及び分析技術に対する民間企業調査」4.1「調査の背景と目的」及び4.2「書面調査の集計結果」, 付録「書面調査票」の分担執筆, など.)

（独）産業技術総合研究所 2011年10月

講演・口頭発表等

芝浦工業大学における共通機器・ものづくりセンターの運営と将来展望

関宏範, 土戸優志, 賀来渉, 吉田太光, 芝塚紗和子, 中村健, 西川宏之

RA協議会第11回年次大会 2025年10月21日
Trench Coverage Properties of Oxide Films Deposited at Low Temperature by Pure Ozone ALD

N. Kameda, T. Hagiwara, Soichiro Motoda, K. Nakamura, H. Nonaka

AVS 23rd International Conference on Atomic Layer Deposition (ALD 2023) / 10th International Atomic Layer Etching Workshop (ALE 2023) 2023年7月24日 American Vacuum Society (AVS)
Atomic Layer Deposition (ALD) in a Vacuum with Activated Species from Ozone for Oxide Film Synthesis

Naoto Kameda, Soichiro Motoda, Takayuki Hagiwara, Ken Nakamura, Hidehiko Nonaka

22nd International Vacuum Congress (IVC-22) 2022年9月12日日本表面真空学会国際真空科学技術応用連合（IUVSTA)
Room Temperature ALD using High-Purity Ozone Gas

Naoto Kameda, T. Hagiwara, A. Abe, T. Miura, Y. Morikawa, M. Kekura, K. Nakamura, H. Nonaka

AVS 20th International Conference on Atomic Layer Deposition (ALD 2020) / 7th International Atomic Layer Etching Workshop (ALE 2020) 2020年6月29日 American Vacuum Society (AVS)
Silicon Oxidation by Ozone: Its Reaction with a Precursor Molecule during Overall Process

NAKAMURA Ken, KAMEDA Naoto, MIURA Toshinori, NONAKA Hidehiko, KEKURA Mitsuru

3rd International Conference on Emerging Advanced Nanomaterials (ICEAN 2018) 2018年10月31日 University of Newcastle 招待有り