2011年
Mechanism of annealing of VO defects in n-Si under pulse electron irradiation at high-temperatures
Ukrainian Journal of Physics
- ,
- ,
- ,
- ,
- ,
- ,
- ,
- ,
- 巻
- 56
- 号
- 9
- 記述言語
- 掲載種別
- 研究論文(学術雑誌)
- ID情報
-
- ORCIDのPut Code : 51027339
- SCOPUS ID : 80053336560