論文

2024年9月

Kinetics of Carrier Lifetime Degradation in High‐Temperature 1 MeV Electron‐Irradiated Cz n‐Si Associated with the Formation of Divacancy‐Oxygen Defects

physica status solidi (a)

Mykola Kras'ko
Andrii Kolosiuk
Vasyl Povarchuk
Vasyl Voitovych

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掲載種別: 研究論文（学術雑誌）
DOI: 10.1002/pssa.202400300

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DOI: https://doi.org/10.1002/pssa.202400300

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DOI : 10.1002/pssa.202400300
ORCIDのPut Code : 162762074

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