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2017年3月

セシウムスパッターイオン源を利用した電子付着によるC$_{60}$負イオン生成技術の開発

JAEA-Technology 2016-034
  • 薄井 絢
  • ,
  • 千葉 敦也
  • ,
  • 山田 圭介

開始ページ
21
終了ページ
記述言語
日本語
掲載種別
機関テクニカルレポート,技術報告書,プレプリント等
DOI
10.11484/jaea-technology-2016-034

高崎量子応用研究所では、タンデム加速器を用いた高速(MeV級)クラスターイオンの照射効果に関する研究を加速するために、クラスターイオンの中でも特に大きな照射効果を持つC$_{60}$イオンビームの高強度化に取り組んだ。既存のセシウムスパッター型負イオン源(SNICS,米国National Electrostatics Corp.製)を利用し、従来のスパッター方式に変わる新たな負イオン生成法として電子付着による負イオン化機構をこれに組み込んだ。その結果、従来の1,000倍の強度のC$_{60}$負イオンを12時間安定に生成することに成功した。本報告書では、従来の生成方法の課題を示し、SNICSの簡便な改造でそれを解決する電子付着方式について詳説する。

リンク情報
DOI
https://doi.org/10.11484/jaea-technology-2016-034
URL
https://jopss.jaea.go.jp/search/servlet/search?5055594
ID情報
  • DOI : 10.11484/jaea-technology-2016-034

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