三上杏太 (Kyota Mikami) - マイポータル

基本情報

所属: 京都大学大学院工学研究科電子工学専攻助教

学位: 博士（工学）(2025年3月京都大学)

研究者番号: 61019402
ORCID iD: https://orcid.org/0000-0002-1922-6064
J-GLOBAL ID: 202401019373206588
researchmap会員ID: R000071638

研究キーワード

研究分野

ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電気電子材料工学 /

経歴

2025年4月 - 現在

京都大学大学院, 助教
2023年4月 - 2025年3月

京都大学, 大学院工学研究科, 日本学術振興会特別研究員（DC1）

学歴

2023年4月 - 2025年3月

京都大学, 大学院工学研究科, 電子工学専攻 (博士課程)
2021年4月 - 2023年3月

京都大学, 大学院工学研究科, 電子工学専攻 (修士課程)
2018年4月 - 2021年3月

京都大学, 工学部, 電気電子工学科

受賞

論文

Influence of donor impurities and crystal faces on doping-dependent fixed charges in SiC/SiO ₂ structure

Kyota Mikami, Mitsuaki Kaneko, Tsunenobu Kimoto

Japanese Journal of Applied Physics 65(5) 050907-050907 2026年3月12日査読有り筆頭著者責任著者
Mechanism of doping-dependent fixed charges in SiC/SiO2 structure: Defect formation related to the Fermi level during final annealing

Kyota Mikami, Mitsuaki Kaneko, Tsunenobu Kimoto

Journal of Applied Physics 138(22) 2025年12月8日査読有り筆頭著者責任著者
Modeling of SiC(0001) n-Channel MOSFETs Based on Comprehensive Understanding of Electron Scattering Mechanism

Xilun Chi, Koji Ito, Takeru Suto, Akio Shima, Kyota Mikami, Mitsuaki Kaneko, Tsunenobu Kimoto

IEEE Transactions on Electron Devices 72(12) 6494-6502 2025年12月査読有り
Small surface potential fluctuation near the valence band edge at nitrided 4H-SiC(0001)/SiO2 interfaces

Kyota Mikami, Mitsuaki Kaneko, Tsunenobu Kimoto

Applied Physics Letters 126(22) 2025年6月2日査読有り筆頭著者責任著者
Fundamentals and Future Challenges of SiC Power Devices

T. Kimoto, R. Ishikawa, K. Tachiki, X. Chi, K. Mikami, M. Kaneko

2025 9th IEEE Electron Devices Technology &amp; Manufacturing Conference (EDTM) 1-3 2025年3月9日招待有り
Doping-dependent fixed charges in SiC/SiO₂ structure

Kyota Mikami, Mitsuaki Kaneko, Tsunenobu Kimoto

Applied Physics Express 18(3) 034002-034002 2025年3月1日査読有り筆頭著者責任著者
An Overview of SiC High-Voltage Power Devices and High-Temperature ICs

T. Kimoto, M. Kaneko, K. Tachiki, K. Ito, K. Mikami, H. Fujii, A. Inoue, N. Maeda

2024 IEEE BiCMOS and Compound Semiconductor Integrated Circuits and Technology Symposium (BCICTS) 88-94 2024年10月27日
High-Mobility 4H-SiC p-Channel MOSFETs on Nonpolar Faces

Kyota Mikami, Mitsuaki Kaneko, Tsunenobu Kimoto

IEEE Electron Device Letters 45(7) 1113-1116 2024年7月査読有り筆頭著者責任著者
Insight Into Mobility Improvement by the Oxidation-Minimizing Process in SiC MOSFETs

Kyota Mikami, Keita Tachiki, Mitsuaki Kaneko, Tsunenobu Kimoto

IEEE Transactions on Electron Devices 2024年1月査読有り筆頭著者責任著者
Different temperature dependence of mobility in n- and p-channel 4H-SiC MOSFETs

Xilun Chi, Keita Tachiki, Kyota Mikami, Mitsuaki Kaneko, Tsunenobu Kimoto

Japanese Journal of Applied Physics 62(11) 110906-110906 2023年11月1日査読有り
Mobility enhancement in heavily doped 4H-SiC (0001), (112̄0), and (11̄00) MOSFETs via an oxidation-minimizing process

Keita Tachiki, Kyota Mikami, Koji Ito, Mitsuaki Kaneko, Tsunenobu Kimoto

Applied Physics Express 15(7) 071001-071001 2022年7月1日査読有り
Body doping dependence of field-effect mobility in both n- and p-channel 4H-SiC metal-oxide-semiconductor field-effect transistors with nitrided gate oxides

Kyota Mikami, Keita Tachiki, Koji Ito, Tsunenobu Kimoto

Applied Physics Express 15(3) 036503-036503 2022年3月1日査読有り筆頭著者責任著者

講演・口頭発表等

バナジウムドープ半絶縁性SiC基板へのAlイオン注入によるp型層の形成

金子光顕, 足立博哉, 三上杏太, 木本恒暢

応用物理学会先進パワー半導体分科会第12回講演会 2025年11月20日
プラズマ窒化がSiC表面に与える影響

三浦大輝, 三上杏太, 金子光顕, 木本恒暢

応用物理学会先進パワー半導体分科会第12回講演会 2025年11月20日
窒化SiC/SiO2界面における価電子帯端近傍の小さな表面ポテンシャルゆらぎ

三上杏太, 金子光顕, 木本恒暢

応用物理学会先進パワー半導体分科会第12回講演会 2025年11月20日
SiC pチャネルMOSFETおよびCMOS素子に与えるカウンタードープの効果

伊東遼馬, 井上瑛, 三上杏太, 金子光顕, 木本恒暢

応用物理学会先進パワー半導体分科会第12回講演会 2025年11月20日招待有り
厳環境で動作可能なSiC相補型JFET集積回路の性能向上に向けた基礎研究

金子光顕, 三上杏太, 木本恒暢

応用物理学会先進パワー半導体分科会第12回講演会 2025年11月20日招待有り
同一窒化処理条件による伝導帯端・価電子帯端近傍のSiC/SiO2界面準位低減

平岩修弥, 三上杏太, 木本恒暢, 金子光顕

応用物理学会先進パワー半導体分科会第12回講演会 2025年11月19日
ベイズ推定に基づく過渡容量解析による電子線照射SiC中のエネルギー的に近接した欠陥準位の評価

山中孝太郎, 三上杏太, 木本恒暢, 金子光顕

応用物理学会先進パワー半導体分科会第12回講演会 2025年11月19日
4H-SiC フィンFETにおける高移動度の原因解明に向けたキャリア散乱機構の理論的解析

利光汐音, 三上杏太, 金子光顕, 木本恒暢

応用物理学会先進パワー半導体分科会第12回講演会 2025年11月19日
Insight into mobility improvementy by the oxidation-minimizing process

三上杏太, 立木馨大, 金子光顕, 木本恒暢

第25回関西コロキアム電子デバイスワークショップ 2025年10月3日招待有り
Impacts on plasma nitridation on SiC surface

Daiki Miura, Kyota Mikami, Mitsuaki Kaneko, Tsunenobu Kimoto

International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2025 2025年9月19日
Physical Origin of Crystal Face-Dependent Electron Mobility in 4H-SiC (0001) and (11-20) MOSFETs

Xilun Chi, Koji Ito, Kyota Mikami, Mitsuaki Kaneko, Tsunenobu Kimoto

International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2025 2025年9月19日
Extremely uniform surface potential near the valence band edge at nitrided 4H-SiC/SiO2 interface

Kyota Mikami, Mitsuaki Kaneko, Tsunenobu Kimoto

International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2025 2025年9月19日
Temperature dependence of high-field electron and hole drift velocities in 4H-SiC

Daichi Fujioka, Ryoya Ishikawa, Kyota Mikami, Mitsuaki Kaneko, Tsunenobu Kimoto

International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2025 2025年9月18日
Detection of energetically close deep levels in electron-irradiated 4H-SiC by capacitance transient analysis based on Bayesian inference

Kotaro Yamanaka, Kyota Mikami, Tsunenobu Kimoto, Mitsuaki Kaneko

International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2025 2025年9月18日
Dopant activation and compensation in p-type 4H-SiC formed by Al+ implantation into V-doped semi-insulating substrates

Hiroya Adachi, Kyota Mikami, Tsunenobu Kimoto, Mitsuaki Kaneko

International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2025 2025年9月17日
Interface NIR SPS: Newly observed single photon sources in SiC

Mitsuaki Kaneko, Naoya Morioka, Hideaki Takashima, Konosuke Shimazaki, Kyota Mikami, Shigeki Takeuchi, Norikazu Mizuochi, Tsunenobu Kimoto

International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2025 2025年9月17日
Origin of high mobility in 4H-SiC FinFETs through theoretical analysis of electron scattering mechanism

Shion Toshimitsu, Kyota Mikami, Mitsuaki Kaneko, Tsunenobu Kimoto

International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2025 2025年9月16日
電子線照射 SiC における近接したエネルギーを有する Si 関連欠陥準位の検出

山中孝太郎, 三上杏太, 木本恒暢, 金子光顕

第86回応用物理学会秋季学術講演会 2025年9月10日
4H-SiC における電子および正孔の高電界ドリフト速度の温度依存性

藤岡大智, 石川諒弥, 三上杏太, 金子光顕, 木本恒暢

第86回応用物理学会秋季学術講演会 2025年9月10日
反応性 RF スパッタリングによる SiC 基板上への格子整合 AlBN 強誘電体高品質膜の成長

白石健, 三上杏太, 木本恒暢, 金子光顕

第86回応用物理学会秋季学術講演会 2025年9月9日