吉本昌広 (Masahiro Yoshimoto) - マイポータル

基本情報

所属: 京都工芸繊維大学法人本部学長

学位: 工学博士(京都大学)

J-GLOBAL ID: 200901089568377280
researchmap会員ID: 1000236014

外部リンク: http://www.cis.kit.ac.jp/~yoshimot/index.php

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研究分野

経歴

2024年4月 - 現在

京都工芸繊維大学, 学長
2018年4月 - 2024年3月

京都工芸繊維大学, 理事
2015年4月 - 2024年3月

京都工芸繊維大学, 副学長
2007年4月 - 2018年3月

京都工芸繊維大学, 電子システム工学部門, 教授
2004年4月 - 2007年3月

京都工芸繊維大学, 地域共同研究センター, 教授
1997年3月 - 2004年3月

京都工芸繊維大学, 電子情報工学科, 助教授
1995年10月 - 1997年2月

京都大学, 工学研究科電子物性工学専攻, 講師
1988年4月 - 1995年9月

京都大学, 工学部電気電子第二工学科, 助手
1994年9月 - 1995年7月

米国カリフォルニア大学サンタバーバラ校客員研究員, Materials Department, 客員研究員

学歴

1983年4月 - 1988年3月

京都大学, 工学研究科, 電気工学第二専攻
1979年4月 - 1983年3月

京都大学, 工学部, 電子工学科

受賞

2016年

第10回（2016）フェロー表彰, ビスマス系半金属半導体の高品質単結晶成長とバンド構造制御, 応用物理学会

吉本昌広
2014年

科学研究費助成事業平成26年度審査委員表彰, 日本学術振興会

吉本昌広

論文

166

Enhancing growth rate in homoepitaxial growth of β-Ga<inf>2</inf>O<inf>3</inf> with flat surface via hydrochloric acid addition in mist CVD

Ryo Ueda, Hiroyuki Nishinaka, Hiroki Miyake, Masahiro Yoshimoto

AIP Advances 14(8) 2024年8月1日査読有り
The deposition and the optical characteristics of Cu-based metal halide Cs<inf>3</inf>Cu<inf>2</inf>I<inf>5</inf> thin film via mist deposition

Keisuke Watanabe, Hiroyuki Nishinaka, Yuuya Nishioka, Kousuke Imai, Kazutaka Kanegae, Masahiro Yoshimoto

Japanese Journal of Applied Physics 63(5) 2024年5月1日査読有り
Nitrogen Doping in VO<inf>2</inf> Thin Films on Synthetic Mica Substrates Through Mist Chemical Vapor Deposition: Lowering the Metal–Insulator Transition Temperature Toward Smart Windows

Taisei Kano, Hiroyuki Nishinaka, Yuta Arata, Masahiro Yoshimoto

Advanced Materials Interfaces 2024年4月査読有り
Crystallographic and band structure analysis of β-(Al<inf>x</inf>Ga<inf>1−x</inf>)<inf>2</inf>O<inf>3</inf>/β-(In<inf>y</inf>Ga<inf>1−y</inf>)<inf>2</inf>O<inf>3</inf> thin film grown on β-Ga<inf>2</inf>O<inf>3</inf> substrate via mist CVD

Masahiro Kaneko, Hiroyuki Nishinaka, Masahiro Yoshimoto

AIP Advances 14(4) 2024年4月1日査読有り
Heteroepitaxial growth of a-, m-, and r-plane α-Ga<inf>2</inf>O<inf>3</inf> thin films on rh-ITO electrodes for vertical device applications

Kazuki Shimazoe, Hiroyuki Nishinaka, Masahiro Yoshimoto

Journal of Crystal Growth 630 2024年3月15日査読有り
Visible-light absorption of indium oxide thin films via Bi³⁺ doping for visible-light-responsive photocatalysis

Yoko Taniguchi, Hiroyuki Nishinaka, Kazuki Shimazoe, Toshiyuki Kawaharamura, Kazutaka Kanegae, Masahiro Yoshimoto

Materials Chemistry and Physics 315 2024年3月1日査読有り
Demonstration of vertical schottky barrier diodes based on α-Ga<inf>2</inf>O<inf>3</inf> thin films enabled by corundum structured rh-ITO bottom electrodes

Kazuki Shimazoe, Hiroyuki Nishinaka, Masahiro Yoshimoto

MRS Advances 2024年2月査読有り
High conductivity of n-type β-Ga<inf>2</inf>O<inf>3</inf>(010) thin films achieved through Si doping by mist chemical vapor deposition

Shoma Hosaka, Hiroyuki Nishinaka, Temma Ogawa, Hiroki Miyake, Masahiro Yoshimoto

AIP Advances 14(1) 2024年1月1日査読有り
TEM characterization of defects in κ-(In<inf>x </inf>Ga<inf>1−x </inf>)<inf>2</inf>O<inf>3</inf> thin film grown on (001) FZ-grown ϵ-GaFeO<inf>3</inf> substrate by mist CVD

Osamu Ueda, Hiroyuki Nishinaka, Noriaki Ikenaga, Noriyuki Hasuike, Masahiro Yoshimoto

Japanese Journal of Applied Physics 62(12) 2023年12月1日査読有り
Epitaxial growth of δ‐Ga₂O₃ thin films grown on YSZ and sapphire substrates using β‐Fe₂O₃ buffer layers via mist CVD

T. Kato, H. Nishinaka, K. Shimazoe, M. Yoshimoto

physica status solidi (a) 2023年10月8日査読有り
Raman scattering study of photoexcited plasma in GaAsBi/GaAs heterostructures: Influence of carrier confinement on photoluminescence

Sho Hasegawa, Noriyuki Hasuike, Kazutaka Kanegae, Hiroyuki Nishinaka, Masahiro Yoshimoto

Materials Science in Semiconductor Processing 162 107543-107543 2023年8月査読有り責任著者
Vertical self-powered ultraviolet photodetector using α-Ga2O3 thin films on corundum structured rh-ITO electrodes

Kazuki Shimazoe, Hiroyuki Nishinaka, Yoko Taniguchi, Takahiro Kato, Kazutaka Kanegae, Masahiro Yoshimoto

Materials Letters 341 134282-134282 2023年6月査読有り
Coherent growth of β-(Al<inf>x </inf>Ga<inf>1−x</inf>)<inf>2</inf>O<inf>3</inf> alloy thin films on (010) β-Ga<inf>2</inf>O<inf>3</inf> substrates using mist CVD

Masahiro Kaneko, Hiroyuki Nishinaka, Kazutaka Kanegae, Masahiro Yoshimoto

Japanese Journal of Applied Physics 62 2023年6月1日査読有り
Bismuth induced enhancement of Rashba spin–orbit interaction in GaAsBi/GaAs heterostructures

Yoji Kunihashi, Yasushi Shinohara, Sho Hasegawa, Hiroyuki Nishinaka, Masahiro Yoshimoto, Katsuya Oguri, Hideki Gotoh, Makoto Kohda, Junsaku Nitta, Haruki Sanada

Applied Physics Letters 122(18) 2023年5月1日査読有り
Homoepitaxial growth of Ge doped β-gallium oxide thin films by mist chemical vapor deposition

Temma Ogawa, Hiroyuki Nishinaka, Kazuki Shimazoe, Tatsuji Nagaoka, Hiroki Miyake, Kazutaka Kanegae, Masahiro Yoshimoto

Japanese Journal of Applied Physics 62(SF) SF1016-SF1016 2023年4月3日査読有り
Demonstration of Bixbyite-Structured δ-Ga₂O₃ Thin Films Using β-Fe₂O₃ Buffer Layers by Mist Chemical Vapor Deposition

Takahiro Kato, Hiroyuki Nishinaka, Kazuki Shimazoe, Kazutaka Kanegae, Masahiro Yoshimoto

ACS Applied Electronic Materials 5(3) 1715-1720 2023年3月8日査読有り
Modulation of optical properties in epitaxial ZnO thin films on synthetic mica by incorporating Mg and bending stress

Yuta Arata, Hiroyuki Nishinaka, Kazutaka Kanegae, Minoru Takeda, Masahiro Yoshimoto

MRS Advances 2023年3月2日査読有り
Mist-CVD-derived Hf<inf>0.55</inf>Zr<inf>0.45</inf>O<inf>2</inf>ferroelectric thin films post-annealed by rapid thermal annealing

Sho Tanaka, Yuki Fujiwara, Hiroyuki Nishinaka, Masahiro Yoshimoto, Minoru Noda

AIP Advances 13(1) 2023年1月1日査読有り
Raman scattering study on dilute nitride-bismide GaNAsBi alloys: behavior of photo-excited LO phonon-plasmon coupled mode

Sho Hasegawa, Noriyuki Hasuike, Kazutaka Kanegae, Hiroyuki Nishinaka, Masahiro Yoshimoto

Japanese Journal of Applied Physics 62(1) 2023年1月1日査読有り
Corundum-structured α-Fe2O3 substrates for α-Ga2O3 epitaxial growth

Hiroyuki Nishinaka, Kazuki Shimazoe, Kazutaka Kanegae, Masahiro Yoshimoto

Materials Letters 133784-133784 2022年12月査読有り

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MISC

Corrigendum: “Development of Photoluminescence Microscope with Sub-Micron Resolution at Low Temperature and Its Application to Detection of Defects in Wide-Gap Semiconductors”

Masahiro YOSHIMOTO

Journal of the Society of Materials Science, Japan 73(12) 964-964 2024年12月15日
Correction: Bismuth Containing III–V Quaternary Alloy InGaAsBi Grown by MBE

Gan Feng, Kunishige Oe, Masahiro Yoshimoto

physica status solidi (a) 2024年6月
Corrigendum: “Influence of thermal annealing treatment on the luminescence properties of dilute GaNAs–bismide alloy” [Jpn. J. Appl. Phys. 46, L764 (2007)]

Gan Feng, Kunishige Oe, Masahiro Yoshimoto

Japanese Journal of Applied Physics 2023年7月1日
ε-GaFeO₃基板を用いた単一ドメインκ-Ga₂O₃の成長

西中浩之, 上田修, 迫秀樹, 池永訓昭, 宮戸祐治, 蓮池紀幸, 鐘ケ江一孝, 吉本昌広

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 83rd 2022年
分子線エピタキシー法によるGaAs_<1-x>Bi_x/GaAs多重量子井戸構造の製作

木下雄介, 富永依里子, 尾江邦重, 吉本昌広

電子情報通信学会技術研究報告. PN, フォトニックネットワーク 107(464) 107-110 2008年1月21日
UV-VIS Raman Characterization of High Dose Ultra Shallow Implanted Silicon before and after Excessive Annealing

SASAKI T., MINAMI H., KISODA K., YOO W. S., YOSHIMOTO M., HARIMA H.

Extended abstracts of the ... Conference on Solid State Devices and Materials 2007 360-361 2007年9月19日
急速熱処理した極浅イオン注入シリコンウエハの紫外ラマン分光による非破壊結晶性評価

吉本昌広, 西垣宏, 播磨弘, 一色俊之, KANG Kitaek, YOO Woo Sik

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 106(417) 25-30 2006年12月7日
有機液体原料を用いたリモートプラズマCVD法による低炭素濃度シリコン窒化膜の堆積

田口貢士, 吉本昌広, 更家淳司

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 102(540) 29-32 2002年12月13日
RF-MBE法によるInN/Siヘテロ接合の作製とバンドオフセットの測定

山下孝, 鈴木幸司, 中野隆生, 吉本昌広, 更家淳司

電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス 100(370) 31-36 2000年10月13日
極低温走査型光学顕微鏡によるワイドギャップ半導体のディープサブミクロンホトルミネセンス像

吉本昌広, 更家淳司

電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス 100(149) 55-60 2000年6月23日
サブミクロン分解能を持つ極低温顕微ホトルミネセンス測定装置

吉本昌広, 後藤基貴, 更家淳司

電子情報通信学会技術研究報告. CPM, 電子部品・材料 99(378) 7-12 1999年10月21日
MOMBE法を用いたSi上GaAsPの結晶成長

渡部康弘, 安井俊之, 吉本昌広, 松波弘之

電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス 96(292) 7-14 1996年10月11日

書籍等出版物

Molecular Beam Epitaxy: Materials and Applications for Electronics and Optoelectronics

吉本昌広 (担当:分担執筆, 範囲:Chapter 23: Applications of Bismuth-Containing III–V Semiconductors in Devices)

Wiley 2019年4月 (ISBN: 9781119355014)
Molecular Beam Epitaxy 2nd Edition

吉本昌広 (担当:分担執筆, 範囲:Chapter 10, Molecular beam epitaxy of GaAsBi and related quaternary alloys)

Elsevier 2018年6月 (ISBN: 9780128121368)
日本復活の鍵起業工学

古池進, 西本清一, Carlos Aranjo, Nakamura Shuji, 河田聡, 吉本昌広, 加納剛太, 映像情報メディア学会

富山房インターナショナル 2016年 (ISBN: 9784866000084)
Molecular beam epitaxy : from research to mass production

Henini Mohamed (担当:分担執筆, 範囲:第８章、Molecular beam epitaxy of GaAsBi and related quaternary alloys)

Elsevier 2013年 (ISBN: 9780123878397)
Bismuth-containing compounds

Li Handong, Wang Zhiming M (担当:分担執筆, 範囲:Pages 201-224, Localized States in GaAsBi and GaAs/GaAsBi Heterostructures)

Springer 2013年 (ISBN: 9781461481201)
半導体デバイス (series電気・電子・情報系)

松波弘之, 吉本昌広 (担当:共著)

共立出版 2000年4月 (ISBN: 4320085825)
光励起プロセスの基礎 : プロセスの低温・無損傷化を実現

高橋清, 松波弘之, 村田好正, 英貢, 西澤潤一 (担当:分担執筆, 範囲:第７章光励起プロセスを用いた新しい製膜プロセス)

工業調査会 1994年 (ISBN: 4769311222)

講演・口頭発表等

Microstructures of ϵ-Ga<inf>2</inf>O<inf>3</inf> thin film on (100) TiO<inf>2</inf> substrate by mist chemical vapor deposition

Daisuke Tahara, Hiroyuki Nishinaka, Yuta Arata, Kazuki Shimazoe, Masahiro Yoshimoto

IMFEDK 2019 - International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai 2019年11月
ミストCVD法によるn⁺-Si(100)基板上への強誘電体HfO₂薄膜の作製とその電気的特性

田原大祐, 西中浩之, 野田実, 佐藤翔太, 川原村敏幸, 吉本昌広

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2019年
Heteroepitaxial growth of ϵ-Ga<inf>2</inf>O<inf>3</inf>thin films on cubic (111) GGG substrates by mist chemical vapor deposition

Daisuke Tahara, Hiroyuki Nishinaka, Shota Morimoto, Mashahiro Yoshimoto

IMFEDK 2017 - 2017 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai 2017年7月31日
発振波長の低い温度依存性を有するGaAsBiレーザダイオードの実現 (機構デバイス)

冬木琢真, 吉田憲司, 吉岡諒, 吉本昌広

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 2014年8月21日一般社団法人電子情報通信学会
GaAsBi Laser Diodes with Low Temperature Dependence of Lasing Wavelength

Takuma Fuyuki, Ryo Yoshioka, Kenji Yoshida, Masahiro Yoshimoto

2014 CONFERENCE ON LASERS AND ELECTRO-OPTICS (CLEO) 2014年 IEEE
Ultraviolet (UV) Raman Characterization of Ultra-Shallow Ion Implanted Silicon

Woo Sik Yoo, Kitaek Kang, Takeshi Ueda, Toshikazu Ishigaki, Hiroshi Nishigaki, Noriyuki Hasuike, Hiroshi Harima, Masahiro Yoshimoto

2014 20TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON ION IMPLANTATION TECHNOLOGY (IIT 2014) 2014年 IEEE
Characterization of ion implanted silicon using UV Raman and multiwavelength photoluminescence for in-line dopant activation monitoring

Woo Sik Yoo, Toshikazu Ishigaki, Takeshi Ueda, Kitaek Kang, Noriyuki Hasuike, Hiroshi Harima, Masahiro Yoshimoto

Extended Abstracts of the 13th International Workshop on Junction Technology 2013, IWJT 2013 2013年 IEEE Computer Society
ナノスケールウエットエッチング法を用いたSi極浅接合の深さ方向ホトルミネセンス分析 (シリコン材料・デバイス)

村井剛太, 奥谷真士, 田川修治, 吉本昌広, Woo Sik

電子情報通信学会技術研究報告 : 信学技報 2012年12月7日一般社団法人電子情報通信学会
Defect Detection in Recrystallized Ultra-Shallow Implanted Silicon by Multiwavelength-Excited Photoluminescence

Masahiro Yoshimoto, Masashi Okutani, Hiroki Saikusa, Shuhei Takashima, Woo Sik Yoo

ION IMPLANTATION TECHNOLOGY 2012 2012年 AMER INST PHYSICS
Study of the deep levels of a GaAs/p-GaAs 1-xBi x heterostructure grown by molecular beam epitaxy

Takuma Fuyuki, Shota Kashiyama, Kunishige Oe, Masahiro Yoshimoto

Materials Research Society Symposium Proceedings 2012年
Photoluminescence study on recrystallization of ultra-shallow junction towards in-line measurements

Gota Murai, Masashi Okutani, Hiroki Saikusa, Masahiro Yoshimoto, Woo Sik Yoo

IMFEDK 2012 - 2012 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai 2012年
TEM observation of directly bonded interface between Si and SiC

Takamasa Kurumi, Ryosuke Araki, Hiroyuki Kinoshita, Masahiro Yoshimoto

IMFEDK 2012 - 2012 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai 2012年
Photo-pumped GaAs1-xBix lasing operation with low-temperature-dependent oscillation wavelength

Yoriko Tominaga, Kunishige Oe, Masahiro Yoshimoto

NOVEL IN-PLANE SEMICONDUCTOR LASERS XI 2012年 SPIE-INT SOC OPTICAL ENGINEERING
光励起によるGaAs_<1-x>Bi_x/GaAs薄膜のファブリ・ペローレーザ発振 : その発振波長の低温度依存性

富永依里子, 尾江邦重, 吉本昌広

電子情報通信学会技術研究報告. LQE, レーザ・量子エレクトロニクス 2011年12月9日一般社団法人電子情報通信学会
Structural evaluation of GaAs<inf>1-x</inf>Bi<inf>x</inf>mixed crystals by TEM

Osamu Ueda, Yoriko Tominaga, Noriaki Ikenaga, Masahiro Yoshimoto, Kunishige Oe

Conference Proceedings - International Conference on Indium Phosphide and Related Materials 2011年12月1日
Study of multi-wavelength-excited photoluminescence on recrystallization of ultra-shallow implanted silicon

Masashi Okutani, Hiroki Saikusa, Shuhei Takashima, Masahiro Yoshimoto, Woo Sik Yoo

Extended Abstracts of the 11th International Workshop on Junction Technology, IWJT 2011 2011年
Drain current - Gate voltage characteristics of Si MOSFETs fabricated on Si-on-SiC wafers

Ryosuke Araki, Hideo Shimizu, Takamasa Kurumi, Hiroyuki Kinoshita, Masahiro Yoshimoto

IMFEDK 2011 - 2011 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai 2011年
Precise measurements of optical constants of SiC in 40 to 120 μm wavelength region

K. Nakayama, A. Matsubara, S. Okajima, K. Kawahata, K. Tanaka, T. Akiyama, H. Kinoshita, M. Yoshimoto, T. Takahashi

IRMMW-THz 2010 - 35th International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves, Conference Guide 2010年
MBE-grown GaNAsBi matched to GaAs with 1.3-μm emission wavelength

M. Yoshimoto, W. Huang, J. Saraie, K.Oe

Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 2005年
GaNyAs1-x-yBix semiconductor alloy for temperature-insensitive-wavelength lasers in WDM optical communication

K Oe, G Feng, M Yoshimoto, W Huang

2005 IEEE LEOS ANNUAL MEETING CONFERENCE PROCEEDINGS (LEOS) 2005年 IEEE