J-PARC 3-GeV RCSの入射バンプシステムにおいて、大強度陽子ビームを生成するペインティング入射試験を行った。その初期試験の結果と機器の性能特性について報告する。電磁石の磁場測定結果から、4台が直列に接続された水平シフトバンプ電磁石のうち、2台目と3台目の上・下鉄心コアの間に0.3mmの絶縁スペーサーを入れて全体の積分調整を行った。その結果、バンプの閉軌道のずれが1mm以下となることを確認した。また、水平ペイントバンプ電磁石によるビームの応答を測定し、各々の励磁量のバランス調整を行った。これにより、ペインティング入射に必要な精度の良いビーム制御が可能であることを確認した。