大森雅登 (Masato Omori) - マイポータル

基本情報

所属: 大分大学理工学部准教授

学位: 博士（工学）(2007年3月東京大学)

研究者番号: 70454444
ORCID iD: https://orcid.org/0000-0002-7525-086X
J-GLOBAL ID: 202101004463283876
researchmap会員ID: R000027985

研究キーワード

研究分野

経歴

2019年4月 - 現在

大分大学, 理工学部, 准教授
2016年8月 - 2019年3月

名古屋大学, 未来材料・システム研究所, 特任講師
2007年4月 - 2016年7月

豊田工業大学, 助教, 研究員

学歴

2002年4月 - 2007年3月

東京大学, 工学系研究科, 電子工学専攻

論文

Determination of Mg acceptor concentration in GaN through photoluminescence

Masato Omori, Taisei Miyazaki, Kenta Watanabe, Maito Shiraishi, Ryusei Wada, Takashi Okawa

Applied Physics Express 14(5) 051002-051002 2021年5月1日査読有り筆頭著者
Redistribution of Mg and H atoms in Mg-implanted GaN through ultra-high-pressure annealing

Hideki Sakurai, Tetsuo Narita, Masato Omori, Shinji Yamada, Akihiko Koura, Malgorzata Iwinska, Keita Kataoka, Masahiro Horita, Nobuyuki Ikarashi, Michal Bockowski …

Applied Physics Express 13(8) 086501 2020年7月28日査読有り
Reduction of plasma-induced damage in n-type GaN by multistep-bias etching in inductively coupled plasma reactive ion etching

Shinji Yamada, Masato Omori, Hideki Sakurai, Yamato Osada, Ryuichiro Kamimura, Tamotsu Hashizume, Jun Suda, Tetsu Kachi

Applied Physics Express 13(1) 016505 2019年12月19日査読有り
Highly effective activation of Mg-implanted p-type GaN by ultra-high-pressure annealing

Hideki Sakurai, Masato Omori, Shinji Yamada, Yukihiro Furukawa, Hideo Suzuki, Tetsuo Narita, Keita Kataoka, Masahiro Horita, Michal Bockowski, Jun Suda …

Applied Physics Letters 115(14) 142104 2019年9月30日査読有り
Effects of Dosage Increase on Electrical Properties of Metal‐Oxide‐Semiconductor Diodes with Mg‐Ion‐Implanted GaN Before Activation Annealing

Masamichi Akazawa, Ryo Kamoshida, Shunta Murai, Tetsuo Narita, Masato Omori, Jun Suda, Tetsu Kachi

physica status solidi (b) 257(2) 1900367 2019年9月19日査読有り
Acceptors activation of Mg-ion implanted GaN by ultra-high-pressure annealing

Hideki Sakurai, Masato Omori, Shinji Yamada, Akihiko Koura, Hideo Suzuki, Tetsuo Narita, Keita Kataoka, Masahiro Horita, Michal Bo kowski, Jun Suda …

2019 19th International Workshop on Junction Technology (IWJT) 2019年6月
Photocurrent and photoluminescence characteristics of AlGaAs/GaAs double-heterostructures with a pair of two-dimensional electron and hole channels

T. Kushida, M. Ohmori, H. Sakaki

Journal of Applied Physics 122(10) 2017年9月11日査読有り
InGaAs triangular barrier photodiodes for high-responsivity detection of near-infrared light

Kazuya Sugimura, Masato Ohmori, Takeshi Noda, Tomoya Kojima, Sakunari Kado, Pavel Vitushinskiy, Naotaka Iwata, Hiroyuki Sakaki

Applied Physics Express 9(6) 062101 2016年5月16日査読有り
GaAs-based triangular barrier photodiodes with embedded type-II GaSb quantum dots

Pavel Vitushinskiy, Masato Ohmori, Tomohiro Kuroda, Takeshi Noda, Takuya Kawazu, Hiroyuki Sakaki

Applied Physics Express 9(5) 052002 2016年4月15日査読有り
Electrical Characteristics of AlGaAs/GaAs Heterostructures With a Pair of 2-D Electron and Hole Channels

Tomoyoshi Kushida, Masato Ohmori, Shota Osanai, Daisuke Kawamoto, Takeshi Noda, Hiroyuki Sakaki

IEEE Transactions on Electron Devices 62(11) 3619-3626 2015年11月査読有り
Triangular-barrier quantum rod photodiodes: Their fabrication and detector characteristics

M. Ohmori, Y. Kobayashi, P. Vitushinskiy, S. Nakamura, T. Kojima, H. Sakaki

Applied Physics Letters 104(8) 081120 2014年2月24日査読有り筆頭著者
Formation of InAs/AlGaAs/GaAs Nanowire Structures by Self-Organized Rod Growth on InAs Quantum Dots and Their Transport Properties

Masato Ohmori, Pavel Vitushinskiy, Tomoya Kojima, Hiroyuki Sakaki

Applied Physics Express 6(4) 045003-045003 2013年4月1日査読有り筆頭著者
Diffusion process of excitons in the wetting layer and their trapping by quantum dots in sparsely spaced InAs quantum dot systems

M. Ohmori, P. Vitushinskiy, H. Sakaki

Applied Physics Letters 98(13) 133109 2011年3月28日査読有り筆頭著者
Effects of Mg doping on optical and electrical properties of GaNAs multiple quantum wells

Masahiro Shiraga, Yuko Nakai, Tomohiko Hirashima, Akinobu Kittaka, Mari Ebisu, Naoshi Takahashi, Takeshi Noda, Masato Ohmori, Hidefumi Akiyama, Noriaki Tsurumachi …

physica status solidi c 8(2) 420-422 2011年1月13日査読有り
Photoluminescence spectra and carrier capture processes in sparsely‐spaced InAs quantum dot systems

Masato Ohmori, Pavel Vitushinskiy, Hiroyuki Sakaki

physica status solidi c 8(2) 251-253 2011年1月3日査読有り筆頭著者
Growth of GaSb and InSb quantum dots on GaAs (311)A by droplet epitaxy

T. Kawazu, T. Noda, T. Mano, M. Ohmori, Y. Akiyama, H. Sakaki

physica status solidi c 8(2) 275-277 2010年11月2日査読有り
Temperature dependences of charged excitons in low‐density InAs quantum dot system

M. Ohmori, K. Torii, H. Sakaki

physica status solidi c 5(9) 2867-2868 2008年7月8日査読有り筆頭著者
Formation of Ultra-low Density (≤10⁴cm^-2) Self-Organized InAs Quantum Dots on GaAs by a Modified Molecular Beam Epitaxy Method

Masato Ohmori, Takuya Kawazu, Kousuke Torii, Takuji Takahashi, Hiroyuki Sakaki

Applied Physics Express 1(6) 061202 2008年6月6日査読有り
Electron-Hole Separation of Zero-Dimensional Excitons in A Single Self-Organized InAs Quantum Dot Studied Under Normal and In-Plane Electric Fields

M. Ohmori, K. Torii, N. Kondo, H. Sakaki

AIP Conference Proceedings 2007年査読有り筆頭著者
Redistribution of photogenerated carriers in neutral and charged InAs quantum dot systems

Kousuke Torii, Masato Ohmori, Takuya Kawazu, Hiroyuki Sakaki

Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures 32(1-2) 175-178 2006年5月査読有り

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MISC

フォトルミネッセンス法による窒化ガリウム中Siドナーの濃度定量

坪井辰哉, 日高昭日, 大川峰司, 大森雅登

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 70th 2023年
GaN-MOSFETにおける反転層移動度の酸化膜成膜方法依存性

幾田大智, 佐藤翔太, 大森雅登

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 70th 2023年
Mgイオン注入GaNの正孔濃度の活性化アニール温度依存性

大森雅登, 渡邉健太, 坪井辰哉, 日高昭日, 大川峰司

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 83rd 2022年
窒化ガリウムを用いた光制御パワートランジスタの開発

大森雅登

岩谷直治記念財団研究報告書 44 2021年
超高圧熱処理を施したMgイオン注入GaNのPL評価

白石舞翔, 宮崎泰成, 和田竜垂, 渡邉健太, 大川峰司, 大森雅登

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 68th 2021年
縦型GaNフォトトランジスタの特性評価

和田竜垂, 白石舞翔, 宮崎泰成, 大森雅登

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 68th 2021年
PL法によるMgイオン注入GaNのアクセプタ活性化率の評価

宮崎泰成, 白石舞翔, 和田竜垂, 渡邉健太, 大川峰司, 大森雅登

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 68th 2021年
電子線照射およびMg/Nイオン注入GaN結晶のPL評価

白石舞翔, 宮崎泰成, 和田竜垂, 渡邉健太, 大川峰司, 大森雅登

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 82nd 2021年
常圧1400°Cアニール処理したMg/Nイオン注入GaN結晶のアクセプタ活性化率の評価

大森雅登, 渡邉健太, 宮崎泰成, 白石舞翔, 和田竜垂, 大川峰司

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 82nd 2021年
選択的p型GaN形成に向けた活性化アニールの検討

渡邉健太, 井口紘子, 白石舞翔, 宮崎泰成, 和田竜垂, 大森雅登, 大川峰司, 長里喜隆

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 67th 2020年
スロープダウンバイアスICP-RIEによるn型GaNのエッチングダメージの制御

山田真嗣, 山田真嗣, 山田真嗣, 櫻井秀樹, 櫻井秀樹, 櫻井秀樹, 大森雅登, 中村敏幸, 上村隆一郎, 須田淳 …

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 66th 2019年
n型GaNにおけるICPエッチング誘起欠陥のDLTS評価

大森雅登, 山田真嗣, 山田真嗣, 櫻井秀樹, 櫻井秀樹, 長田大和, 上村隆一郎, 須田淳, 加地徹

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 65th 2018年
多段ICP-RIEによるn型GaNのエッチングダメージの制御

山田真嗣, 山田真嗣, 櫻井秀樹, 櫻井秀樹, 櫻井秀樹, 大森雅登, 須田淳, 須田淳, 長田大和, 上村隆一郎 …

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 65th 2018年
Mg/Nイオン共注入と超高圧N₂活性化アニールを用いたGaNへのp型ドーピング

櫻井秀樹, 櫻井秀樹, 櫻井秀樹, 山田真嗣, 山田真嗣, 山田真嗣, 大森雅登, 古川幸弘, 鈴木英夫, BOCKOWSKI M. …

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 79th 2018年
Mgイオン注入GaNのフラッシュランプアニールによる活性化

大森雅登, 山田隆泰, 谷村英昭, 加藤慎一, 岩田直高, 塩崎宏司

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 79th 2018年
誘導結合型プラズマ反応性イオンエッチングによるn型GaNへのダメージ評価

山田真嗣, 山田真嗣, 櫻井秀樹, 櫻井秀樹, 大森雅登, 長田大和, 上村隆一郎, 堀田昌宏, 須田淳, 須田淳 …

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 64th 2017年
n型GaNのショットキー接合特性と表面光起電力効果

大森雅登, 山田真嗣, 山田真嗣, 櫻井秀樹, 櫻井秀樹, 長田大和, 上村隆一郎, 加地徹

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 78th 2017年
Mgイオン注入されたGaNのCL特性アニールシーケンス依存性

櫻井秀樹, 櫻井秀樹, 山田真嗣, 山田真嗣, 大森雅登, 古川幸弘, 鈴木英夫, 須田淳, 須田淳, 加地徹

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 78th 2017年
極低バイアスICP-RIEを施したn型GaNのショットキー接合特性によるエッチングダメージの評価

山田真嗣, 山田真嗣, 櫻井秀樹, 櫻井秀樹, 大森雅登, 長田大和, 上村隆一郎, 須田淳, 須田淳, 加地徹

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 78th 2017年
ナノギャップ電極と結合した単一自己組織化InSb量子ドットにおける電気伝導特性

柴田憲治, 大森雅登, 榊裕之, 平川一彦

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 77th 2016年

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所属学協会

2024年1月 - 現在

エレクトロニクス実装学会
2020年8月 - 現在

先進パワー半導体分科会
2004年1月 - 現在

応用物理学会

共同研究・競争的資金等の研究課題

光でゲート制御するGaN縦型パワーデバイスの開発

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 基盤研究(C) 2018年4月 - 2021年3月

大森雅登
GaN系HEMTと関連素子のピエゾ電界効果の解明と表面準位の新評価法

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 基盤研究(B) 2014年4月 - 2018年3月

榊裕之, 大森雅登, Vitushinsk Pavel, 秋山芳広
量子ドット積層技術による半導体ナノワイヤ構造の形成と物性解明

日本学術振興会科学研究費助成事業若手研究(B) 若手研究(B) 2013年4月 - 2015年3月

大森雅登
第II種量子ドット入り三角障壁構造による電子伝導の制御と光検出器応用

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 基盤研究(B) 2011年4月 - 2014年3月

榊裕之, 大森雅登, VITUSHINSK Pavel, 秋山芳広, 野田武司, 川津琢也
半導体ナノ結晶と中空ファイバを活用した脳腫瘍の診断・治療一体型デバイスの開発

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 基盤研究(B) 2011年4月 - 2014年3月

水野正明, 渡慶次学, 岡本行広, 朴蓮洙, 湯川博, 大森雅登
コラムナ量子ドットを用いたナノ細線フォトトランジスタによる単一光子検出の研究

日本学術振興会科学研究費助成事業若手研究(B) 若手研究(B) 2011年 - 2012年

大森雅登
量子ドットと量子細線を結合させた素子構造の形成法開拓と光伝導機能探索

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 基盤研究(B) 2008年 - 2010年

榊裕之, 大森雅登, PAVEL Vitushinskiy, 秋山芳広, 野田武司, 川津琢也

産業財産権

特開2023-132513 縦型バイポーラトランジスタおよびその製造方法

大森雅登, 大川峰司, 喜田弘文
特許第7249586号窒化物半導体装置の製造方法

大森雅登, 加地徹, 須田淳, ボコウスキミハウスタニスワフ
特開2022-126514 窒化物半導体層の不純物濃度を測定する測定方法及び測定装置

大川峰司, 渡邉健太, 大森雅登
特開2020-155468 窒化物半導体装置の製造方法

大森雅登, 加地徹, 須田淳, ボコウスキミハウスタニスワフ
特開2020-155470 窒化物半導体装置の製造方法

大森雅登, 加地徹, 須田淳, ボコウスキミハウスタニスワフ
特開2020-155469 窒化物半導体装置の製造方法

大森雅登, 加地徹, 須田淳, ボコウスキミハウスタニスワフ
特許第5629714号半導体装置

櫛田知義, 榊裕之, 大森雅登
特開2013-197261 半導体装置

櫛田知義, 榊裕之, 大森雅登