有田正志 (Masashi Arita) - マイポータル

基本情報

所属: 北海道大学大学院情報科学研究院情報エレクトロニクス部門先端エレクトロニクス助教授・准教授

学位: 理学博士(チューリッヒ工科大学（スイス連邦）)

J-GLOBAL ID: 200901010643226379
researchmap会員ID: 1000246654

外部リンク: http://www.ist.hokudai.ac.jp/labo/nano-mat/

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論文

206

Characteristics of the single-electron conduction properties of randomly distributed metal nanodot arrays

Takayuki Gyakushi, Ikuma Amano, Ryota Tanizawa, Atsushi Tsurumaki-Fukuchi, Masashi Arita, Yasuo Takahashi

Japanese Journal of Applied Physics 63(2) 025001-025001 2024年2月15日
Significant effects of epitaxial strain on the nonlinear transport properties in Ca2RuO4 thin films with the current-driven transition

Keiji Tsubaki, Masashi Arita, Takayoshi Katase, Toshio Kamiya, Atsushi Tsurumaki-Fukuchi, Yasuo Takahashi

Japanese Journal of Applied Physics 2023年8月査読有り
Dynamics of an Electrically Driven Phase Transition in Ca₂RuO₄ Thin Films: Nonequilibrium High‐Speed Resistive Switching in the Absence of an Abrupt Thermal Transition

Keiji Tsubaki, Atsushi Tsurumaki‐Fukuchi, Takayoshi Katase, Toshio Kamiya, Masashi Arita, Yasuo Takahashi

Advanced Electronic Materials 2023年4月23日
Direct Imaging of Ion Migration in Amorphous Oxide Electronic Synapses with Intrinsic Analog Switching Characteristics

Atsushi Tsurumaki-Fukuchi, Takayoshi Katase, Hiromichi Ohta, Masashi Arita, Yasuo Takahashi

ACS Applied Materials & Interfaces 15(13) 16842-16852 2023年3月23日
Double gate operation of metal nanodot array based single electron device

Takayuki Gyakushi, Ikuma Amano, Atsushi Tsurumaki-Fukuchi, Masashi Arita, Yasuo Takahashi

Scientific Reports 12(1) 2022年12月
Coulomb Blockade Oscillations Oberved in Micrometer-sized Single-Electron Device of Metal Nanodot Array

Takayuki Gyakushi, Ikuma Amano, Atsushi Tsurumaki-Fukuchi, Masashi Arita, Yasuo Takahashi

2022 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW) 2022年6月11日
(Invited) Nanoscale Probing of Field-Driven Ion Migration in TaOx for Neuromorphic Memristor Applications

Atsushi Tsurumaki-Fukuchi, Takayoshi Katase, Hiromichi Ohta, Masashi Arita, Yasuo Takahashi

ECS Transactions 104(4) 93-101 2021年10月1日査読有り招待有り
Fast and Reliable Resistance Switching in Ca2RuO4 Thin Films Driven by the Current-Induced Phase Transition

K. Tsubaki, A. Tsurumaki-Fukuchi, Y. Takahashi, T. Katase, T. Kamiya, M. Arita

Extended Abstract of the 2021 Internat. Conf. Sol. Stat. Dev. Materials (2021), pp. 494-495 (06/Sept/2021) 494-495 2021年9月査読有り最終著者
Non-Uniform Gate-Capacitance Distribution in Fe Nanodot Array Based Double-Gate Single-Electron Devices Due to Geometrical Structure of the Dots

T. Gyakushi, Y. Asai, B. Byon, I. Amano, M. Arita, A. Tsurumaki-Fukuchi, Y. Takahashi

Extended Abstract of the 2021 Internat. Conf. Sol. Stat. Dev. Materials 448-449 2021年9月査読有り
Initial electrical properties of tantalum oxide resistive memories influenced by oxygen defect concentrations

Yuanlin Li, Atsushi Tsurumaki-Fukuchi, Masashi Arita, Yasuo Takahashi

Japanese Journal of Applied Physics 60(SC) SCCE03-SCCE03 2021年6月1日査読有り
単層Feナノドットアレイを用いて作製した単電子デバイスの電気特性

瘧師貴幸, 浅井佑基, 卞範模, 天野郁馬, 福地厚, 有田正志, 高橋庸夫

信学技報 121(44) 23-26 2021年5月
Charge-offset stability of single-electron devices based on single-layered Fe nanodot array

Takayuki Gyakushi, Yuki Asai, Shusaku Honjo, Atsushi Tsurumaki-Fukuchi, Masashi Arita, Yasuo Takahashi

AIP Advances 11(3) 035230-035230 2021年3月1日査読有り
Double-gate single-electron devices formed by single-layered Fe nanodot array

Takayuki Gyakushi, Yuki Asai, Beommo Byun, Ikuma Amano, Atsushi Tsurumaki-Fukuchi, Masashi Arita, Yasuo Takahashi

2020 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW) 2020年6月査読有り
Periodic Coulomb blockade oscillations observed in single-layered Fe nanodot array

Takayuki Gyakushi, Yuki Asai, Atsushi Tsurumaki-Fukuchi, Masashi Arita, Yasuo Takahashi

Thin Solid Films 704 138012-138012 2020年6月査読有り
Initialization process of Cu-based WO x conductive bridge RAM investigated via in situ transmission electron microscopy

Satoshi Muto, Shinya Sakai, Atsushi Tsurumaki-Fukuchi, Masashi Arita, Yasuo Takahashi

Japanese Journal of Applied Physics 59(SI) SIIE01-SIIE01 2020年6月1日査読有り
Stable and Tunable Current-Induced Phase Transition in Epitaxial Thin Films of Ca2RuO4

Atsushi Tsurumaki-Fukuchi, Keiji Tsubaki, Takayoshi Katase, Toshio Kamiya, Masashi Arita, Yasuo Takahashi

ACS Applied Materials & Interfaces 2020年5月28日査読有り
Initial states and analog switching behaviors of two major tantalum oxide resistive memories

Yuanlin Li, Atsushi Tsurumaki-Fukuchi, Masashi Arita, Takashi Morie, Yasuo Takahashi

Japanese Journal of Applied Physics 59(4) 044004-044004 2020年4月1日査読有り
Filamentary switching of ReRAM investigated by in-situ TEM

Masashi Arita, Atsushi Tsurumaki-Fukuchi, Yasuo Takahashi

Japanese Journal of Applied Physics 59(SG) SG0803-SG0803 2020年4月1日査読有り招待有り筆頭著者
Tunnel magnetocapacitance in Fe/MgF2 single nanogranular layered films

Robin Msiska, Shusaku Honjo, Yuki Asai, Masashi Arita, Atsushi Tsurumaki-Fukuchi, Yasuo Takahashi, Norihisa Hoshino, Tomoyuki Akutagawa, Osamu Kitakami, Masaya Fujioka …

Applied Physics Letters 116(8) 082401-1-082401-5 2020年2月査読有り
In-situ TEM observation of Cu-WOx CBRAM during gradual resistance decrease fot initialization

S. Muto, S. Sakai, A. Tsurumaki-Fukuchi, M. Arita, Y. Takahashi

Proc. 32nd Internat. Microprocesses and Nanotechnology Conference 3C101-1-3C101-2 2019年10月査読有り

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MISC

ナノ構造を用いた多機能ナノデバイス作成とその応用に関する研究

高橋庸夫, 寒川誠二, 有田正志, 大野武雄, 福地厚, 遠藤和彦, 李遠霖, 瘧師貴幸

東北大学流体科学研究所共同利用・共同研究拠点流体科学国際研究教育拠点活動報告書 2019 (CD-ROM) 2021年
異なるSiO₂下地層上に形成したナノドットアレイの電気特性比較

谷澤涼太, 天野郁馬, 瘧師貴幸, 福地厚, 有田正志, 高橋庸夫

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 68th 2021年
Feナノドットアレイの電気伝導特性の下地層依存性

谷澤涼太, 天野郁馬, 瘧師貴幸, 福地厚, 有田正志, 高橋庸夫

応用物理学会北海道支部/日本光学会北海道支部合同学術講演会講演予稿集 56th-17th (CD-ROM) 2021年
熱酸化およびスパッタ製膜SiO₂上に形成したFeナノドットアレイの単電子特性

天野郁馬, 瘧師貴幸, 谷澤涼太, 福地厚, 有田正志, 高橋庸夫

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 82nd 2021年
SiO₂上のFeナノドットアレイの電気伝導特性の表面依存

天野郁馬, 瘧師貴幸, 福地厚, 有田正志, 高橋庸夫

応用物理学会北海道支部/日本光学会北海道支部合同学術講演会講演予稿集 55th-16th 2020年
Feナノドットアレイの電気伝導特性の下地層依存

天野郁馬, 瘧師貴幸, 福地厚, 有田正志, 高橋庸夫

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 67th 2020年
マルチドット単電子デバイスにおけるドットの三次元構造によるゲート容量の不均一化

瘧師貴幸, 浅井佑基, BYUN Beommo, 天野郁馬, 福地厚, 有田正志, 高橋庸夫

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 81st 2020年
Investigation of LSI Architecture and Analog Memory Devices for Brain-like Systems

K. Yamashita, M. Harada, T. Morie, A. Tsurumaki-Fukuchi, M. Arita, Y. Takahashi, S. Samukawa

Proc. the 16th International Conference on Flow Dynamics (ICFD2019) 2019年11月
単層Fe-MgF₂グラニュラー薄膜単電子トランジスタにおける等周期クーロン振動特性の解析

瘧師貴幸, 浅井佑基, 福地厚, 有田正志, 高橋庸夫

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 66th 2019年
単層Fe-MgF₂グラニュラー単電子トランジスタにおける等周期クーロン振動の解析

瘧師貴幸, 浅井佑基, 福地厚, 有田正志, 高橋庸夫

応用物理学会北海道支部/日本光学会北海道支部合同学術講演会講演予稿集 54th-15th 2019年
ナノスケールReRAMデバイスのIn-situ TEM解析－ナノプローブによる電気測定と微細構造変化ー

有田正志, 福地厚, 高橋庸夫

表面と真空 61(12) 1-6 2018年12月査読有り招待有り
Multilevel memory characteristics of Ta/Ta2O5-d ReRAM for the application of neural network

Y. Li, A. Tsurumaki-Fukuchi, M. Arita, Y. Takahashi, H. Ando, T. Morie, S. Samukawa

Proc. the 15th International Conference on Flow Dynamics (ICFD2018) 2018年11月
Analog memory devices for time-domain weighted-sum calculation circuits

K. Yamashita, M. Harada, T. Morie, A. Tsurumaki-Fukuchi, M. Arita, Y. Takahashi, S. Samukawa

Proc. the 15th International Conference on Flow Dynamics (ICFD2018) 2018年11月
Shape change dynamics of Cu filament in double layer CBRAM

R. Ishikawa, A. Tsurumaki-Fukuchi, M. Arita, Y. Takahashi, M. Kudo, S. Matsumura

Proceedings of the 31st International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC2018) 2018年11月査読有り
電流測定TEMその場観察に向けた電極作製

石川竜介, 有馬克紀, 福地厚, 有田正志, 高橋庸夫, 工藤昌輝, 松村晶

日本顕微鏡学会北海道支部学術講演会講演要旨集 2018 2018年
ダブルゲートFe-MgF₂単電子トランジスタの作製と評価

瘧師貴幸, 浅井佑基, 福地厚, 有田正志, 高橋庸夫

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 79th 2018年
単層Fe-MgF₂グラニュラー薄膜を用いた単電子トランジスタの特性評価

浅井佑基, 瘧師貴幸, 福地厚, 有田正志, 高橋庸夫

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 79th 2018年
MgF₂/Fe/MgF₂グラニュラー膜の磁気抵抗効果と微細構造

本庄周作, 横野示寛, 有田正志, 福地厚, 海住英生, 西井準治, 高橋庸夫

応用物理学会北海道支部・日本光学会北海道地区合同学術講演会講演予稿集 51st-12th 28 2016年1月9日
単層Fe-MgF₂グラニュラー膜の微細構造と磁気特性

本庄周作, 横野示寛, 有田正志, 福地厚, 海住英生, 西井準治, 高橋庸夫

日本磁気学会学術講演概要集 39th 2015年
抵抗変化メモリMoOx/Cuにおける繰り返し動作のTEMその場観察

大野裕輝, 廣井孝弘, 工藤昌輝, 浜田弘一, 有田正志, 高橋庸夫

日本金属学会講演概要(CD-ROM) 154th 2014年

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書籍等出版物

Mesoscopic Materials and Clusters

Kodansha/Springer 1999年

講演・口頭発表等

240

ReRAMスイッチのその場TEM観察による動作機構解明

有田正志, 福地厚, 高橋庸夫

日本学術振興会R025先進薄膜界面機能創成委員会第6回研究会 2021年10月4日招待有り
2次元磁気グラニュラーの光インピーダンス特性，日本物理学会2021年秋季大会

山内一弘, 本庄周作, 浅井佑基, 有田正志, 福地厚, 高橋庸夫, 海住英生

日本物理学会2021年秋季大会 2021年9月23日
Ca2RuO4薄膜における非線形伝導現象の高速化と不連続転移の観測

福地厚, 椿啓司, 高橋庸夫, 片瀬貴義, 神谷利夫, 有田正志

日本物理学会2021年秋季大会 2021年9月21日
熱酸化およびスパッタ製膜SiO2上に形成したFeナノドットアレイの単電子特性

天野郁馬, 瘧師貴幸, 谷澤涼太, 福地厚, 有田正志, 高橋庸夫

第82回応用物理学会秋季学術講演会 2021年9月13日
Ca2RuO4エピタキシャル薄膜における電流誘起非線形伝導

椿啓司, 福地厚, 高橋庸夫, 片瀬貴義, 神谷利夫, 有田正志

第82回応用物理学会秋季学術講演会 2021年9月12日
原子平坦アモルファス薄膜を用いたTaOxのアナログメモリ動作過程の直接観察

福地厚, 片瀬貴義, 太田裕道, 有田正志, 高橋庸夫

第82回応用物理学会秋季学術講演会 2021年9月10日
Non-Uniform Gate-Capacitance Distribution in Fe Nanodot Array Based Double-Gate Single-Electron Devices Due to Geometrical Structure of the Dots

T. Gyakushi, Y. Asai, B. Byon, I. Amano, M. Arita, A. Tsurumaki-Fukuchi, Y. Takahashi

2021 Internat. Conf. Sol. Stat. Dev. Materials (SSDM2021) 2021年9月8日
Fast and Reliable Resistance Switching in Ca2RuO4 Thin Films Driven by the Current-Induced Phase Transition

K. Tsubaki, A. Tsurumaki-Fukuchi, Y. Takahashi, T. Katase, T. Kamiya, M. Arita

2021 Internat. Conf. Sol. Stat. Dev. Materials (SSDM2021) 2021年9月7日
Probe microscopy analysis of neuromorphic resistive memory functions of amorphous oxide semiconductors

A. Tsurumaki-Fukuchi, T. Katase, H. Ohta, M. Arita, Y. Takahashi

The 12th International Conference on the Science and Technology for Advanced Ceramics (STAC12) 2021年7月7日招待有り
Charge offset stability of Fe nanodot device embedded in an insulating MgF2

T. Gyakushi, Y. Asai, S. Honjo, A. Tsurumaki-Fukuchi, M. Arita, Y. Takahashi

The 12th International Conference on the Science and Technology for Advanced Ceramics (STAC12) 2021年7月6日
Current-driven metal-insulator transition observed in epitaxial thin films of the Mott semiconductor Ca2RuO4

K. Tsubaki, T. Ishida, Y. Takahashi, T. Katase, T. Kamiya, A. Tsurumaki-Fukuchi, M. Arita

The 12th International Conference on the Science and Technology for Advanced Ceramics (STAC12) 2021年7月6日
Pristine characteristics of Ta-O resistive memories stacked with various scavenging electrodes

M. Arita, Y. Li, A. Tsurumaki-Fukuchi, Y. Takahashi

The 12th International Conference on the Science and Technology for Advanced Ceramics (STAC12) 2021年7月6日
単層Feナノドットアレイを用いて作製した単電子デバイスの電気特性

瘧師貴幸, 浅井佑基, 卞範模, 天野郁馬, 福地厚, 有田正志, 高橋庸夫

電子情報通信学会電子デバイス研究会 2021年5月27日
単層Feナノドットアレイ単電子デバイスのオフセットチャージ安定性

瘧師貴幸, 浅井佑基, 本庄周作, 福地厚, 有田正志, 高橋庸夫

第68回応用物理学会春季学術講演会 2021年3月19日
異なるSiO2下地層上に形成したナノドットアレイの電気特性比較

谷澤涼太, 天野郁馬, 瘧師貴幸, 福地厚, 有田正志, 高橋庸夫

第68回応用物理学会春季学術講演会 2021年3月19日
二層型MoOx/Al2O3 CBRAM中のCu移動のTEMその場観察

有田正志, 石川竜介, 福地厚, 高橋庸夫

第68回応用物理学会春季学術講演会 2021年3月16日
Ca2RuO4薄膜における電流誘起抵抗転移のRu欠損量依存性

福地厚, 椿啓司, 石田典輝, 片瀬貴義, 神谷利夫, 有田正志, 高橋庸夫

第68回応用物理学会春季学術講演会 2021年3月16日
Solid-phase epitaxial growth of Ca2RuO4 thin films with current-induced metal-insulator transition

K. Tsubaki, T. Ishida, Y. Takahashi, T. Katase, T. Kamiya, A. Tsurumaki-Fukuchi, M. Arita

, The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT-8) 2021年3月3日
Fe ナノドットアレイの電気伝導特性の下地層依存性

谷澤涼太, 天野郁馬, 瘧師貴幸, 福地厚, 有田正志, 高橋庸夫

第56回応用物理学会北海道支部学術講演会 2021年1月9日
Ca2RuO4エピタキシャル薄膜が示す電流誘起絶縁体-金属転移とその抵抗変化特性

福地厚, 椿啓司, 石田典輝, 片瀬貴義, 神谷利夫, 高橋庸夫, 有田正志

第40回電子材料研究討論会 2020年11月12日

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所属学協会

Works(作品等)

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共同研究・競争的資金等の研究課題

抵抗変化酸化物の原子スケール表面観察を通した高精度人工シナプス材料の提案

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 基盤研究(C) 2019年4月 - 2022年3月

福地厚, 有田正志, 高橋庸夫
人工ニューロン開発を目指したその場ＴＥＭ法による抵抗変化メモリ回路動作の研究

日本学術振興会科学研究費基盤B 基盤研究(B) 2016年4月 - 2019年3月

有田正志
サイドゲート制御型抵抗変化メモリの開拓

日本学術振興会科学研究費挑戦的萌芽研究挑戦的萌芽研究 2014年4月 - 2016年3月

高橋庸夫
ＴＥＭ－ＳＴＭその場計測による抵抗変化メモリの動作機構解明

日本学術振興会科学研究費基盤C 基盤研究(C) 2013年4月 - 2016年3月

有田正志
多値ＲｅＲＡＭ搭載のナノドットアレイによる多入力多出力フレキシブルデバイスの研究

日本学術振興会科学研究費基盤B 基盤研究(B) 2012年4月 - 2015年3月

高橋庸夫
透過電子顕微鏡その場計測システムの開発とナノエレクトロニクスへの応用

日本学術振興会科学研究費基盤C 2009年4月 - 2012年3月

有田正志
透過電子顕微鏡その場計測システムの開発とナノエレクトロニクスへの応用

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 基盤研究(C) 2009年 - 2011年

有田正志, 高橋庸夫, 末岡和久, 柴山環樹
室温動作の単電子デバイス開発を指向したTEM/STMによる単電子トンネル現象研究

日本学術振興会科学研究費基盤C 2006年4月 - 2009年3月

有田正志
シリコンの酸化によるナノドットアレイの形成とその論理機能選択デバイス応用

日本学術振興会科学研究費助成事業特定領域研究特定領域研究 2008年 - 2009年

高橋庸夫, 有田正志
ナノドットアレイによる多入力・多出力機能性デバイスの研究

日本学術振興会科学研究費基盤A 2005年4月 - 2008年3月

高橋庸夫
室温動作の単電子デバイス開発を指向したTEM/STMによる単電子トンネル現象研究

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 基盤研究(C) 2006年 - 2008年

有田正志, 高橋庸夫, 末岡和久, 柴山環樹
シリコンナノドットを用いた論理機能選択デバイス

日本学術振興会科学研究費助成事業特定領域研究特定領域研究 2007年 - 2007年

高橋庸夫, 有田正志, 藤原聡, 西口克彦
ナノドットアレイによる多入力・多出力機能性デバイスの研究

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(A) 基盤研究(A) 2005年 - 2007年

高橋庸夫, 有田正志, 雨宮好仁, 猪川洋, 西口克彦
磁気共鳴走査力顕微鏡技術による交換相互作用の原子分解能検出

日本学術振興会科学研究費基盤B 2003年4月 - 2006年3月

武笠幸一
磁気共鳴走査力顕微鏡技術による交換相互作用の原子分解能検出

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 基盤研究(B) 2003年 - 2005年

武笠幸一, 末岡和久, 石井睦, 有田正志, 加茂直樹, 松本和彦
ナノサイズ磁気ドット列の作製とその磁気抵抗効果

日本学術振興会科学研究費基盤C 2001年4月 - 2004年3月

有田正志
微小素子を搭載した高機能SPM用プローブの開発

日本学術振興会科学研究費基盤A 2001年4月 - 2004年3月

武笠幸一
微小素子を搭載した高機能SPM用プローブの開発

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(A) 基盤研究(A) 2001年 - 2003年

武笠幸一, 有田正志, 武藤俊一, 末岡和久
ナノサイズ磁気ドット列の作製とその磁気抵抗効果

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 基盤研究(C) 2001年 - 2003年

有田正志
生体適合性を持つ磁気発熱材料の開発とがんの温熱療法への応用

文部科学省科学研究費基盤A 1996年4月 - 1999年3月

松井正顕

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有田正志

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