論文

査読有り筆頭著者

2020年8月

Tunneling Current in 4H-SiC p-n Junction Diodes

IEEE Transactions on Electron Devices

M. Kaneko
X. Chi
T. Kimoto

巻: 67
号: 8
開始ページ: 3329
終了ページ: 3334
記述言語
掲載種別: 研究論文（学術雑誌）
DOI: 10.1109/ted.2020.3001909
出版者・発行元: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)

リンク情報

DOI: https://doi.org/10.1109/ted.2020.3001909
URL: http://xplorestaging.ieee.org/ielx7/16/9146596/09124632.pdf?arnumber=9124632

ID情報

DOI : 10.1109/ted.2020.3001909
ISSN : 0018-9383
eISSN : 1557-9646

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