2020年12月1日
Formation of high-quality SiC(0001)/SiO2 structures by excluding oxidation process with H2 etching before SiO2 deposition and high-temperature N2 annealing
Applied Physics Express
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- 巻
- 13
- 号
- 12
- 開始ページ
- 121002
- 終了ページ
- 121002
- 記述言語
- 掲載種別
- 研究論文（学術雑誌）
- DOI
- 10.35848/1882-0786/abc6ed
- リンク情報
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- DOI
- https://doi.org/10.35848/1882-0786/abc6ed
- URL
- https://iopscience.iop.org/article/10.35848/1882-0786/abc6ed
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- https://iopscience.iop.org/article/10.35848/1882-0786/abc6ed/pdf
- Scopus
- https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=85096785565&origin=inward 本文へのリンクあり
- Scopus Citedby
- https://www.scopus.com/inward/citedby.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=85096785565&origin=inward
- ID情報
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- DOI : 10.35848/1882-0786/abc6ed
- ISSN : 1882-0778
- eISSN : 1882-0786
- SCOPUS ID : 85096785565