高分解能RBS,高分解能ERDを用いて,極薄のhigh-kゲート絶縁膜とSi(001)基板との界面の深さプロファイルを測定した研究を2件紹介する.Si(001)上に約3nmのHfO_2を成長させた試料(SiO_2界面層0.7nm)を0.1Torrの酸素雰囲気中でアニール(500-900℃)し,高分解能RBS分析を行った.アニールによって,界面層の増膜とともに新たに界面で酸化されたSi数の20-30%に相当する量のSiが表面に移動するのが観察された.HF洗浄したSi(001)上に室温で約3nmのLa_2O_3を成長させた後に窒素雰囲気中でアニール(300-700℃)した試料について,高分解能ERDで水素の深さプロファイル測定を行った.as-grownの試料では界面付近に約10^<15>cm^<-2>の水素が分布しているが,500℃以上のアニールで濃度が大きく減少することが分かった.