今西正幸 (Masayuki Imanishi) - マイポータル

基本情報

所属: 大阪大学工学研究科電気電子情報通信工学専攻准教授

学位: 博士（工学）(2016年9月大阪大学)

J-GLOBAL ID: 201801007999056043
researchmap会員ID: B000325671

研究キーワード

研究分野

ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電気電子材料工学 /

経歴

2020年10月 - 現在

大阪大学, 大学院工学研究科電気電子情報工学専攻, 准教授
2018年4月 - 現在

大阪大学, 大学院工学研究科アトミックデザイン研究センター, 助教
2018年 - 2020年9月

大阪大学, 大学院工学研究科電気電子情報通信工学専攻, 助教
2016年9月 - 2018年3月

大阪大学, 大学院工学研究科アトミックデザイン研究センター, 助教
2016年4月 - 2016年8月

大阪大学, 大学院工学研究科, 特任研究員（常勤）

学歴

2013年4月 - 2016年3月

大阪大学, 大学院工学研究科, 電気電子情報工学専攻
2012年4月 - 2013年3月

大阪大学, 大学院工学研究科, 電気電子情報工学専攻
- 2012年3月

大阪大学, 工学部, 電子情報工学

委員歴

2025年4月 - 現在

APEX/JJAP編集委員
2018年4月 - 現在

応用物理学会結晶工学分科会, 幹事
2020年4月 - 2023年3月

応用物理学会関西支部, 幹事

受賞

2026年3月

丸文研究奨励賞, 結晶成長モード制御により複数の微小結晶を合一化した大口径・高品質GaN結晶成長, 一般財団法人丸文財団

今西正幸
2024年10月

EMS賞, 第43回電子材料シンポジウム

今西正幸
2024年5月

第10回日本赤外線学会論文賞, 一般社団法人日本赤外線学会

Agulto Verdad Canila, 岩本敏志, 遠矢雄浩, Mag-usara Valynn Katrine, 今西正幸, 森勇介, 吉村政志, 中嶋誠
2022年12月

日本結晶成長学会講演奨励賞, OVPE法によるβ相酸化ガリウム結晶のエピタキシャル成長, 日本結晶成長学会

今西正幸
2022年6月

第35回独創性を拓く先端技術大賞社会人部門特別賞, Naフラックス法とOVPE法を組み合わせた高品質・大型GaN結晶成長技術～脱炭素社会化に貢献するGaNデバイスの普及を目指して～, フジサンケイビジネスアイ

今西正幸, 宇佐美茂佳, 山田拓海, 村上航介, 滝野淳一, 隅智亮, 藤森拓
2020年9月

応用物理学会論文賞, 公益社団法人応用物理学会

今西正幸, 村上航介, 山田拓海, 垣之内啓介, 中村幸介, 北村智子, 奥村加奈子, 吉村政志, 森勇介
2020年7月

第13回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会研究奨励賞, Naフラックスポイントシード法による低転位・大口径GaN結晶成長, 日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会

今西正幸
2020年3月

応用物理学会講演会奨励賞, 結晶工学：Naフラックスポイントシード法により作製した大口径GaN結晶における転位の対消滅, 公益社団法人応用物理学会

今西正幸, 奥村加奈子, 中村幸介, 垣之内啓介, 北村智子, 村上航介, 吉村政志, 森勇介
2018年4月

船井研究奨励賞, 低欠陥・大口径・厚膜GaN結晶を実現するハイブリット成長法の開発, 公益財団法人船井情報科学振興財団

今西正幸
2016年3月

菅田-Cohen賞（博士）, 大阪大学

今西正幸
2014年10月

第75回応用物理学会学術講演会 Poster Award, Na フラックス法におけるポイントシード上結合結晶の膜厚と反りの関係, 公益社団法人応用物理学会

今西正幸, 村上航介, 今林弘毅, 丸山美帆子, 今出完, 吉村政志, 森勇介
2012年4月

日本結晶成長学会ナノ構造・エピキシャル成長分科会発表奨励賞, Naフラックス法による結合成長を用いたGaN結晶の大型化, 日本結晶成長学会

今西正幸
2012年1月

第13回キャンパスベンチャーグランプリ大阪佳作, 省エネルギー社会実現に向けたNaフラックス法を用いる大口径GaNバルク結晶, 日刊工業新聞

今西正幸, 原田陽司, 染野辰也, 伊賀仁志, 原田陽司

論文

114

Cycle-dependent degradation of second-harmonic generation characteristics in CsLiB ₆ O ₁₀ associated with the reabsorption of water impurities

Kyosuke Shimada, Tomoaki Nambu, Nagi Yamamoto, Kota Ikawa, Kaho Yamamoto, Ryota Murai, Yoshinori Takahashi, George Okada, Shigeyoshi Usami, Masayuki Imanishi …

Optical Materials Express 16(3) 733-733 2026年2月26日
Revealing crystallographically distinct growth sectors in Na-flux GaN via machine learning-assisted nanobeam x-ray diffraction analysis

Zhendong Wu, Tetsuya Tohei, Masayuki Imanishi, Yusuke Mori, Kazushi Sumitani, Yasuhiko Imai, Shigeru Kimura, Akira Sakai

APL Machine Learning 3(3) 2025年8月20日
Suppression of Inclusions in GaN Crystals Caused by Giant Steps During Na-Flux Growth through the Flux-Film-Coated Technique

Masayuki Imanishi, Kanako Okumura, Kosuke Murakami, Kosuke Nakamura, Keisuke Kakinouchi, Kenichi Kawabata, Shigeyoshi Usami, Yusuke Mori

Crystal Growth & Design 25(15) 6277-6286 2025年7月15日筆頭著者責任著者
High-speed and long-time growth of GaN by suppressing gas-phase reaction in the oxide vapor phase epitaxy method

Shigeyoshi Usami, Ayumu Shimizu, Ritsuko Higashiyama, Masayuki Imanishi, Junichi Takino, Tomoaki Sumi, Yoshio Okayama, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura, Masahiko Hata …

Japanese Journal of Applied Physics 64(5) 055504-1-055504-5 2025年5月1日査読有り
Effects of morphology during coalescence of GaN crystals on dislocation behavior in the Na-flux point seed technique

Ryotaro Sasaki, Masayuki Imanishi, Shogo Washida, Kosuke Murakami, Shigeyoshi Usami, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

Japanese Journal of Applied Physics 64(5) 055502-1-055502-10 2025年5月1日査読有り責任著者
Thermal conductivity of GaN with a vacancy and an oxygen point defect

Takahiro Kawamura, Ryogo Nishiyama, Toru Akiyama, Shigeyoshi Usami, Masayuki Imanishi, Yusuke Mori, Masashi Yoshimura

Journal of Crystal Growth 649 127948-1-127948-6 2025年1月査読有り
Effects of adding methane on the growth and electrical properties of GaN in oxide vapor phase epitaxy

S. Usami, R. Higashiyama, M. Imanishi, J. Takino, T. Sumi, Y. Okayama, M. Yoshimura, M. Hata, M. Isemura, Y. Mori

Journal of Applied Physics 136(8) 2024年8月28日
Characteristics of Vertical Transistors on a GaN Substrate Fabricated via Na‐Flux Method and Enlargement of the Substrate Surpassing 6 Inches

Masayuki Imanishi, Shigeyoshi Usami, Kosuke Murakami, Kanako Okumura, Kosuke Nakamura, Keisuke Kakinouchi, Yohei Otoki, Tomio Yamashita, Naohiro Tsurumi, Satoshi Tamura …

physica status solidi (RRL) – Rapid Research Letters 18(11) 2400106-1-2400106-10 2024年6月26日査読有り筆頭著者
Analysis of local strain fields around individual threading dislocations in GaN substrates by nanobeam x-ray diffraction

T. Hamachi, T. Tohei, Y. Hayashi, S. Usami, M. Imanishi, Y. Mori, K. Sumitani, Y. Imai, S. Kimura, A. Sakai

Journal of Applied Physics 135(22) 2024年6月11日
Calcium phosphate controls nucleation and growth of calcium oxalate crystal phases in kidney stones

Uta MICHIBATA, Mihoko MARUYAMA, Yutaro TANAKA, Masashi YOSHIMURA, Hiroshi YOSHIKAWA, Kazufumi TAKANO, Yoshihiro FURUKAWA, Koichi MOMMA, Rie TAJIRI, Kazumi TAGUCHI …

Biomedical Research (Tokyo) 45(3) 103-113 2024年6月3日査読有り
The impact of crystal phase transition on the hardness and structure of kidney stones

Uta Michibata, Mihoko Maruyama, Yutaro Tanaka, Masashi Yoshimura, Hiroshi Y. Yoshikawa, Kazufumi Takano, Yoshihiro Furukawa, Koichi Momma, Rie Tajiri, Kazumi Taguchi …

Urolithiasis 52(1) 2024年4月2日査読有り
Origin of Black Color in Heavily Doped n‐Type GaN Crystal

Tomoaki Sumi, Junichi Takino, Yoshio Okayama, Shigeyoshi Usami, Masayuki Imanishi, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

physica status solidi (b) 261(11) 2400027-1-2400027-7 2024年3月16日査読有り
Suppression of polycrystal nucleation by methane addition at moderate timing to maintain GaN crystal growth on point seeds in the Na-flux method

Kazuma Hamada, Masayuki Imanishi, Kosuke Murakami, Shigeyoshi Usami, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

Journal of Crystal Growth 627 127522-1-127522-6 2024年2月査読有り責任著者
Preparation of a freestanding GaN substrate in the Na-flux method by laser-assisted separation

Kazuma Hamada, Masayuki Imanishi, Kosuke Murakami, Shigeyoshi Usami, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

Japanese Journal of Applied Physics 62(12) 125503-1-125503-6 2023年12月1日査読有り責任著者
Conduction mechanism of Schottky contacts fabricated on etch pits originating from single threading dislocation in a highly Si-doped HVPE GaN substrate

Toshikazu Sato, Takeaki Hamachi, Tetsuya Tohei, Yusuke Hayashi, Masayuki Imanishi, Shigeyoshi Usami, Yusuke Mori, Akira Sakai

Materials Science in Semiconductor Processing 167 2023年11月15日
Elastic constants of GaN grown by oxide-vapor-phase-epitaxy method

Hiroki Fukuda, Akira NAGAKUBO, Shigeyoshi Usami, Masayuki Imanishi, Yusuke Mori, Hirotsugu OGI

Applied Physics Express 17(1) 2023年11月10日
Reducing GaN crystal dislocations through lateral growth on uneven seed crystal surfaces using the Na-flux method

Shogo Washida, Masayuki Imanishi, Ricksen Tandryo, Kazuma Hamada, Kosuke Murakami, Shigeyoshi Usami, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

Japanese Journal of Applied Physics 62(10) 105503-1-105503-7 2023年10月1日査読有り責任著者
Observation of Anthracene Crystallization under Irradiation of Terahertz Free-Electron Laser

Y.W. Wang, M. Maruyama, M. Ota, K. Kato, V.C. Agulto, V.K. Mag-Usara, H.Y. Yoshikawa, K. Tsukamoto, Y. Tsuri, G. Isoyama …

2023 48th International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves (IRMMW-THz) 1-2 2023年9月17日
Monitoring of GaN crystal growth rate in the Na flux growth via electroresistometry of Ga-Na solution

Ricksen Tandryo, Koichi Itozawa, Kosuke Murakami, Hitoshi Kubo, Masayuki Imanishi, Shigeyoshi Usami, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

Journal of Crystal Growth 617 127292-1-127292-8 2023年9月査読有り責任著者
Thermodynamic analysis of oxide vapor phase epitaxy of GaN

Yuki Sakurai, Shigeyoshi Usami, Masayuki Imanishi, Tomoaki Sumi, Junichi Takino, Yoshio Okayama, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura, Masahiko Hata, Masashi Isemura …

Journal of Applied Physics 134(8) 2023年8月28日

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MISC

点欠陥がGaNの熱伝導率に与える影響

西山稜悟, 河村貴宏, 秋山亨, 宇佐美茂佳, 今西正幸, 吉村政志, 吉村政志, 森勇介

結晶成長国内会議予稿集(CD-ROM) 52nd 2023年
ヒト尿路結石を用いたシュウ酸カルシウム二水和物の結晶表面における溶解の観察

道端詩, 丸山美帆子, 丸山美帆子, 田中勇太朗, 田中勇太朗, 吉村政志, 西村良浩, 植村真結, 塚本勝男, 塚本勝男 …

結晶成長国内会議予稿集(CD-ROM) 52nd 2023年
Naフラックスポイントシード法におけるGaN結晶品質の種結晶オフ角依存性

鷲田将吾, TANDRYO Ricksen, 中島達彦, 村上航介, 今西正幸, 宇佐美茂佳, 丸山美帆子, 吉村政志, 森勇介

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 69th 2022年
Naフラックス法における成長速度制御によるGaN結晶の再成長界面における新たに発生した貫通転位の抑制【JST・京大機械翻訳】|||

Yamauchi Hyoga, Tandryo Ricksen, Yamada Takumi, Murakami Kosuke, Usami Shigeyoshi, Imanishi Masayuki, Maruyama Mihoko, Maruyama Mihoko, Maruyama Mihoko, Yoshimura Masashi …

Japanese Journal of Applied Physics (Web) 61(5) 2022年
超低抵抗・低転位密度GaN 基板の開発とデバイス応用

滝野淳一, 隅智亮, 宇佐美茂佳, 今西正幸, 岡山芳央, 森勇介

日本結晶成長学会誌 48(3) 3-02 2021年11月
ポイントシード技術を用いたNa フラックス法による高品質・大口径GaN ウエハの作製

今西正幸, 村上航介, 宇佐美茂佳, 丸山美帆子, 吉村政志, 森勇介

日本結晶成長学会誌 48(3) 3-01 2021年11月査読有り筆頭著者
テラヘルツ自由電子レーザーを用いたアントラセンの結晶核形成誘起

丸山美帆子, 丸山美帆子, 丸山美帆子, 中嶋誠, 吉川洋史, 塚本勝男, WANG Y. W., 太田雅人, 釣優香, 磯山悟朗 …

結晶成長国内会議予稿集(CD-ROM) 50th 2021年
ナノビームX線回折によるHVPE-GaNバルク結晶における単独貫通転位周辺の局所歪解析

濱地威明, 藤平哲也, 林侑介, 宇佐美茂佳, 今西正幸, 森勇介, 隅谷和嗣, 今井康彦, 木村滋, 酒井朗

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 68th 2021年
ナノビームX線回折によるOVPE成長GaN結晶の微細構造解析

栗谷淳, 藤平哲也, 濱地威明, 林侑介, 滝野淳一, 隅智亮, 宇佐美茂佳, 今西正幸, 森勇介, 隅谷和嗣 …

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 68th 2021年
Naフラックスポイントシード法で作製した大口径GaN結晶における転位の対消滅

今西正幸

アトミックデザイン研究センターアニュアルレポート 7 20-21 2020年5月筆頭著者責任著者
Naフラックス法における電気抵抗測定を用いた結晶成長に伴う溶液状態変化のモニタリング

糸澤孝一, RICKSEN Tandryo, 村上航介, 今西正幸, 吉村政志, 森勇介

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 67th 2020年
Dynamic温度成長条件によるNaフラックス中の窒素高濃度化

TANDRYO Ricksen, 村上航介, 山田拓海, 北村智子, 今西正幸, 吉村政志, 森勇介

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 67th 2020年
Na-flux-GaN上に育成したHVPE-GaNバルク単結晶における貫通転位の形態と漏れ電流特性の評価

濱地威明, 藤平哲也, 林侑介, 今西正幸, 森勇介, 酒井朗

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 67th 2020年
尿路結石形成機序解明に向けたシュウ酸カルシウム結晶の溶媒媒介相転移の観察

久住翔太, 丸山美帆子, 丸山美帆子, 丸山美帆子, 門馬綱一, 古川善博, 杉浦悠紀, 田中勇太朗, 田尻理恵, 宇佐美茂佳 …

結晶成長国内会議予稿集(CD-ROM) 49th 2020年
Naフラックス法によるGaN結晶の大口径化とその光学特性評価

今西正幸

大阪大学低温センターだより (170) 2-7 2020年1月筆頭著者責任著者
結晶成長国際会議(ICCGE-19/OMVPE-19)報告

今西正幸

Crystal Letters 72 41-41 2019年9月筆頭著者責任著者
Naフラックスポイントシード法による高品質GaN結晶の大口径化

今西正幸

アトミックデザイン研究センターアニュアルレポート 6 20-21 2019年5月筆頭著者責任著者
Naフラックス法GaN基板中で消滅する転位のバーガース・ベクトル同定

藤田優, 津坂佳幸, 松井純爾, 今西正幸, 森勇介

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 80th 2019年
Naフラックス法における4端子法抵抗測定を用いた窒素溶解量のモニタリング

TANDRYO Ricksen, 村上航介, 山田拓海, 北村智子, 今西正幸, 吉村政志, 森勇介

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 66th 2019年
NaフラックスGaNバルク単結晶の単独転位における漏れ電流特性とバーガースベクトルの解析

濱地威明, 藤平哲也, 今西正幸, 森勇介, 酒井朗

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 66th 2019年

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書籍等出版物

次世代パワー半導体の開発・評価と実用化

森勇介, 今西正幸, 森山実希 (担当:共著, 範囲:第2節 Naフラックス法によるGaN結晶育成技術の進展とその社会実装の展望)

エヌ・ティー・エス 2022年2月18日 (ISBN: 4860437675)

主要な講演・口頭発表等

313

ポイントシード技術を用いたNaフラックス法による高品質・大口径GaNウエハの作製

今西正幸, 村上航介, 宇佐美茂佳, 丸山美帆子, 吉村政志, 森勇介

第50回結晶成長国内会議 2021年10月27日日本結晶成長学会
Naフラックスポイントシード法における薄液を活用した GaN結晶の横方向成長促進

今西正幸, 村上航介, 山田拓海, 垣之内啓介, 中村幸介, 北村智子, 奥村加奈子, 吉村政志, 森勇介

第81回応用物理学会秋季学術講演会 2020年9月10日招待有り
Naフラックスポイントシード法による低転位・大口径GaN結晶成長

今西正幸, 村上航介, 宇佐美茂佳, 吉村政志, 森勇介

第12回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会 2020年7月31日招待有り
Naフラックスポイントシード法を用いたGaN結晶成長と新しい試み

今西正幸, 村上航介, 奥村加奈子, 中村幸介, 垣之内啓介, 北村智子, 吉村政志, 森勇介

第67回応用物理学会春季学術講演会 2020年3月14日
Naフラックスポイントシード法におけるGaN結晶成長面制御による格子定数の均一化

今西正幸, 村上航介, 垣之内啓介, 中村幸介, 今出完, 吉村政志, 森勇介

第65回応用物理学会春季学術講演会 2018年3月18日
Na-Flux Growth on the Tiling HVPE Wafer for the Suppression of V-Shape Valley Formation at the Coalescence Boundary

M. Imanishi, K. Murakami, M. Honjo, H. Imabayashi, D. Matsuo, M. Maruyama, M. Imade, M. Yoshimura, T. Yoshida, T. Kitamura, M. Shibata, Y. Mori

International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2016) 2016年10月5日

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所属学協会

共同研究・競争的資金等の研究課題

グラフェンを用いたヘテロエピタキシャル成長の改善

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 2024年4月 - 2029年3月

成塚重弥, 今西正幸, 上山智, 丸山隆浩
OVPE法を用いたMgイオン注入GaNの新規活性化プロセス開発

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 2025年4月 - 2028年3月

宇佐美茂佳, 今西正幸, 本田善央
Naフラックス法における三次元成長モードを活用したデバイスキラー欠陥抑制技術の開発

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 2025年4月 - 2028年3月

今西正幸, 藤平哲也, 津坂佳幸, 宇佐美茂佳
OVPE法による口径拡大・超厚膜GaNインゴット作製技術

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(A) 2023年4月 - 2026年3月

森勇介, 今西正幸, 宇佐美茂佳
毒性ガスフリーのOVPE法による高品質酸化ガリウム結晶成長技術

日本学術振興会科学研究費助成事業挑戦的研究(萌芽) 挑戦的研究(萌芽) 2021年7月 - 2023年3月

今西正幸
酸化ガリウムを原料とした気相法による低転位GaN結晶の厚膜成長技術開発

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 基盤研究(B) 2020年4月 - 2023年3月

今西正幸, 上殿明良, 津坂佳幸, 河村貴宏
Naフラックス法を用いた無欠陥GaN結晶大口径化技術の研究開発

日本学術振興会科学研究費助成事業若手研究若手研究 2018年4月 - 2020年3月

今西正幸
マイクロチャネルエピタキシーを用いた高品質・大口径GaN基板の作製

東北大学金属材料研究所共同利用 2017年
Ｎａフラックス法を用いた低反り・低欠陥窒化ガリウムウエハ作製技術の研究開発

日本学術振興会科学研究費助成事業特別研究員奨励費特別研究員奨励費 2014年4月 - 2016年3月

今西正幸

産業財産権

WO2013-105618 III族窒化物結晶の製造方法、III族窒化物結晶および半導体装置

森勇介, 今出完, 吉村政志, 平尾美帆子, 今西正幸
特許5904421 III族窒化物結晶および半導体装置の製造方法

森勇介, 今出完, 吉村政志, 平尾美帆子, 今西正幸
特許第5904421号 III族窒化物結晶および半導体装置の製造方法

森勇介, 今出完, 吉村政志, 平尾美帆子, 今西正幸
特開2016-150871 ＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法、ＩＩＩ族窒化物結晶および半導体装置

竹内正太郎, 酒井朗, 浅津宏伝, 森勇介, 今出完, 吉村政志, 平尾美帆子, 今西正幸
特開2017-122013 窒化物結晶基板の製造方法および結晶成長用基板

森勇介, 吉村政志, 今出完, 今西正幸, 柴田真佐知, 吉田丈洋
特許第6604205号窒化物結晶基板の製造方法および結晶成長用基板

森勇介, 吉村政志, 今出完, 今西正幸, 柴田真佐知, 吉田丈洋
特許6604205 窒化物結晶基板の製造方法および結晶成長用基板

森勇介, 吉村政志, 今出完, 今西正幸, 柴田真佐知, 吉田丈洋
特開2017-200858 窒化物結晶基板の製造方法および結晶成長用基板

森勇介, 吉村政志, 今出完, 今西正幸, 柴田真佐知, 吉田丈洋
特許6731590 窒化物結晶基板の製造方法および結晶成長用基板

森勇介, 吉村政志, 今出完, 今西正幸, 柴田真佐知, 吉田丈洋
特許第6731590号窒化物結晶基板の製造方法

森勇介, 吉村政志, 今出完, 今西正幸, 柴田真佐知, 吉田丈洋
特開2018-058718 ＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法、半導体装置およびIII族窒化物結晶製造装置

森勇介, 吉村政志, 今出完, 今西正幸, 北本啓, 伊勢村雅士
特開2019-029568 半導体積層物の製造方法および窒化物結晶基板の製造方法

吉田丈洋, 柴田真佐知, 北村寿朗, 森勇介, 吉村政志, 今出完, 今西正幸
特許6906205 半導体積層物の製造方法および窒化物結晶基板の製造方法

吉田丈洋, 柴田真佐知, 北村寿朗, 森勇介, 吉村政志, 今出完, 今西正幸
特許第6906205号半導体積層物の製造方法および窒化物結晶基板の製造方法

吉田丈洋, 柴田真佐知, 北村寿朗, 森勇介, 吉村政志, 今出完, 今西正幸
特開2019-055901 III-V族化合物結晶の製造方法および半導体装置の製造方法

森勇介, 吉村政志, 今出完, 今西正幸, 森數洋司, 田畑晋, 諸徳寺匠
特許第7117690号 III-V族化合物結晶の製造方法および半導体装置の製造方法

森勇介, 吉村政志, 今出完, 今西正幸, 森數洋司, 田畑晋, 諸徳寺匠
特許7117690 ＩＩＩ－V族化合物結晶の製造方法および半導体装置の製造方法

森勇介, 吉村政志, 今出完, 今西正幸, 森數洋司, 田畑晋, 諸徳寺匠
特開2019-151519 III族窒化物結晶の製造方法

森勇介, 今西正幸, 吉村政志, 村上航介, 岡山芳央
特許第7072769号 III族窒化物結晶の製造方法

森勇介, 今西正幸, 吉村政志, 村上航介, 岡山芳央
特許7072769 ＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法

森勇介, 今西正幸, 吉村政志, 村上航介, 岡山芳央

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今西正幸

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研究分野

経歴

学歴

委員歴

受賞

論文

MISC

書籍等出版物

主要な講演・口頭発表等

所属学協会

共同研究・競争的資金等の研究課題

産業財産権

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