特許権 III族窒化物結晶の製造方法 パナソニック株式会社 多田 昌浩, 小松 真介, 森 勇介, 今西 正幸 出願番号 特願2018-083157 出願日 2018年4月24日 公開番号 特開2019-189486 公開日 2019年10月31日 出願国 国内 炉内部材に損傷を与えないで, ベース基板からIII族窒化物単結晶への応力を抑えたIII族窒化物単結晶を得るIII族窒化物結晶の製造方法
