新田州吾 (Shugo Nitta) - マイポータル

基本情報

所属: 三重大学研究基盤推進機構半導体･デジタル未来創造センター教授

学位: 博士（工学）(名城大学)

researchmap会員ID: 7000027019

研究キーワード

窒化物半導体

研究分野

ナノテク・材料 / 結晶工学 /

経歴

2025年2月 - 現在

三重大学, 研究基盤推進機構半導体・デジタル未来創造センター, 教授 (教授)
2015年10月 - 2025年1月

名古屋大学, 未来材料・システム研究所附属未来エレクトロニクス集積研究センター未来デバイス部, 特任准教授
2008年1月 - 2015年9月

豊田合成株式会社
2007年4月 - 2008年1月

エルシード株式会社
2005年12月 - 2007年3月

名城大学21世紀COEプログラム「ナノファクトリー」研究員
2003年4月 - 2005年11月

日本イー・エム・シー株式会社

学歴

2000年4月 - 2003年3月

名城大学, 理工学研究科, 電気電子工学専攻
1998年4月 - 2000年3月

名城大学, 理工学研究科, 電気電子工学専攻
1994年4月 - 1998年3月

名城大学, 理工学部, 電気電子工学科

論文

Chemical vapor deposition of compound semiconductors: process simulation and experimental validation

Yoshihiro Kangawa, Akira Kusaba, Toru Akiyama, Shugo Nitta, Motoaki Iwaya, Hideto Miyake, Paweł Kempisty, Marta A. Chabowska, Hristina Popova, Magdalena A. Załuska-Kotur

Applied Physics Express 2026年1月1日
Highly Oriented Epitaxial Hexagonal Boron Nitride Multilayers on High‐Temperature‐Resistant Single‐Crystal Aluminum Nitride (0001)

Xu Yang, Markus Pristovsek, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Akihiro Ohtake, Yoshiki Sakuma, Takanobu Hiroto, Takayuki Ishida, Michio Ikezawa, Qixin Guo …

Advanced Science 2025年9月29日
Modeling and Designing a GaN-Growth Reactor With Halogen-Free Vapor Phase Epitaxy: NH3 Decomposition at the Catalytic Surface of Components to Replicate Parasitic Polycrystal Formation

Hiroki Shimazu, Shin-Ichi Nishizawa, Shugo Nitta, Hiroshi Amano, Daisuke Nakamura

IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing 2025年5月
Sn-doped n-type GaN freestanding layer: Thermodynamic study and fabrication by halide vapor phase epitaxy

Kazuki Ohnishi, Kansuke Hamasaki, Shugo Nitta, Naoki Fujimoto, Hirotaka Watanabe, Yoshio Honda, Hiroshi Amano

Journal of Crystal Growth 2024年12月
Optical activation of praseodymium ions implanted in gallium nitride after ultra-high pressure annealing

Shin Ito, Shin ichiro Sato, Michał S. Boćkowski, Manato Deki, Hirotaka Watanabe, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, Ken ichi Yoshida, Hideaki Minagawa …

Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms 547 2024年2月
Sn-doped n-type GaN layer with high electron density of 1020 cm−3 grown by halide vapor phase epitaxy

Kansuke Hamasaki, Kazuki Ohnishi, Shugo Nitta, Naoki Fujimoto, Hirotaka Watanabe, Yoshio Honda, Hiroshi Amano

Journal of Crystal Growth 628 127529-127529 2024年2月
Impacts of off-angle and off-direction on surface morphology of GaN grown by metalorganic vapor phase epitaxy on (0001) GaN substrate

Hirotaka Watanabe, Shugo Nitta, Yuto Ando, Kazuki Ohnishi, Yoshio Honda, Hiroshi Amano

Journal of Crystal Growth 628 127552-127552 2024年2月
Impurity reduction in lightly doped n-type gallium nitride layer grown via halogen-free vapor-phase epitaxy

T. Kimura, H. Shimazu, K. Kataoka, K. Itoh, T. Narita, A. Uedono, Y. Tokuda, D. Tanaka, S. Nitta, H. Amano …

Applied Physics Letters 124(5) 2024年1月29日
GaN有機金属気相成長におけるデジタルツイン開発の現状（特集「エピタキシャル成長の量子論における新展開：シミュレーションからデジタルツインへ」）

草場彰, 寒川義裕, 久保山哲二, 新田州吾, 白石賢二, 押山淳

日本結晶成長学会誌 50(1) 50-1-05 2023年4月28日査読有り
Lateral p-type GaN Schottky barrier diode with annealed Mg ohmic contact layer demonstrating ideal current-voltage characteristic

Lu, S., Deki, M., Kumabe, T., Wang, J., Ohnishi, K., Watanabe, H., Nitta, S., Honda, Y., Amano, H.

Applied Physics Letters 122(14) 2023年4月3日査読有り
Red emission from InGaN active layer grown on nanoscale InGaN pseudosubstrates

Wentao Cai, Jia Wang, Jeong-Hwan Park, Yuta Furusawa, Heajeong Cheong, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Markus Pristovsek, Hiroshi Amano

Japanese Journal of Applied Physics 62(2) 020902-020902 2023年2月1日
Investigation of Electrical Properties of N-Polar AlGaN/AlN Heterostructure Field-Effect Transistors

Inahara, D., Matsuda, S., Matsumura, W., Okuno, R., Hanasaku, K., Kowaki, T., Miyamoto, M., Yao, Y., Ishikawa, Y., Tanaka, A. …

Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science 220(16) 2023年
Photon extraction enhancement of praseodymium ions in gallium nitride nanopillars

Shin-ichiro Sato, Shuo Li, Andrew D. Greentree, Manato Deki, Tomoaki Nishimura, Hirotaka Watanabe, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, Brant C. Gibson …

Scientific Reports 12(1) 2022年12月8日
Substitutional diffusion of Mg into GaN from GaN/Mg mixture

Yuta Itoh, Shun Lu, Hirotaka Watanabe, Manato Deki, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Atsushi Tanaka, Hiroshi Amano

Applied Physics Express 15(11) 116505-116505 2022年11月1日
Tuning the p-type doping of GaN over three orders of magnitude via efficient Mg doping during halide vapor phase epitaxy

Kazuki Ohnishi, Naoki Fujimoto, Shugo Nitta, Hirotaka Watanabe, Shun Lu, Manato Deki, Yoshio Honda, Hiroshi Amano

Journal of Applied Physics 132(14) 2022年10月14日査読有り
Surface kinetics in halide vapor phase epitaxial growth of GaN layers on GaN (0001) freestanding substrates

Ohnishi, K., Fujimoto, N., Nitta, S., Watanabe, H., Honda, Y., Amano, H.

Journal of Crystal Growth 592 126749-126749 2022年8月査読有り
Space–Charge Profiles and Carrier Transport Properties in Dopant‐Free GaN‐Based p‐n Junction Formed by Distributed Polarization Doping

Takeru Kumabe, Seiya Kawasaki, Hirotaka Watanabe, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Hiroshi Amano

physica status solidi (RRL) – Rapid Research Letters 16(7) 2022年7月
“Regrowth-free” fabrication of high-current-gain AlGaN/GaN heterojunction bipolar transistor with N-p-n configuration

Takeru Kumabe, Hirotaka Watanabe, Yuto Ando, Atsushi Tanaka, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Hiroshi Amano

Applied Physics Express 15(4) 046506-046506 2022年4月1日
Mechanism and enhancement of anti-parasitic-reaction catalytic activity of tungsten-carbide-coated graphite components for the growth of bulk GaN crystals

Daisuke Nakamura, Kazuyoshi Iida, Kayo Horibuchi, Yuko Aoki, Naoko Takahashi, Yuto Mori, Miki Moriyama, Shugo Nitta, Hiroshi Amano

Applied Physics Express 2022年4月1日
Effect of beam current on defect formation by high-temperature implantation of Mg ions into GaN

Yuta Itoh, Hirotaka Watanabe, Yuto Ando, Emi Kano, Manato Deki, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Atsushi Tanaka, Nobuyuki Ikarashi, Hiroshi Amano

Applied Physics Express 15(2) 021003-021003 2022年2月

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MISC

窒化ガリウムにイオン注入したプラセオジムのX線吸収微細構造

佐藤真一郎, 横塚恵莉, 圓谷志郎, 長澤尚胤, 齋藤寛之, 辻卓也, 松村大樹, 伊藤慎, 出来真斗, 本田善央 …

応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 86th 2025年
窒化ガリウム半導体における単一イオンヒット検出条件の検討

藤田泰樹, 藤田泰樹, 佐藤真一郎, 出来真斗, 渡邊浩崇, 新田州吾, 本田善央, 天野浩, 天野浩, 土田秀次

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 70th 2023年
希土類イオン注入したGaNの超高圧熱処理による発光特性および結晶構造の変化

伊藤慎, 伊藤慎, 佐藤真一郎, BOCKOWSKI Michal, 出来真斗, 渡邉浩崇, 新田州吾, 本田善央, 天野浩, 天野浩 …

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 70th 2023年
GaN HEMTを用いたGated-Anodeダイオードのマイクロ波整流特性—Microwave Rectifier Characteristics of Gated-Anode GaN HEMT based Diode—電子デバイス研究会高機能化合物半導体エレクトロニクス技術と将来システムへの応用(第2期)

分島彰男, 土屋洋一, 安藤裕二, 高橋英匡, 新田州吾, 柳生栄治, 林宏暁, 伊東健治, 坂井尚貴

電気学会研究会資料. EDD = The papers of technical meeting on electron devices, IEE Japan / 電子デバイス研究会 [編] 2022(17-25) 41-45 2022年3月9日
窒化ガリウム中プラセオジムの発光を利用したナノスケール領域温度計測

佐藤真一郎, 佐藤真一郎, 出来真斗, 西村智朗, 渡邉浩崇, 新田州吾, 本田善央, 天野浩, GREENTREE Andrew D., GIBSON Brant C. …

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 82nd 2021年
窒化ガリウムナノピラー中プラセオジム(Pr)の室温での発光強度増幅

佐藤真一郎, 佐藤真一郎, 出来真斗, LI Shuo, 渡邉浩崇, 新田州吾, 本田善央, 西村智朗, GIBSON Brant C., GREENTREE Andrew D. …

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 67th 2020年
Comparing high-purity c- and m-plane GaN layers for Schottky barrier diodes grown homoepitaxially by metalorganic vapor phase epitaxy

Nagamatsu, K., Ando, Y., Ye, Z., Barry, O.L., Tanaka, A., Deki, M., Nitta, S., Honda, Y., Pristovsek, M., Amano, H.

Japanese Journal of Applied Physics 57(10) 2018年10月
m-Plane GaN Schottky Barrier Diodes Fabricated With MOVPE Layer on Several Off-Angle m-Plane GaN Substrates

Tanaka, A., Ando, Y., Nagamatsu, K., Deki, M., Cheong, H., Ousmane, B., Kushimoto, M., Nitta, S., Honda, Y., Amano, H.

Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science 215(9) 2018年5月9日
Interface amorphization in hexagonal boron nitride films on sapphire substrate grown by metalorganic vapor phase epitaxy

Yang, X., Nitta, S., Pristovsek, M., Liu, Y., Nagamatsu, K., Kushimoto, M., Honda, Y., Amano, H.

Applied Physics Express 11(5) 2018年5月
Correlation between dislocations and leakage current of p-n diodes on a free-standing GaN substrate

Usami, S., Ando, Y., Tanaka, A., Nagamatsu, K., Deki, M., Kushimoto, M., Nitta, S., Honda, Y., Amano, H., Sugawara, Y. …

Applied Physics Letters 112(18) 2018年4月30日
-c面GaN基板上のGaNのMOVPE成長における酸素低減の研究 (電子部品・材料)

河野司, 久志本真希, 永松謙太郎, 新田州吾, 本田善央, 天野浩

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 117(332) 19-22 2017年11月30日
Preflow trimethylaluminum treatment effect on GaN growth on SiC with an ultrathin interlayer

Sun, Z., Nagamatsu, K., Olsson, M., Song, P., Deki, M., Nitta, S., Honda, Y., Amano, H.

Japanese Journal of Applied Physics 55(5) 05FB06/1-5 2016年4月14日査読有り
Evaluation of excess in during metal organic vapor-phase epitaxy growth of InGaN by monitoring via in situ laser scattering

Yamamoto, T., Tamura, A., Usami, S., Mitsunari, T., Nagamatsu, K., Nitta, S., Honda, Y., Amano, H.

Japanese Journal of Applied Physics 55(5) 05FD03/1-4 2016年4月7日査読有り
Dependence of DAP emission properties on impurity concentrations in N-/B-co-doped 6H-SiC

Murata, S., Nakamura, Y., Maeda, T., Shibata, Y., Ikuta, M., Sugiura, M., Nitta, S., Iwaya, M., Kamiyama, S., Amano, H. …

Materials Science Forum 556-557 335-338 2007年査読有り
Growth of GaN on ZrB ₂ substrate by metal-organic vapor phase epitaxy

Tomida, Y., Nitta, S., Kamiyama, S., Amano, H., Akasaki, I., Otani, S., Kinoshita, H., Liu, R., Bell, A., Ponce, F.A.

Applied Surface Science 216(1-4 SPEC.) 502-507 2003年査読有り
In-plane GaN/AlGaN heterostructure fabricated by selective mass transport planar technology

Nitta, S., Yukawa, Y., Watanabe, Y., Kosaki, M., Iwaya, M., Yamaguchi, S., Amano, H., Akasaki, I.

Materials Science and Engineering: B 93(1-3) 139-142 2002年査読有り
Electrical properties of strained AlN/GaN superlattices on GaN grown by metalorganic vapor phase epitaxy

Yamaguchi, S., Iwamura, Y., Watanabe, Y., Kosaki, M., Yukawa, Y., Nitta, S., Kamiyama, S., Amano, H., Akasaki, I.

Applied Physics Letters 80(5) 802-804 2002年査読有り
MOVPE growth and characterization of Al_1-xIn_xN/GaN multiple layers

Kosaki, M., Mochizuki, S., Nakamura, T., Watanabe, Y., Yukawa, Y., Nitta, S., Yamaguchi, S., Amano, H., Akasaki, I.

Journal of Crystal Growth 237-239(1 4II) 968-971 2002年査読有り
Control of strain in GaN by a combination of H₂ and N₂ carrier gases

Yamaguchi, S., Kariya, M., Kosaki, M., Yukawa, Y., Nitta, S., Amano, H., Akasaki, I.

Journal of Applied Physics 89(12) 7820-7824 2001年査読有り
Metalorganic vapor phase epitaxy growth of crack-free AIN on GaN and its application to high-mobility AIN/GaN superlattices

Yamaguchi, S., Kosaki, M., Watanabe, Y., Yukawa, Y., Nitta, S., Amano, H., Akasaki, I.

Applied Physics Letters 79(19) 3062-3064 2001年査読有り

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所属学協会

共同研究・競争的資金等の研究課題

半導体化学気相成長の科学

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(A) 2024年4月 - 2028年3月

寒川義裕, 草場彰, 杉山佳奈美, 新田州吾
HVPE法によるGaNのpn接合周期構造の高速成長とSJダイオードの作製

日本学術振興会科学研究費助成事業挑戦的研究(萌芽) 2022年6月 - 2024年3月

本田善央, 田中敦之, 新田州吾

産業財産権

特開2025-019751 窒化ガリウムの製造方法、窒化ガリウムの気相成長装置および窒化ガリウム基板

新田州吾, ▲濱▼▲崎▼ 乾輔, 大西一生, 天野浩
特開2025-017204 半導体装置の製造方法

喜田弘文, 新田州吾, 渡邉浩崇, 天野浩, 本田善央
特許12009206 気相成長装置

新田州吾, 本田善央, 永松謙太郎, 天野浩, 藤元直樹
特許202080096102.1 窒化ガリウムの気相成長装置および製造方法

新田州吾, 大西一生, 天野裕己, 藤元直樹, 天野浩
特許第7479011号六方晶窒化ホウ素薄膜の製造方法

楊旭, 天野浩, プリストフセクマーコス, 新田州吾, 本田善央, 川原田洋, 小出康夫
特許11869767 窒化ガリウムの気相成長装置および製造方法

新田州吾, 大西一生, 天野裕己, 藤元直樹, 天野浩
特開2023-122607 半導体素子とその製造方法

佐藤壽朗, 上村俊也, 神谷真央, 天野浩, 加地徹, 新田州吾, 出来真斗, 田中敦之, 本田善央
特許11591717 気相成長装置

新田州吾, 本田善央, 永松謙太郎, 天野浩, 藤元直樹
特開2022-117802 ウエハパッケージおよびその製造方法

新田州吾, 渡邉浩崇, リュウティン, 天野浩
特許201880061909.4 気相成長装置

新田州吾, 本田善央, 永松謙太郎, 天野浩, 藤元直樹
特許第7038405号気相成長装置

新田州吾, 永松謙太郎, 天野浩, 三木伸一, 長尾博文
特開2022-029783 六方晶窒化ホウ素薄膜の製造方法

楊旭, 天野浩, プリストフセクマーコス, 新田州吾, 本田善央, 川原田洋, 小出康夫
特許第7002730号気相成長装置

新田州吾, 藤元直樹, 天野浩
特許第7002731号気相成長装置

新田州吾, 藤元直樹, 天野浩, 本田善央
特許第7002722号気相成長装置

新田州吾, 本田善央, 永松謙太郎, 天野浩
特許第6948091号気相成長装置

新田州吾, 藤元直樹, 天野浩, 本田善央
WO2020-137804 気相成長装置

新田州吾, 藤元直樹, 天野浩, 本田善央
特開2019-196293 気相成長装置

新田州吾, 藤元直樹, 天野浩, 本田善央
特開2019-196292 気相成長装置

新田州吾, 藤元直樹, 天野浩
特開2019-110197 気相成長装置

新田州吾, 永松謙太郎, 天野浩, 三木伸一, 長尾博文

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新田州吾

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