2003年2月
PDECB法をベースとしたストイキオメトリックなⅢ族窒化物の低温エピタキシー法の開発における第一原理分子軌道法の先見的活用
Materials Science in Semiconductor Processing
- ,
- ,
- ,
- ,
- 巻
- 6
- 号
- 1-3
- 開始ページ
- 159
- 終了ページ
- 164
- 記述言語
- 英語
- 掲載種別
- 研究論文（学術雑誌）
- DOI
- 10.1016/s1369-8001(03)00084-2
- ID情報
-
- DOI : 10.1016/s1369-8001(03)00084-2
- ISSN : 1369-8001