EUVリソグラフィは1Xnm以下の半導体微細加工技術として最も期待されている技術である。この中で、高感度、低LWRが要求されている。これらのレジスト性能を実現するためには、EUV光による光化学反応、並びに反応収率を向上させる必要がある。そこで、以下の内容について研究を実施し、材料設計、反応解析の手法、並びに１XnmのEUVレジスト解像性評価のためのEUV干渉露光系の開発を進め、これらの見通しを得るに至った。
今後が、これらの成果を元に金属レジストについて同様の評価を進め、要求仕様を満足するEUVレジスト開発を継続する。