SAHA NILOY CHANDRA (NILOY CHANDRA SAHA) - マイポータル

基本情報

所属: 佐賀大学理工学系理工学部電気電子工学部門助教

学位: 学士（工学）(2012年7月)
修士（工学）(2017年9月)
博士（工学）(2020年9月)

研究者番号: 20933089
ORCID iD: https://orcid.org/0000-0002-7344-2243
J-GLOBAL ID: 202401000972362870
researchmap会員ID: R000075735

研究キーワード

半導体デバイス、パワーエレクトロニクス、ダイヤモンド、ワイドギャップ半導体

研究分野

ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電子デバイス、電子機器 /

学歴

- 2020年9月

佐賀大学, システム創成科学専攻, 電子情報システム学コース
- 2017年9月

佐賀大学, 電気電子工学
- 2012年7月

Khulna University of Engineering and Technology, Electrical and Electronic Engineering

受賞

2018年8月

日本表面真空学会九州支部学術講演会学生講演奨励賞

論文

High power gain cut-off frequency (f _MAX )>120 GHz of a 157-nm T-shaped gated diamond MOSFET with NO ₂ p-type doping

Niloy Chandra Saha, Masanori Eguchi, Yoshiki Muta, Toshiyuki Oishi, Atsushi Tomiki, Makoto Kasu

Japanese Journal of Applied Physics 2025年11月19日査読有り筆頭著者責任著者
(100) Microcracks induced by (1 ± 11) stacking faults in halide vapor deposited (001) β-Ga2O3: Origin of reverse leakage current in Schottky barrier diodes observed by high-sensitive emission microscopy and synchrotron x-ray topography

138(18) 2025年11月10日査読有り
High off-state voltage (4266 V) diamond metal oxide semiconductor field effect transistors

Niloy Chandra Saha, Masanori Eguchi, Toshiyuki Oishi, Makoto Kasu

Journal of Vacuum Science & Technology B 2025年7月1日査読有り筆頭著者責任著者
Dynamic switching operation of diamond MOSFETs with NO2 p-type doping and Al2O3 gate insulation and passivation

Niloy Chandra Saha, Tomoki Shiratsuchi, Masanori Eguchi, Toshiyuki Oishi, Makoto Kasu

Journal of Vacuum Science & Technology B 2024年9月1日査読有り筆頭著者責任著者
Microgrooves with low-index facets in halide vapor deposited (001) β-Ga2O3: origin of reverse leakage current in Schottky barrier diodes observed by high-sensitive emission microscopy and synchrotron X-ray topography

Makoto Kasu, Yuto Otsubo, Sayleap Sdoeung, Masanori Eguchi, Niloy Chandra Saha, Toshiyuki Oishi, Kohei Sasaki, Chia-Hung Lin, Jun Arima, Katsumi Kawasaki …

Applied Physics Express 2024年7月1日査読有り
Long Stress (190 h) Operation of NO₂ p-Type Doped Diamond MOSFETs

Niloy Chandra Saha, Tomoki Shiratsuchi, Seong-Woo Kim, Koji Koyama, Toshiyuki Oishi, Makoto Kasu

IEEE Electron Device Letters 44(6) 975-978 2023年6月査読有り筆頭著者責任著者
Fast Switching NO₂-Doped p-Channel Diamond MOSFETs

Niloy Chandra Saha, Tomoki Shiratsuchi, Seong-Woo Kim, Koji Koyama, Toshiyuki Oishi, Makoto Kasu

IEEE Electron Device Letters 2023年5月査読有り筆頭著者
The improvement of Schottky barrier diodes fabricated only by B ion implantation doping accomplished by refinement of the electrode structure

Yuhei Seki, Niloy Chandra Saha, Seiya Shigematsu, Yasushi Hoshino, Jyoji Nakata, Toshiyuki Oishi, Makoto Kasu

Japanese Journal of Applied Physics 62(4) 040902-040902 2023年4月1日査読有り
1651-V All-Ion-Implanted Schottky Barrier Diode on Heteroepitaxial Diamond With 3.6 × 10⁵ On/Off Ratio

Niloy Chandra Saha, Yuya Irie, Yuhei Seki, Yasushi Hoshino, Jyoji Nakata, Seong-Woo Kim, Toshiyuki Oishi, Makoto Kasu

IEEE Electron Device Letters 2023年2月査読有り筆頭著者
3659-V NO₂ p-Type Doped Diamond MOSFETs on Misoriented Heteroepitaxial Diamond Substrates

Niloy Chandra Saha, Seong-Woo Kim, Koji Koyama, Toshiyuki Oishi, Makoto Kasu

IEEE Electron Device Letters 2023年1月査読有り筆頭著者
Stable AC Stress Operation (100 h) of NO2 p-Type Doped Diamond MOSFETs

Niloy Chandra Saha, Tomoki Shiratsuchi, Toshiyuki Oishi, Makoto Kasu

IEEE Electron Device Letters 2023年査読有り筆頭著者
3326-V Modulation-Doped Diamond MOSFETs

Niloy Chandra Saha, Seong-Woo Kim, Toshiyuki Oishi, Makoto Kasu

IEEE Electron Device Letters 43(8) 1303-1306 2022年8月査読有り筆頭著者
875-MW/cm2 Low-Resistance NO2 p-type Doped Chemical Mechanical Planarized Diamond MOSFETs

Niloy Chandra Saha, Seong-Woo Kim, Toshiyuki Oishi, Makoto Kasu

IEEE Electron Device Letters 1-1 2022年5月査読有り筆頭著者
345-MW/cm² 2608-V NO₂ p-Type Doped Diamond MOSFETs With an Al₂O₃ Passivation Overlayer on Heteroepitaxial Diamond

Niloy Chandra Saha, Seong-Woo Kim, Toshiyuki Oishi, Yuki Kawamata, Koji Koyama, Makoto Kasu

IEEE Electron Device Letters 42(6) 903-906 2021年6月査読有り筆頭著者
Fabrication of diamond modulation-doped FETs by NO₂ delta doping in an Al₂O₃ gate layer

Makoto Kasu, Niloy Chandra Saha, Toshiyuki Oishi, Seong-Woo Kim

Applied Physics Express 14(5) 051004-051004 2021年4月20日査読有り筆頭著者
Observation of nitrogen species at Al2O3/NO2/H-diamond interfaces by synchrotron radiation x-ray photoemission spectroscopy

Niloy Chandra Saha, Kazutoshi Takahashi, Masaki Imamura, Makoto Kasu

Journal of Applied Physics 2020年10月7日査読有り筆頭著者
145-MW/cm² Heteroepitaxial Diamond MOSFETs With NO₂ p-Type Doping and an Al₂O₃ Passivation Layer

Niloy Chandra Saha, Toshiyuki Oishi, Seongwoo Kim, Yuki Kawamata, Koji Koyama, Makoto Kasu

IEEE Electron Device Letters 41(7) 1066-1069 2020年7月査読有り筆頭著者
Improvement of the Al2O3/NO2/H-diamond MOS FET by using Au gate metal and its analysis

Niloy Chandra Saha, Makoto Kasu

Diamond and Related Materials 92 81-85 2019年2月査読有り筆頭著者責任著者
Heterointerface properties of diamond MOS structures studied using capacitance–voltage and conductance–frequency measurements

Niloy Chandra Saha, Makoto Kasu

Diamond and Related Materials 91 219-224 2019年1月査読有り筆頭著者責任著者
Band Alignment of Al₂O₃ Layer Deposited NO and SO₂ Exposed (001) H‐Diamond Heterointerfaces Studied by Synchrotron Radiation X‐Ray Photoelectron Spectroscopy

Niloy C. Saha, Kazutoshi Takahashi, Masaki Imamura, Makoto Kasu

physica status solidi (a) 215(22) 2018年7月26日査読有り筆頭著者

講演・口頭発表等

最大発振周波数(fMAX)>120 GHz ダイヤモンドMOSFET

ニロイチャンドラサハ, 江口正徳, 牟田吉希, 大石敏之, 冨木淳史, 嘉数誠

7a-N322-2 第86回応用物理学会秋季学術講演会
電子ビーム描画によるダイヤモンドMOSFET の 147 nm T 型サブミクロンゲート電極の作製

牟田吉希, ニロイチャンドラサハ, 江口正徳, 大石敏之, 冨木淳史, 嘉数誠

7a-N322-1 第86回応用物理学会秋季学術講演会
大口径ダイヤモンド成長用Ir/サファイア基板の基板微傾斜によるIr 膜高品質化のメカニズムの解明

辻政裕, 江口正徳, サハニロイ, チャンドラ, 嘉数誠

8p-N321-5 第86回応用物理学会秋季学術講演会
積層欠陥・マイクロクラック・転位網組み合わせの(001)面方位 HVPE 型酸化ガリウムショットキーバリアダイオードキラー欠陥

佐藤誠, 江口正徳, ニロイサハチャンドラ, ラオバダリナラヤナ, 林家弘, 佐々木公平, 嘉数誠

9p-N105-19 第86回応用物理学会秋季学術講演会
High Power-Gain Cut-off Frequency (fMAX) = 91 GHz Diamond MOSFETs with a T-shaped 157 nm Gate

Niloy Chandra Saha, Masanori Eguchi, Yoshiki Muta, Toshiyuki Oishi, Makoto Kasu

O2.03 The 35th International Conference on Diamond and Carbon Materials 2025年
3-Inch Ir/ Sapphire Substrate for Large-Area Diamond Wafer Growth and its Misorientation Effect

Masahiro Tsuji, Yuya Ide, Niloy Chandra, Masanori Eguchi, Makoto Kasu

A20 The 18th International Conference on New Diamond and Nano Carbons NDNC2025
High Frequency (fMAX=74 GHz) Diamond MOSFETs with LG=157 nm

Niloy Chandra Saha, Masanori Eguchi, Yoshiki Muta, Toshiyuki Oishi, Makoto Kasu

I-08-2 The 18th International Conference on New Diamond and Nano Carbons NDNC2025
4050 h Continuous Operation of Diamond MOS Field Effect Transistors

Niloy Chandra Saha, Tomoki Shiratsuchi, Toshiyuki Oishi, Masanori Eguchi, Makoto Kasu

B16 The 18th International Conference on New Diamond and Nano Carbons NDNC2025
大口径ダイヤモンド成長用3インチ径Ir/Sapphire基板の作製と基板の微傾斜効果

辻政裕, 井手裕也, サハニロイチャンドラ, 江口正徳, 嘉数誠

14p-K403-1 第72回応用物理学会春季学術講演会
ダイヤモンドMOS 電界効果トランジスタの4050 時間連続動作

サハニロイチャンドラ, 白土智基, 大石敏之, 江口正徳, 嘉数誠

16p-K301-12 第72回応用物理学会春季学術講演会
高電力遮断周波数(fMAX)74 GHzの157nm T型ゲートダイヤモンドMOSFET

ニロイチャンドラサハ, 江口正徳, 牟田吉希, 大石敏之, 嘉数誠

16p-K301-13 第72回応用物理学会春季学術講演会
高感度エミッション顕微鏡およびSEM 観察による(001)面方位HVPE b型酸化ガリウムショットキーバリアダイオードのキラー欠陥の同定

江口正徳, 大坪優斗, ニロイサハチャンドラ, ラオバダリナラヤナ, 林家弘, 佐々木公平, 大石敏之, 嘉数誠

17p-Y1311-9 第72回応用物理学会春季学術講演会
Recent Progress on diamond MOS Interface and High Power Diamond MOSFETs

Niloy Chandra Saha, Makoto Kasu

4th International Diamond Device Workshop
ダイヤモンドMOSFET の作製と長時間連続動作

Tomoki Shiratsuchi, Niloy Chandra Saha, Toshiyuki Oishi, Makoto Kasu

2024 年（令和６年度）応用物理学会九州支部学術講演会
ダイヤモンドMOS 電界効果トランジスタの1440 時間連続動作

白土智基, ニロイチャンドラサハ, 大石敏之, 嘉数誠

第85回応用物理学会秋季学術講演会
高オフ耐圧（4266V）ダイヤモンドMOSFET の作製

ニロイチャンドラサハ, 大石敏之, 嘉数誠

第85回応用物理学会秋季学術講演会
Fast (4.38 ns) dynamic switching operation of NO2-doped p-channel diamond MOSFETs

N. C. Saha, T. Shiratsuchi, M. Eguchi, T. Oishi, M. Kasu

TWHM 2024 15th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics
ダイヤモンドMOSFET の高電圧(1 0 5V スイッチング動作

白土智基, ニロイチャンドラサハ, 大石敏之, 嘉数誠

第71回応用物理学会春季学術講演会2024
Diamond High Power and Voltage MOSFETs: Physics, Fabrication, Static and Dynamic Characterization

M, Kasu, Niloy, Chandra Saha

16th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials / 17th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science / 13th Asia-Pacific International Symposium on the Basics and Applications of Plasma Technology (ISPlasma2024 / IC-PLANTS2024 / APSPT-13) 2024年3月5日招待有り
Recent Progress on diamond MOS Interface and High Power MOSFETs

Niloy Chandra Saha, Makoto Kasu

3rd International Diamond Device Workshop 招待有り

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担当経験のある科目(授業)

2025年4月 - 現在

電気エネルギー工学実験 /電子デバイス工学実験 (佐賀大学)
2025年4月 - 現在

電気電子工学共通実験I (佐賀大学)

所属学協会

2017年7月 - 現在

応用物理学会

共同研究・競争的資金等の研究課題

サファイア、SiC基板上ダイヤモンドヘテロエピタキシャル成長とMOSFETへの応用

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 2025年4月 - 2030年3月

嘉数誠, SAHA・NILOY CHANDRA
Research on Interface Properties and Hole Carrier Transport of High-power Diamond MOSFETs

日本学術振興会科学研究費助成事業若手研究 2025年4月 - 2028年3月

SAHA・NILOY CHANDRA
結晶格子の異なる基板上のインチ径ダイヤモンドのヘテロエピタキシャル成長機構の学理

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 2022年4月 - 2025年3月

嘉数誠, SAHA・NILOY CHANDRA, 高橋和敏, 大石敏之

SAHA NILOY CHANDRA

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研究分野

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論文

講演・口頭発表等

担当経験のある科目(授業)

所属学協会

共同研究・競争的資金等の研究課題

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