ﾐｽﾗｼｬｼｬﾝｸｼｪｶｰ (Shashank Shekhar Mishra) - マイポータル - researchmap

基本情報

所属: 特定国立研究開発法人理化学研究所光量子工学研究センターテラヘルツ量子素子研究チーム特別研究員
: 東北大学理学部博士
: (兼任)理学部修士
: National Institute of Technology Agartala, India 理学部学士号

研究者番号: 81013993
ORCID iD: https://orcid.org/0000-0003-2991-6779
J-GLOBAL ID: 202401003297788552
researchmap会員ID: R000076810

研究キーワード

3

主要な研究分野

2

経歴

3

2021年10月 - 2024年9月

東北大学, 理学部, 博士
2019年10月 - 2021年9月

東北大学, 理学部, 修士
2015年7月 - 2019年5月

National Institute of Technology Agartala, India, 理学部, 学士号

委員歴

2

2019年10月 - 現在

日本結晶成長学会, ミスラシャシャンクシェカー
2019年10月 - 2024年9月

日本金属学会, ミスラシャシャンクシェカー

受賞

2

2023年3月

ベスト・プレゼンテーション賞, Anna University, India

ミスラシャシャンクシェカー
2022年5月

第142回金属材料研究所講演会で最優秀ポスター賞を受賞, 東北大学金属材料研究所

ミスラシャシャンクシェカー

論文

3

Vicinal (111) surfaces at Si solid-liquid interface during unidirectional solidification

Shashank Shekhar Mishra, Lu-Chung Chuang, Jun Nozawa, Kensaku Maeda, Haruhiko Morito, Kozo Fujiwara, Thierry Duffar

Scripta Materialia 247 116116-116116 2024年7月筆頭著者責任著者
In situ study of growth kinetics of {1 0 0} and {1 1 0} crystal/melt interfaces during unidirectional solidification of silicon

Shashank Shekhar Mishra, Lu-Chung Chuang, Kensaku Maeda, Jun Nozawa, Haruhiko Morito, Thierry Duffar, Kozo Fujiwara

Journal of Crystal Growth 627 127524-127524 2024年2月筆頭著者責任著者
Difference in growth rates at {1 1 0} and {1 1 1} crystal/melt interfaces of silicon

Shashank Shekhar Mishra, Lu-Chung Chuang, Kensaku Maeda, Jun Nozawa, Haruhiko Morito, Kozo Fujiwara

Journal of Crystal Growth 593 126784-126784 2022年9月筆頭著者責任著者

共同研究・競争的資金等の研究課題

2

博士課程学生のための先駆的研究支援プロジェクト

科学技術振興機構 2021年10月 - 2024年9月

ミスラシャシャンクシェカー, 藤原こうぞ
文部科学省修士課程奨学金

文部科学省、日本政府 2019年10月 - 2021年9月

ミスラシャシャンクシェカー