長谷川繁彦 (Shigehiko Hasegawa) - マイポータル

基本情報

所属: 大阪大学産業科学研究所准教授

学位: 工学博士(大阪大学)

J-GLOBAL ID: 200901047676647508
researchmap会員ID: 1000185968

研究キーワード

研究分野

受賞

論文

Spin transport of compensated metals in combination with Baber-type momentum relaxation

Masamichi Sakai, Yukihiro Koinuma, Shigehiko Hasegawa

Journal of Physics: Condensed Matter 37(37) 375802-375802 2025年9月9日
Characterization of time-dependent dielectric degradation and breakdown in bulk hexagonal BN/Si structures

Yuya Asamoto, Tatsuya Hattori, Masao Noma, Michiru Yamashita, Shigehiko Hasegawa, Keiichiro Urabe, Koji Eriguchi

Journal of Applied Physics 137(10) 2025年3月10日
Spin injection from a magnetically near-compensated state in GdFeCo and inverse spin Hall effect in electron–hole compensated metal YH₂

Ikuo Yamazaki, Yukihiro Koinuma, Tatsuro Hanajiri, Pham Van Thach, Sina Ranjbar, Satoshi Sumi, Hiroyuki Awano, Osamu Nakamura, Shigehiko Hasegawa, Masamichi Sakai

Journal of Physics: Condensed Matter 37(6) 065804-065804 2024年11月28日
Study on Ion Flux From Magnetically Confined Low-Pressure Arc Discharge With a Thermionic Cathode to Substrate for High-Throughput Film Deposition Processes

Yuya Asamoto, Keiichiro Urabe, Takayuki Matsuda, Takashi Hamano, Masao Noma, Michiru Yamashita, Shigehiko Hasegawa, Koji Eriguchi

IEEE Transactions on Plasma Science 52(6) 2333-2342 2024年6月
Spectroscopic ellipsometry characterization of boron nitride films synthesized by a reactive plasma-assisted coating method

Takashi Hamano, Takayuki Matsuda, Yuya Asamoto, Masao Noma, Shigehiko Hasegawa, Michiru Yamashita, Keiichiro Urabe, Koji Eriguchi

Applied Physics Letters 120(3) 031904-031904 2022年1月17日
Hall effect in ytterbium hydrides

Satoru Kitsunai, Daiki Fujii, Toshihiro Yoshizumi, Shigehiko Hasegawa, Osamu Nakamura, Masamichi Sakai

Physics Letters, Section A: General, Atomic and Solid State Physics 419 2021年12月17日
Characterization of surface modification mechanisms for boron nitride films under plasma exposure

Tomoya Higuchi, Masao Noma, Michiru Yamashita, Keiichiro Urabe, Shigehiko Hasegawa, Koji Eriguchi

SURFACE AND COATINGS TECHNOLOGY 377 2019年8月査読有り
Entropy production by thermodynamic currents in ambipolar conductors with identical spin dynamics characteristics between holes and electrons

Mst. Sanjida Aktar, Masamichi Sakai, Shigehiko Hasegawa, Osamu Nakamura, Hiroyuki Awano

Applied Physics Express 12(5) 2019年5月1日
Magnetic Doppler broadening measurement on Gadolinium-doped GaN

M. Maekawa, S. Sakai, S. Hagiwara, A. Miyashita, K. Wada, A. Kawasuso, A. Yabuuchi, S. Hasegawa

AIP Conf. Proc. 2182 050007 2019年査読有り
Resonant Hall effect under generation of a self-sustaining mode of spin current in nonmagnetic bipolar conductors with identical characters between holes and electrons

Masamichi Sakai, Hiraku Takao, Tomoyoshi Matsunaga, Makoto Nishimagi, Keitaro Iizasa, Takahito Sakuraba, Koji Higuchi, Akira Kitajima, Shigehiko Hasegawa, Osamu Nakamura …

2018年2月査読有り
Fabrication of YH3 thin film using Pd/Ni co-capping layer: Ni thickness effect

K. Yabuki, H. Hirama, N. Aoki, M. Sakai, Y. Saito, K. Higuchi, A. Kitajima, S. Hasegawa, O. Nakamura

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 468 714-717 2017年6月査読有り
Structural and magnetic characterization of Sm-doped GaN grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy

Kentaro Dehara, Yuta Miyazaki, Shigehiko Hasegawa

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 55(5) 2016年5月査読有り
Growth evolution of gamma '-Fe4N films on GaN(0001) and their interfacial structure

Masamitsu Kimura, Shigehiko Hasegawa

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 55(5) 2016年5月査読有り
Gadolinium-doped III-nitride diluted magnetic semiconductors for spintronics applications

H. Asahi, Y. K. Zhou, S. Emura, S. Hasegawa

Rare Earth and Transition Metal Doping of Semiconductor Materials: Synthesis, Magnetic Properties and Room Temperature Spintronics 371-394 2016年2月23日査読有り
17aAE-8 GaDyN 量子井戸の磁気抵抗

藤元章, 周逸凱, 長谷川繁彦, 朝日一, 大岩顕

日本物理学会講演概要集 70 1039-1039 2015年
Effects of growth temperature on nitrogen incorporation into InGaPN epilayer and its optical properties

Kang Min Kim, Shigehiko Hasegawa, Hajime Asahi, Jeong Ho Ryu

CERAMICS INTERNATIONAL 40(1) 1235-1239 2014年1月査読有り
Structural and defect characterization of Gd-doped GaN films by X-ray diffraction and positron annihilation

A. Yabuuchi, N. Oshima, B. E. O’Rourke, R. Suzuki, K. Ito, S. Sano, K. Higashi, Y.-K. Zhou, S. Hasegawa

J. Phys.: Conf. Ser. 505(1) 012023 2014年査読有り
Growth and Characterization of GaN Nanostructures toward Electron Field Emitter Application

Shigehiko Hasegawa, Jong Uk Seo, Mai Uenaka, Mariko Kimura, Hajime Asahi

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 52(11) 2013年11月査読有り
Magnetoresistance Generated by Combination of Spin-Orbit Interaction and Applied Magnetic Field in Bipolar Conductors

Masamichi Sakai, Daisuke Kodama, Yoshihisa Okano, Takahito Sakuraba, Zentaro Honda, Akira Kitajima, Akihiro Oshima, Koji Higuchi, Shigehiko Hasegawa, Osamu Nakamura

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 52(9) 2013年9月査読有り
Photoluminescence properties in GaGdN grown on GaN(0001) by PA-MBE

K. Higashi, S. Hasegawa, S. Sano, Y. K. Zhou, H. Asahi

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 378 310-313 2013年9月査読有り

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MISC

274

金属元素が窒化ホウ素膜中のsp³結合形成に及ぼす影響

朝本雄也, 朝本雄也, 野間正男, 長谷川繁彦, 山下満, 占部継一郎, 江利口浩二

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 71st 2024年
金属元素が立方晶窒化ホウ素膜中の遷移層形成に及ぼす影響に関する研究

岡田晟良, 朝本雄也, 野間正男, 長谷川繁彦, 山下満, 占部継一郎, 江利口浩二

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 85th 2024年
反応性プラズマ支援成膜法により堆積した窒化ホウ素薄膜の機械的特性と耐プラズマ性に関する研究

占部継一郎, 住平透, 野間正男, 山下満, 長谷川繁彦, 江利口浩二

日本航空宇宙学会中部・関西支部合同秋期大会講演論文集(CD-ROM) 56th 2019年
反応性プラズマ支援成膜法により形成したBN膜の構造変化と密着性

野間正男, 山下満, 江利口浩二, 長谷川繁彦

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 63rd 2016年
反応性プラズマ支援成膜法により形成したBN膜の粘弾性と密着性

野間正男, 山下満, 江利口浩二, 長谷川繁彦

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 62nd 2015年
7aPS-111 Gd_xY_<1-x>H_2 (x=0.4)の磁気伝導における温度特性異常(7aPS 領域3ポスターセッション(遍歴・化合物・酸化物・f電子系磁性,スピングラス,量子スピン,フラストレーション,磁気共鳴),領域3(磁性))

桜庭琢士, 北島彰, 大島明博, 長谷川繁彦, 中村修, 春山翔太, 工藤駆, 酒井政道, 本多善太郎, 切金大介 …

日本物理学会講演概要集 69 257-257 2014年
Structure analysis of composition modulation in epitaxially-grown III-V semiconductor alloys

M. Ishimaru, S. Hasegawa, H. Asahi, K. Sato, T. J. Konno

Japanese Journal of Applied Physics 52(11,Issue 1) 1-110120 2013年11月1日
Strong atomic ordering in Gd-doped GaN

M. Ishimaru, K. Higashi, S. Hasegawa, H. Asahi, K. Sato, T. J. Konno

Applied Physics Letters 101(10) 2012年9月3日
26pSA-8 スピン軌道相互作用とローレンツ力との協同効果による磁気およびホール抵抗(26pSA 領域4 ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))

酒井政道, 本多善太郎, 長谷川繁彦, 北島彰, 大島明博

日本物理学会講演概要集 67 750-750 2012年
18aPSA-14 両極性伝導型Gd_XY_<1-X>H_2における異常および正常ホール効果(18aPSA 領域3ポスターセッション(量子スピン・フラストレーション・遍歴・f電子・酸化物・化合物磁性),領域3(磁性,磁気共鳴))

桜庭琢士, 平間弘晃, 大越朋哉, 坂井政道, 本多善太郎, 樋口宏二, 北島彰, 大島明博, 長谷川繁彦

日本物理学会講演概要集 67 381-381 2012年
20pPSA-28 低濃度(<3%>水素雰囲気からの高濃度水素吸蔵体YH_3およびGdH_3の結晶成長(20pPSA 領域9 ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長)

平間弘晃, 早川昌志, 大越朋哉, 酒井政道, 樋口宏二, 北島彰, 大島明博, 長谷川繁彦

日本物理学会講演概要集 67 836-836 2012年
Irradiation-induced-defect Recovery and Magnetic Property of the Gd+ Ion Implanted GaN

A. Yabuuchi, M. Maekawa, A. Kawasuso, S. Hasegawa, Y.-K. Zhou, H. Asahi

JAEA-Review 2011-043 134 2012年査読有り
Studies on the InGaGdN/GaN magnetic semiconductor heterostructures grown by plasma-assisted molecular-beam epitaxy

S. N. M. Tawil, D. Krishnamurthy, R. Kakimi, S. Emura, S. Hasegawa, H. Asahi

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 323(1) 351-354 2011年5月
Low-temperature molecular beam epitaxy growth and properties of GaGdN nanorods

H. Tambo, S. Hasegawa, H. Kameoka, Y. K. Zhou, S. Emura, H. Asahi

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 323(1) 323-325 2011年5月
Positron Beam Study on Vacancy Defects in GaCrN Grown by Molecular Beam Epitaxy

A. Kawasuso, A. Yabuuchi, M. Maekawa, S. Hasegawa, Y.-K. Zhou, H. Asahi

JAEA-Review 2010-065 148 2011年査読有り
Carrier-mediated ferromagnetism in InGaGdN grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy

Proceedings of the 23rd International Conference on Indium Phosphide and Related Material pp.252-255 2011年
Annealing-induced structural changes in TlInGaAsN heterostructures studied by X-ray photoelectron spectroscopy

Proceedings of the 23rd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials pp.110-113 2011年
Structural and magnetic properties of diluted magnetic semiconductor GaGdN nanorods

H. Tambo, S. Hasegawa, K. Higashi, R. Kakimi, S. N. M. Tawil, Y. K. Zhou, S. Emura, H. Asahi

PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 8, NO 2 8(2) 2011年
Co-ordination alignments at the vicinity of the dopant Cr ions in AlN

Shuichi Emura, Shigeya Kimura, Katsuhiko Tokuda, Hiroyuki Tambo, Shigehiko Hasegawa, Hajime Asahi

PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 8, NO 2 8(2) 2011年
Defect structure of MBE-grown GaCrN diluted magnetic semiconductor films

A. Yabuuchi, M. Maekawa, A. Kawasuso, S. Hasegawa, Y. K. Zhou, H. Asahi

12TH INTERNATIONAL WORKSHOP ON SLOW POSITRON BEAM TECHNIQUES (SLOPOS12) 262 2011年

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書籍等出版物

Growth temperature dependence of InAs islands grown on GaAs(001)substrates

13^th Int. Conf. on Indium Phosphide and Related Materials Conference Proceedings 2001年
Characterization of a 0.1μm MOSFET using cross-sectional scanning tunneling microscopy

59th Device Research Conference, Conference Digest 2001年
STM study of annealing effects on Si nano ┣DBpn(/)-┫DB junctions fabricated by ion implantation

2000 MRS Fall Meeting Abstracts 2000年
Scanning tunneling microscopy study of InAs islanding and dissolving on GaAs(001)surfaces

2000 MRS Fall Meeting Abstracts 2000年
Formation of InAs and InGaAs quantum wires and dots on vicinal GaAs(110)substrates with giant steps by MBE(共著)

Ext. Abst. of Int. Conf. on Superlattices, Microstructures and Microdevices 1997年
Scanning tunneling microscopy study of submicron-sized pn junction on Si(001)surfaces(共著)

Ext. Abst. of the 1997 Int. Conf. on Solid State Devices and Materials 1997年
Stacked Malti-Quantum-Wires Grown on Vicinal GaAs(110) Surfaces by MBE (共著)

Extended Abstracts of the 1996 International Conference on Solid State Devices and Materials 1996年
表面の物理学(共著)

日刊工業新聞社 1992年
Physics at surfaces

1992年
Effects of adsorption and desorption of atomic hydrogen on structures of Si(111)(┣D83┫D8X┣D83┫D8)-Al surfaces (共著)

World Scientific 1992年

所属学協会

Works(作品等)

共同研究・競争的資金等の研究課題

オール金属材料によるスピン流の完全無損失化

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 2019年4月 - 2023年3月

酒井政道, 花尻達郎, 粟野博之, 長谷川繁彦, 中村修
空間分布を制御した希土類添加III族窒化物半導体の形成とその磁気特性

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 2017年4月 - 2020年3月

長谷川繁彦, 薮内敦
両極伝導性水素吸蔵体を利用した電荷・スピンの相反型蓄積機能

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 2015年4月 - 2018年3月

酒井政道, 長谷川繁彦, 粟野博之, 黒川雄一郎, 北島彰, 樋口宏二, 中村修, 花尻達郎, 中島義賢, 徳田正秀, 藤井泰彦
イオンエネルギー確率分布関数制御型プラズマによる窒化ホウ素薄膜の組成制御の研究

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 2015年4月 - 2018年3月

江利口浩二, 長谷川繁彦, 斧高一, 野間正男
電流注入型スピン偏極度計のデザインと擬似ＸＯＲゲートへの応用

日本学術振興会科学研究費助成事業挑戦的萌芽研究 2012年4月 - 2015年3月

酒井政道, 長谷川繁彦, 北島彰, 大島明博
自発的ナノスケール相分離とそれを利用した低次元ナノ構造体の創製

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 2010年 - 2012年

石丸学, 佐藤和久, 長谷川繁彦, 朝日一
ホール伝導度ゼロ状態を用いた電流-スピン流変換機能

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 2010年 - 2012年

酒井政道, 本多善太郎, 長谷川繁彦, 北島彰, 大島明博
スピン依存弾道電子マッピング法の開発と半導体へのスピン注入機構の解明

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 2009年 - 2012年

長谷川繁彦, 周逸凱, 朝日一
強磁性窒化物半導体のナノ構造における磁性制御に関する研究

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 2009年 - 2011年

周逸凱, 朝日一, 長谷川繁彦, 江村修一
強磁性窒化物半導体量子構造の物性とスピントロニクスデバイス応用に

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 2009年 - 2011年

朝日一, 長谷川繁彦, 江村修一, 周逸凱
希土類元素添加の精密制御による物性・機能性の開拓

日本学術振興会科学研究費助成事業学術創成研究費 2007年 - 2011年

藤原康文, 寺井慶和, 西川敦, 市田秀樹, 朝日一, 長谷川繁彦, 江村修一, 周逸凱, 太田仁, 大久保晋
InGaNベース強磁性半導体による長波長円偏光半導体レ-ザ創製に関する研究

日本学術振興会科学研究費助成事業特定領域研究 2009年 - 2010年

朝日一, 長谷川繁彦, 江村修一, 周逸凱
シリコン基板上の化合物半導体コーディネート成長技術の開発

科学技術振興機構産学が連携した研究開発成果の展開/研究成果展開事業/地域事業/地域イノベーション創出総合支援事業/シーズ発掘試験 2009年 - 2009年

長谷川繁彦
InNをベースとした長波長円偏光半導体レーザ創製に関する研究

日本学術振興会科学研究費助成事業特定領域研究 2007年 - 2008年

朝日一, 長谷川繁彦, 江村修一, 周逸凱
難固溶不純物原子添加半導体のナノ量子構造に関する実験的研究

日本学術振興会科学研究費助成事業特定領域研究 2007年 - 2008年

周逸凱, 朝日一, 長谷川繁彦, 江村修一
室温強磁性窒化物半導体ナノ構造とナノスピントロニクスデバイス応用に関する研究

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 2006年 - 2008年

朝日一, 長谷川繁彦, 江村修一, 周逸凱
スピン偏極走査型トンネル顕微鏡による希薄磁性半導体のナノ磁性評価

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 2003年 - 2005年

長谷川繁彦, 朝日一
多結晶窒化物半導体の電界放射電子源、可視蛍光体への応用に関する研究

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 2003年 - 2004年

朝日一, 長谷川繁彦
変調ドープ量子細線の研究

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 1999年 - 2000年

中島尚男, 前橋兼三, 長谷川繁彦
電荷中性化したGaAs表面上へのZnSe分子線成長

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 1998年 - 2000年

前橋兼三, 長谷川繁彦, 中島尚男

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