RFタグは、放射線環境下で使用する場合、半導体中の電荷状態に変化が生じ、データの書き換え(損傷)が生じる。そのため、半導体素子に遮蔽体を取付けた耐放射線性RFタグを実用させるため、実放射線存在下(実廃棄物と同じ低エネルギー$\gamma$線)における照射試験を実施した。約3年間の照射試験の結果から、耐放射線性RFタグでは集積照射線量が約350Gyを超えても正常に読取ることができた。一方、一般用RFタグでは集積照射線量が約50Gyを超えると正常に読取ることができなくなるRFタグが現れ始め、約240Gyの照射で20個中2個のRFタグしか正常に読取ることができなくなった。これらのことから、耐放射線性RFタグを使用することで、低レベルの放射性廃棄物容器の個体識別管理に適用できる可能性が得られた。