長田貴弘 (Takahiro Nagata) - マイポータル

基本情報

所属: 国立研究開発法人物質・材料研究機構電子・光機能材料研究センターナノ電子デバイス材料グループグループリーダー
: 明治大学理工学研究科客員准教授

学位: 博士(工学)(大阪府立大学)

ORCID ID: https://orcid.org/0000-0002-8591-2943
J-GLOBAL ID: 201401020883992961
researchmap会員ID: B000242052

外部リンク: https://samurai.nims.go.jp/profiles/nagata_takahiro

研究キーワード

研究分野

経歴

2023年4月 - 現在

国立研究開発法人物質・材料研究機構電子・光機能材料研究センターナノ電子デバイス材料グループグループリーダー
2018年4月 - 現在

明治大学院理工学研究科客員准教授
2018年4月 - 2023年3月

物質・材料研究機構機能性材料研究拠点ナノ電子デバイス材料グループグループリーダー
2020年2月 - 2020年7月

国立成功大学(台湾) 材料工学科非常勤講師
2014年10月 - 2018年3月

科学技術振興機構戦略的創造研究推進事業さきがけ研究者
2011年4月 - 2018年3月

物質・材料研究機構国際ナノアーキテクトニクス研究拠点半導体デバイス材料グループ MANA研究者
2016年4月 - 2016年9月

千葉大学非常勤講師
2010年4月 - 2011年3月

物質・材料研究機構半導体材料センター半導体デバイス材料開発グループ主任研究員
2006年4月 - 2010年3月

物質・材料研究機構ナノマテリアル研究所研究員
2008年7月 - 2009年11月

カリフォルニア大学サンタバーバラ校工学部客員研究員
2005年4月 - 2006年3月

物質・材料研究機構ナノマテリアル研究所特別研究員
2003年4月 - 2005年3月

独立行政法人科学技術振興機構戦略的創造事業特別研究員

学歴

2000年4月 - 2003年3月

大阪府立大学院工学研究科博士後期課程物質系専攻機能物質科学
1998年4月 - 2000年3月

大阪府立大学院工学研究科博士前期課程物質系専攻機能物質科学
1994年4月 - 1998年3月

大阪府立大学工学部機能物質科学科

委員歴

2019年3月 - 現在

応用物理学会電子デバイス界面テクノロジ-研究会副実行委員長
2018年9月 - 現在

Compound Semiconductor Week 2019プログラム委員
2017年1月 - 現在

The International Conference on the Science and Technology for Advanced Ceramics (STAC) プログラム委員
2015年4月 - 現在

応用物理学会電子デバイス界面テクノロジー研究会プログラム委員
2018年4月 - 2019年3月

応用物理学会第24回電子デバイス界面テクノロジ-研究会実行委員長
2017年4月 - 2018年3月

応用物理学会第23回電子デバイス界面テクノロジ-研究会プログラム委員長
2016年1月 - 2017年12月

International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM) Area8 chair
2011年1月 - 2017年12月

応用物理学会 Japan Journal of Applied Physics 特集号論文委員
2011年1月 - 2017年12月

International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM) 論文委員
2014年1月 - 2015年12月

International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM) Area8 vice chair
2014年4月 - 2015年3月

応用物理学会ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理―

受賞

論文

160

Analysis of Iodide Transport on Methyl Ammonium Lead Iodide Perovskite Solar Cell Structure Through Operando Hard X-ray Photoelectron Spectroscopy

Ibrahima Gueye, Yasuhiro Shirai, Takahiro Nagata, Takashi Tsuchiya, Dhruba B. Khadka, Masatoshi Yanagida, Okkyun Seo, Kenjiro Miyano, Osami Sakata

Chemistry of Materials 35(5) 1948-1960 2023年2月22日
Thermodynamic Interpretation of the Meyer-Neldel Rule Explains Temperature Dependence of Ion Diffusion in Silicate Glass

N. Takamure, X. Sun, T. Nagata, A. Ho-Baillie, N. Fukata, D. R. McKenzie

Physical Review Letters 129(17) 2022年10月21日
Direct Observation of Atomic Structures and Chemical States of Active and Inactive Dopant Sites in Mg-Doped GaN

Jingmin Tang, Soichiro Takeuchi, Masaki Tanaka, Hiroto Tomita, Yusuke Hashimoto, Takahiro Nagata, Jun Chen, Takuo Ohkochi, Yoshinori Kotani, Tomohiro Matsushita, Yoshiyuki Yamashita

ACS Applied Electronic Materials 4(9) 4719-4723 2022年9月27日
Polarity Control of an All-Sputtered Epitaxial GaN/AlN/Al Film on a Si(111) Substrate by Intermediate Oxidization

Takahiro Nagata, Yuya Suemoto, Yoshihiro Ueoka, Masami Mesuda, Liwen Sang, Toyohiro Chikyow

ACS Omega 7(23) 19380-19387 2022年6月14日
Effect of reactive gas condition on nonpolar AlN film growth on MnS/Si (100) by reactive DC sputtering

Masaya Morita, Keiji Ishibashi, Kenichiro Takahashi, Shigenori Ueda, Jun Chen, Kota Tatejima, Toyohiro Chikyow, Atsushi Ogura, Takahiro Nagata

Japanese Journal of Applied Physics 61(SC) 2022年5月
The electrical conductivity of cubic (In<inf>1- x </inf>Ga<inf>x </inf>)<inf>2</inf>O<inf>3</inf>films ( x ≤ 0.18): Native bulk point defects, Sn-doping, and the surface electron accumulation layer

Alexandra Papadogianni, Takahiro Nagata, Oliver Bierwagen

Japanese Journal of Applied Physics 61(4) 2022年4月
Operando hard X-ray photoelectron spectroscopy study of buried interface chemistry of Au/InO1.16C0.04/Al2O3/p<mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" display="inline" id="d1e385" altimg="si20.svg"><mml:msup><mml:mrow /><mml:mrow><mml:mo>+</mml:mo></mml:mrow></mml:msup></mml:math>-Si stacks

Ibrahima Gueye, Riku Kobayashi, Shigenori Ueda, Toshihide Nabatame, Kazuhito Tsukagoshi, Atsushi Ogura, Takahiro Nagata

Applied Surface Science 593 153272-153272 2022年4月
Molecular beam epitaxy of single-crystalline bixbyite (In1-x Gax)2 O3 films (x≤0.18): Structural properties and consequences of compositional inhomogeneity

Alexandra Papadogianni, Charlotte Wouters, Robert Schewski, Johannes Feldl, Jonas Lähnemann, Takahiro Nagata, Elias Kluth, Martin Feneberg, Rüdiger Goldhahn, Manfred Ramsteiner, Martin Albrecht, Oliver Bierwagen

Physical Review Materials 6(3) 2022年3月
Combinatorial Synthesis and Interface Analysis for Development of High Dielectric Constant Thin Films

Takahiro Nagata, Somu Kumaragurubaran, Kenichiro Takahashi, Sung Gi Ri, Toyohiro Chikyow

ECS Transactions 108(2) 61-68 2022年
Erratum: Direct Observation of Atomic Structures and Chemical States of Active and Inactive Dopant Sites in Mg-Doped GaN (ACS Appl. Electron. Mater. (2022) 4 : 9 (4719−4723) DOI: 10.1021/acsaelm.2c00912)

Jingmin Tang, Soichiro Takeuchi, Masaki Tanaka, Hiroto Tomita, Yusuke Hashimoto, Takahiro Nagata, Jun Chen, Takuo Ohkochi, Yoshinori Kotani, Tomohiro Matsushita, Yoshiyuki Yamashita

ACS Applied Electronic Materials 4(10) 5087-4723 2022年
Bandgap widening and behavior of Raman-active phonon modes of cubic single-crystalline (In,Ga)<inf>2</inf>O<inf>3</inf> alloy films

Johannes Feldl, Martin Feneberg, Alexandra Papadogianni, Jonas Lähnemann, Takahiro Nagata, Oliver Bierwagen, Rüdiger Goldhahn, Manfred Ramsteiner

Applied Physics Letters 119(4) 2021年7月26日
Evidence-based recommender system for high-entropy alloys

Minh Quyet Ha, Duong Nguyen Nguyen, Viet Cuong Nguyen, Takahiro Nagata, Toyohiro Chikyow, Hiori Kino, Takashi Miyake, Thierry Denœux, Van Nam Huynh, Hieu Chi Dam

Nature Computational Science 1(7) 470-478 2021年7月
Effects of low temperature buffer layer on all-sputtered epitaxial GaN/AlN film on Si (111) substrate

Takahiro Nagata, Yuya Suemoto, Yoshihiro Ueoka, Masami Mesuda, Liwen Sang, Toyohiro Chikyow

Japanese Journal of Applied Physics 60(SC) 2021年6月
Accelerating two-dimensional X-ray diffraction measurement and analysis with density-based clustering for thin films

Akihiro Yamashita, Takahiro Nagata, Shinjiro Yagyu, Toru Asahi, Toyohiro Chikyow

Japanese Journal of Applied Physics 60 2021年6月
Effects of Zn x Mn1−x S buffer layer on nonpolar AlN growth on Si (100) substrate

Masaya Morita, Keiji Ishibashi, Kenichiro Takahashi, Toyohiro Chikyow, Atsushi Ogura, Takahiro Nagata

Japanese Journal of Applied Physics 60(SC) 2021年6月1日
Influence of adsorbed oxygen concentration on characteristics of carbon-doped indium oxide thin-film transistors under bias stress

Riku Kobayashi, Toshihide Nabatame, Takashi Onaya, Akihiko Ohi, Naoki Ikeda, Takahiro Nagata, Kazuhito Tsukagoshi, Atsushi Ogura

Japanese Journal of Applied Physics 60(SC) 2021年6月
Correlation between ferroelectricity and ferroelectric orthorhombic phase of Hf<inf>x</inf>Zr<inf>1-x</inf>O<inf>2</inf>thin films using synchrotron x-ray analysis

Takashi Onaya, Toshihide Nabatame, Yong Chan Jung, Heber Hernandez-Arriaga, Jaidah Mohan, Harrison Sejoon Kim, Naomi Sawamoto, Chang Yong Nam, Esther H.R. Tsai, Takahiro Nagata, Jiyoung Kim, Atsushi Ogura

APL Materials 9(3) 2021年3月1日
Comparison of characteristics of thin film transistor with In2O3 and carbon-doped In2O3 channels by atomic layer deposition and post-metallization annealing in O3

Riku Kobayashi, Toshihide Nabatame, Takashi Onaya, Akihiko Ohi, Naoki Ikeda, Takahiro NAGATA, Kazuhito TSUKAGOSHI, Atsushi Ogura

Japanese Journal of Applied Physics 60(3) 2021年1月21日
Combinatorial Synthesis Applied to the Development of Thin Film Materials for Nanoelectronics

Takahiro Nagata, Toyohiro Chikyow

Functional Thin Films Technology 1-20 2021年1月1日
Plasma-assisted molecular beam epitaxy of SnO(001) films: Metastability, hole transport properties, Seebeck coefficient, and effective hole mass

Melanie Budde, Piero Mazzolini, Johannes Feldl, Christian Golz, Takahiro Nagata, Shigenori Ueda, Georg Hoffmann, Fariba Hatami, W. Ted Masselink, Manfred Ramsteiner, Oliver Bierwagen

Physical Review Materials 4(12) 2020年12月16日

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MISC

InGaNの表面‐バルク電子状態評価

井村将隆, 津田俊輔, 長田貴弘, 山下良之, 吉川英樹, 小林啓介, 小出康夫, 太田優一, 村田秀信, 山口智広, 金子昌充, 荒木努, 名西やすし

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 80th ROMBUNNO.18a‐PB3‐23 2019年9月4日
Mgドーピングによる高In組成InGaNの表面‐バルク電子状態変化

井村将隆, 津田俊輔, 長田貴弘, 山下良之, 吉川英樹, 小林啓介, 小出康夫, 山口智広, 山口智広, 金子昌充, 上松尚, 荒木努, 名西やすし

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 65th ROMBUNNO.17p‐E202‐19 2018年3月5日
硬X線光電子分光法によるIn₂O₃単結晶の電子状態評価

長田貴弘, BIERWAGEN O, GALAZKA Z, 上田茂典, 吉川英樹, 井村将隆, 山下良之, OH S, 坂田修身, 知京豊裕

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 75th ROMBUNNO.17P-PA5-14 2014年9月1日
HfO₂/Ge界面へのルチル型TiO₂挿入によるGeOx生成の抑制 (シリコン材料・デバイス)

小橋和義, 長田貴弘, 生田目俊秀, 山下良之, 小椋厚志, 知京豊裕

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 113(87) 25-28 2013年6月18日
極性ZnO基板上におけるペンタセン薄膜の成長モード

中村立, 長田貴弘, 早川竜馬, OH S. J, 廣芝伸哉, 藤村紀文, 知京豊裕, 若山裕, 若山裕

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 60th ROMBUNNO.28P-G19-8 2013年3月11日
低温CVD成膜されたSiO₂における水素ラジカル処理の効果

土屋佑樹, 池野成裕, 山口拓也, 鈴木摂, 石橋啓司, 長田貴弘, 新船幸二, 吉田晴彦, 佐藤真一, 知京豊裕, 小椋厚志

応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 73rd ROMBUNNO.12A-F6-5 2012年8月27日
極性を有するZnO基板上のペンタセン薄膜の成長過程

中村立, 長田貴弘, 早川竜馬, OH S. J, 廣芝伸哉, 藤村紀文, 知京豊裕, 若山裕

応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD−ROM) 72nd ROMBUNNO.31A-ZQ-6 2011年8月
Zn極性及びO極性ホモエピタキシャルZnO薄膜の表面構造

中村立, 長田貴弘, 芦田淳, 吉村武, 藤村紀文

応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM) 58th 2011年
金属酸化物を用いた原子スイッチ中間層材料の検討 ([日本電子材料技術協会]第44回秋期講演大会--優秀賞受賞論文と受賞者の感想)

南風盛将光, 長田貴弘, 知京豊裕

日本電子材料技術協会会報 39 28-30 2008年11月
連続発振レーザーMBEによる有機分子組成傾斜薄膜の作製

柳沼誠一郎, 伊高健治, 松本祐司, 大西剛, LIPPMAA Mikk, 長田貴弘, 知京豊裕, 鯉沼秀臣

応用物理学関係連合講演会講演予稿集 54th(3) 1289 2007年3月27日

書籍等出版物

Single Crystals of Electronic Materials -Growth and Properties-

Robert Fornari 監修 (担当:分担執筆, 範囲:Indium Oxide: In2O3)

ELSEVIER 2018年12月 (ISBN: 9780081020975)
PEDOTの材料物性とデバイス応用

奥崎秀典 (担当:分担執筆, 範囲:4章電気特性改善と各種影響因子第4節 UV-オゾンクリーニングのPEDOT/PSS薄膜の電気特性への影響)

サイエンス＆テクノロジー刊 2012年3月 (ISBN: 9784864280389)

講演・口頭発表等

ナノZrO₂核生成層を用いた強誘電体Hf_xZr_1-xO₂薄膜の作製技術

女屋崇, 女屋崇, 女屋崇, 生田目俊秀, 澤本直美, 大井暁彦, 池田直樹, 長田貴弘, 小椋厚志

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2018年9月5日
NBIS測定によるAl₂O₃パッシベーション膜を用いたIn_1-xSi_xO_1-yC_yTFTの信頼性評価

栗島一徳, 栗島一徳, 栗島一徳, 生田目俊秀, 女屋崇, 女屋崇, 女屋崇, 塚越一仁, 大井暁彦, 池田直樹, 長田貴弘, 小椋厚志

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2018年9月5日
LiNbO₃の焦電効果によるグラフェンの電気特性制御の検討

安原雄大, 安原雄大, 知京豊裕, 小椋厚志, 長田貴弘

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2018年9月5日
光電子収量分光(PYS)の閾値の自動判定の検討

柳生進二郎, 吉武道子, 知京豊裕, 長田貴弘

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2018年9月5日
反応性スパッタ法を用いた無極性AlN薄膜成における自己電圧効果の検討

立島滉大, 立島滉大, 長田貴弘, 石橋啓次, 石橋啓次, 高橋健一郎, 高橋健一郎, 鈴木摂, 鈴木摂, 小椋厚志, 知京豊裕

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2018年9月5日
機械学習による光電子収量分光(PYS)閾値の判定―訓練データによる予測値依存性―

柳生進二郎, 吉武道子, 知京豊裕, 長田貴弘

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2018年9月5日
無極性AlN薄膜成長のためのスパッタ法を用いたMnSバッファー層作製条件の検討

立島滉大, 立島滉大, 長田貴弘, 石橋啓次, 高橋健一郎, 鈴木摂, 小椋厚志, 知京豊裕

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2018年3月5日
Mgドーピングによる高In組成InGaNの表面‐バルク電子状態変化

井村将隆, 津田俊輔, 長田貴弘, 山下良之, 吉川英樹, 小林啓介, 小出康夫, 山口智広, 山口智広, 金子昌充, 上松尚, 荒木努, 名西やすし

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2018年3月5日
GaNテンプレート基板のための反応性スパッタ法を用いたAlNバッファー層作製条件の検討

立島滉大, 立島滉大, 長田貴弘, 石橋啓次, 高橋健一郎, 鈴木摂, 小椋厚志, 知京豊裕

日本電子材料技術協会秋期講演大会講演概要集 2017年11月2日
Si基板上GaN成長のための反応性スパッタ法を用いたAlNバッファー層作製条件の検討

立島滉大, 立島滉大, 長田貴弘, 石橋啓次, 高橋健一郎, 鈴木摂, 小椋厚志, 知京豊裕

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2017年8月25日
オペランド光電子分光法によるSiO₂/SiC界面準位のエネルギー分布観測

山下良之, 蓮沼隆, 長田貴弘, 知京豊裕

真空に関する連合講演会講演予稿集 2016年11月29日
レーザアブレーション法によるGe基板上ルチル型TiO₂薄膜作製条件の最適化

鈴木良尚, 長田貴弘, 山下良之, 生田目俊秀, 小椋厚志, 知京豊裕

日本電子材料技術協会秋期講演大会講演概要集 2016年11月2日
極低角度入射ビームオージェ深さ方向分析によるHfO₂薄膜/Si基板構造の分析

荻原俊弥, 長田貴弘, 吉川英樹

日本分析化学会年会講演要旨集 2016年8月31日
PLDによるルチル型TiO₂/Ge作製条件の検討

鈴木良尚, 鈴木良尚, 長田貴弘, 山下良之, 生田目俊秀, 小椋厚志, 知京豊裕

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2016年3月3日
マテリアルズインフォマティクスとハイスループット材料合成・計測

知京豊裕, 長田貴弘, 山下良之, 吉武道子, 柳生進二郎, 石橋啓次, 高橋健一郎, 李成奇, 鈴木摂

日本セラミックス協会年会講演予稿集(CD-ROM) 2016年3月1日
MOCVD法を用いて成長したNドープZnO膜のアニール効果

中浦拓也, 中浦拓也, 原田善之, WANG J, 長田貴弘, 関口隆史, 知京豊裕, 鈴木摂, 石垣隆正, 角谷正友

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2015年2月26日
Ge上ルチル型TiO₂層へのアクセプタドープによる絶縁性向上の試み

鈴木良尚, 長田貴弘, 山下良之, PAULSAMY C, 小橋和義, 生田目俊秀, 小椋厚志, 知京豊裕

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2015年2月26日
半導体ナノワイヤの変形ポテンシャル・弾性限界のその場顕微分光評価

渡辺健太郎, 長田貴弘, 若山裕, 関口隆史, VOLK Janos

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2015年2月26日
Si基板上非極性ZnO薄膜のエピタキシャル成長とそのLED特性

中村立, NGUYEN Nam T, 長田貴弘, 知京豊裕, 李成奇, 高橋健一郎, 石橋啓次, 鈴木摂

日本電子材料技術協会秋期講演大会講演概要集 2014年11月13日
マテリアルインフォーマティックスとコンビナトリアル材料合成

知京豊裕, 長田貴弘, 鈴木摂

日本金属学会講演概要(CD-ROM) 2014年9月10日