2017年8月25日 Si基板上GaN成長のための反応性スパッタ法を用いたAlNバッファー層作製条件の検討 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 立島滉大, 立島滉大, 長田貴弘, 石橋啓次, 高橋健一郎, 鈴木摂, 小椋厚志, 知京豊裕 記述言語 日本語 会議種別 リンク情報 URLhttp://jglobal.jst.go.jp/public/201702220078152356