論文

査読有り

2018年

Reliability of Al2O3/In-Si-O-C Thin-Film Transistors with an Al2O3 Passivation Layer under Gate-Bias Stress

ECS Transactions

Kurishima Kazunori
Nabatame Toshihide
Onaya Takashi
Tsukagoshi Kazuhito
Ohi Akihiko
Ikeda Naoki
Nagata Takahiro
Ogura Atsushi

巻: 86
号: 11
開始ページ: 135
終了ページ: 145
記述言語: 英語
掲載種別: 研究論文（国際会議プロシーディングス）
DOI: 10.1149/08611.0135ecst

リンク情報

DOI: https://doi.org/10.1149/08611.0135ecst
Web of Science: https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcAuth=JSTA_CEL&SrcApp=J_Gate_JST&DestLinkType=FullRecord&KeyUT=WOS:000456373300015&DestApp=WOS_CPL
URL: http://orcid.org/0000-0001-9710-2692

ID情報

DOI : 10.1149/08611.0135ecst
ISSN : 1938-5862
eISSN : 1938-6737
ORCIDのPut Code : 51602072
Web of Science ID : WOS:000456373300015

エクスポート: BibTeX RIS

論文リストへ