2019年3月
Suppression of threshold voltage shift on In-Si-O-C Thin-Film Transistor with an Al2O3 Passivation Layer under Negative and Positive Gate-Bias Stress
2019 Electron Devices Technology and Manufacturing Conference (EDTM)
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- 開始ページ
- 74
- 終了ページ
- 76
- 記述言語
- 英語
- 掲載種別
- 研究論文（国際会議プロシーディングス）
- DOI
- 10.1109/edtm.2019.8731167
- リンク情報
- ID情報
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- DOI : 10.1109/edtm.2019.8731167
- ISBN : 9781538665084
- ORCIDのPut Code : 60206892
- SCOPUS ID : 85067827076
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