TANIKAWA Tomoyuki

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Name
TANIKAWA Tomoyuki
E-mail
tanikawaimr.tohoku.ac.jp
URL
http://db.tohoku.ac.jp/whois/e_detail/41a3a45249b0b0f24bad4357c65e63e7.html
Affiliation
Osaka University
Job title
Lecturer
Degree
Ph.D. in Engineering(Nagoya University)

Research Areas

 
 

Education

 
 
 - 
Mar 2012
Department of Electrical Engineering and Computer Science, Graduate School, Division of Engineering, Nagoya University
 
 
 - 
Mar 2009
Department of Electrical Engineering and Computer Science, Graduate School, Division of Engineering, Nagoya University
 
 
 - 
Mar 2007
Department of electrical and Electronic Engineering and Information Engineering, Faculty of Engineering, Nagoya University
 

Committee Memberships

 
Oct 2014
 - 
Nov 2015
The 6th International Symposium on Growth of III-Nitrides  総務委員
 
May 2015
   
 
第7回窒化物半導体結晶成長講演会  委員
 
Apr 2014
 - 
Nov 2014
2nd Intensive Discussion on Growth of Nitride Semiconductors (IDGN-2)  実行委員
 
Oct 2013
 - 
Jul 2014
第33回電子材料シンポジウム  会場委員
 
Oct 2012
 - 
Sep 2013
第32回電子材料シンポジウム  会場委員
 

Awards & Honors

 
Jul 2016
EMS賞, 第35回電子材料シンポジウム
 
Mar 2016
第7回薄膜太陽電池セミナー ポスター発表アワード, 第7回薄膜太陽電池セミナー組織委員
 
Nov 2015
Large Stokes shift in N-polar (000-1) InGaN/GaN multiple-quantum-well light-emitting diodes, Young Scientist Award, The 6th International Symposium on Growth of III-Nitrides
 
Jul 2014
第6回 窒化物半導体結晶成長講演会 研究奨励賞, 日本結晶成長学会
 
Apr 2014
Young Researcher's Paper Award, Conference on LED and its industrial application '14 (LEDIA'14)
 

Published Papers

 
Tanikawa Tomoyuki, Ohnishi Kazuki, Kanoh Masaya, Mukai Takashi, Matsuoka Takashi
APPLIED PHYSICS EXPRESS   11(3)    Mar 2018   [Refereed]
Iwabuchi Takuya, Kuboya Shigeyuki, Tanikawa Tomoyuki, Hanada Takashi, Katayama Ryuji, Fukuda Tsuguo, Matsuoka Takashi
PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE   214(9)    Sep 2017   [Refereed]
J. Yoo, K. Shojiki, T. Tanikawa, S. Kuboya, T. Hanada, R. Katayama T. Matsuoka
Jpn. J. Appl. Phys.   55(5S) 05FA04_1-05FA04_5   Mar 2016   [Refereed]
Y.-C. Lai, A. Higo, T. Kiba, C. Thomas, S. Chen, C. Y. Lee, T. Tanikawa, S. Kuboya, R. Katayama, K. Shojiki, J. Takayama, I. Yamashita, A. Murayama, G.-C. Chi, P. Yu, S. Samukawa
Nanotechnology   27(42) 425401_1-425401_5   Sep 2016   [Refereed]
Ohnishi Kazuki, Kanoh Masaya, Tanikawa Tomoyuki, Kuboya Shigeyuki, Mukai Takashi, Matsuoka Takashi
APPLIED PHYSICS EXPRESS   10(10)    Oct 2017   [Refereed]

Misc

 
Kiattiwut Prasertsuk, Kiattiwut Prasertsuk, Tomoyuki Tanikawa, Takeshi Kimura, Shigeyuki Kuboya, Tetsuya Suemitsu, Takashi Matsuoka
Applied Physics Express   11    Jan 2018
© 2018 The Japan Society of Applied Physics. The metal-insulator-semiconductor (MIS) gate N-polar GaN/AlGaN/GaN high-electron-mobility transistor (HEMT) on a (0001) sapphire substrate, which can be expected to operate with lower on-resistance and ...
Ching Hsueh Chiu, Ching Hsueh Chiu, Da Wei Lin, Da Wei Lin, Chien Chung Lin, Chien Chung Lin, Zhen Yu Li, Zhen Yu Li, Wei Ting Chang, Wei Ting Chang, Hung Wen Hsu, Hung Wen Hsu, Hao Chung Kuo, Hao Chung Kuo, Tien Chang Lu, Tien Chang Lu, Shing Chung Wang, Shing Chung Wang, Wei Tsai Liao, Wei Tsai Liao, Tomoyuki Tanikawa, Tomoyuki Tanikawa, Yoshio Honda, Yoshio Honda, Masahito Yamaguchi, Masahito Yamaguchi, Nobuhiko Sawaki, Nobuhiko Sawaki
Applied Physics Express   4    Mar 2011
S. R. Dunsiger, S. R. Dunsiger, J. P. Carlo, T. Goko, T. Goko, G. Nieuwenhuys, T. Prokscha, A. Suter, E. Morenzoni, D. Chiba, D. Chiba, Y. Nishitani, T. Tanikawa, T. Tanikawa, F. Matsukura, F. Matsukura, H. Ohno, H. Ohno, J. Ohe, J. Ohe, S. Maekawa, S. Maekawa, Y. J. Uemura
Nature Materials   9 299-303   Jan 2010
Mn-doped GaAs is a ferromagnetic semiconductor 1,2 , widely studied because of its possible application for spin-sensitive spintronics devices 3,4 . The material also attracts great interest in fundamental research regarding its evolution from a p...
S. Ikeda, J. Hayakawa, J. Hayakawa, Y. M. Lee, T. Tanikawa, T. Tanikawa, F. Matsukura, H. Ohno
Journal of Applied Physics   99    May 2006
We have investigated the spin tunneling transport in magnetic tunnel junctions (MTJs) with Co40 Fe40 B20, Co50 Fe50, and Co90 Fe10 free layers which were deposited on the lower electrode consisting of the same Co40 Fe40 B20 reference layer/MgO bar...

Conference Activities & Talks

 
GaNの二光子励起フォトルミネッセンス測定における自己吸収の影響
谷川智之, 小島一信,秩父重英,松岡隆志
第65回応用物理学会春季学術講演会   20 Sep 2018   
早稲田大学・西早稲田キャンパス
多光子励起フォトルミネッセンス測定によるGaN結晶中の貫通転位の種別判定
谷川智之, 吉田丈洋,松岡隆志
第65回応用物理学会春季学術講演会   19 Mar 2018   
早稲田大学・西早稲田キャンパス
電子顕微鏡によるワイドギャップ材料のマルチスケール欠陥評価 [Invited]
木口賢紀,白石貴久,今野豊彦,谷川智之
第65回応用物理学会春季学術講演会   19 Mar 2018   
早稲田大学・西早稲田キャンパス
HVPE法による(000-1)面GaN基板上へのGaN厚膜成長
加納聖也,谷川智之,松岡隆志,向井孝志
第65回応用物理学会春季学術講演会   18 Mar 2018   
早稲田大学・西早稲田キャンパス
GaN成長に用いたScAlMgO4基板の再利用
大西一生,窪谷茂幸,谷川智之,福田承生,松岡隆志
第65回応用物理学会春季学術講演会   17 Mar 2018   
早稲田大学・西早稲田キャンパス
多光子励起フォトルミネッセンスによるワイドギャップ半導体の三次元イメージング [Invited]
谷川智之, 松岡隆志
応用物理学会 第13回励起ナノプロセス研究会   21 Jan 2018   
淡路夢舞台国際会議場
N極性GaNHEMTの結晶成長と貫通転位の三次元イメージング [Invited]
谷川智之, 松岡隆志
応用物理学会 シリコンテクノロジー分科会 研究集会 テーマ 「窒化物半導体パワーデバイスの研究動向」   16 Nov 2017   
産総研臨海副都心センター
ScAlMgO4基板上InGaN/GaN多重量子井戸構造の内部量子効率
萩原千拡,岩渕拓也,窪谷茂幸,谷川智之,松岡隆志
第134回東北大学金属材料研究所講演会   29 Nov 2017   Institute for Materials Research, Tohoku University
東北大学金属材料研究所
Improvement of heterointerface abruptness in N-polar InGaN/AlGaN/GaN heterostructures grown by metalorganic vapor phase epitaxy
S. Tanaka, K. Prasertsuk, T. Kimura, T. Tanikawa, T. Suemitsu, T. Matsuoka
第36回電子材料シンポジウム   10 Nov 2017   
長浜ロイヤルホテル
多光子励起フォトルミネッセンス法によるGaNの三次元光物性評価
谷川智之,松岡隆志
第134回東北大学金属材料研究所講演会   29 Nov 2017   Institute for Materials Research, Tohoku University
東北大学金属材料研究所
Three-Dimensional Imaging of Threading Dislocations in Thick GaN Films by Two-Photon-Excitation Photoluminescence
T. Tanikawa, K. Ohnishi, and T. Matsuoka
第36回電子材料シンポジウム   10 Nov 2017   
長浜ロイヤルホテル
有機金属気相成長法によるN極性InGaNチャンネルHEMT構造の作製
田中真二,プラスラットスック・キャッティウット,木村健司,谷川智之,末光哲也,松岡隆志
第134回東北大学金属材料研究所講演会   29 Nov 2017   Institute for Materials Research, Tohoku University
東北大学金属材料研究所
Internal quantum efficiency of InGaN/GaN multiple quantum wells grown on ScAlMgO4 substrate
C. Hagiwara, S. Kuboya, T. Tanikawa, T. Fukuda, and T. Matsuoka
第36回電子材料シンポジウム   9 Nov 2017   
長浜ロイヤルホテル
多光子励起フォトルミネッセンス法を用いたGaN結晶中の転位解析
谷川智之, 松岡隆志
ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会 平成29年度特別事業企画 委員会100回記念特別公開シンポジウム 『ワイドギャップ半導体の基盤技術と将来展望』〜パワー半導体を中心として〜   26 Oct 2017   
ロワジールホテル豊橋
N-polar GaN MIS-HEMTs on Small Off-cut Sapphire Substrate for Flat Interface
K. Prasertsuk, T. Tanikawa, T. Kimura, S. Kuboya, T. Suemitsu, T. Matsuoka
ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会 平成29年度特別事業企画 委員会100回記念特別公開シンポジウム 『ワイドギャップ半導体の基盤技術と将来展望』〜パワー半導体を中心として〜   26 Oct 2017   
ロワジールホテル豊橋
Threshold Voltage Engineering of Recessed MIS-Gate N-polar GaN HEMTs
K. Prasertsuk, T. Tanikawa, T. Kimura, S. Kuboya, T. Suemitsu, T. Matsuoka
第78回 応用物理学会秋季学術講演会   7 Sep 2017   
福岡国際会議場
T. Tanikawa, K. Ohnishi, and T. Matsuoka
International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2017 (ICMaSS2017)   1 Oct 2017   
多光子励起PL法によるGaN結晶の貫通転位の三次元イメージング [Invited]
谷川智之,大西一生,松岡隆志
第78回 応用物理学会秋季学術講演会   7 Sep 2017   
福岡国際会議場
T. Iwabuchi, S. Kuboya, C. Hagiwara, T. Tanikawa, T. Hanada, T. Fukuda, T. Matsuoka
The 2017 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2017)   20 Sep 2017   
N極性MgドープGaNの光電流DLTS評価
鈴木 秀明,寺島勝哉,及川峻梧,野々田亮平,谷川智之,松岡隆志,岡本 浩
第78回 応用物理学会秋季学術講演会   6 Sep 2017   
福岡国際会議場
二光子励起フォトルミネッセンスを用いて観測したGaN中の貫通転位の伝搬特性 [Invited]
谷川智之,大西一生,加納聖也,向井孝志, 松岡隆志
第78回 応用物理学会秋季学術講演会   6 Sep 2017   
福岡国際会議場
N極性n型GaN上Niショットキー特性に対するアニール効果の評価
寺島勝哉,野々田亮平,正直花奈子, 谷川智之,松岡隆志,岡本 浩
平成29年度電気関係学会東北支部連合大会   24 Aug 2017   
弘前大学文京町地区キャンパス
谷川智之、大西一生、藤田達也、加納聖也、向井孝志、松岡隆志
第9回 ナノ構造・エピタキシャル成長講演会   14 Jul 2017   
K. Prasertsuk、T. Tanikawa, T. Kimura, S. Kuboya, T. Suemitsu, and T. Matsuoka
電子情報通信学会   26 May 2017   
N極性GaN HEMTsにおけるMIS構造導入によるリーク電流の低減
プラスラットスック キャッティウット、三浦輝紀、田中真二、谷川智之、木村健司、窪谷茂幸、末光哲也、松岡隆志
第64回応用物理学会春季学術講演会   14 Mar 2017   
T. Matsubara, K. Yukizane, T. Ezaki, S. Fujimoto, T. Tanikawa, R. Inomoto, N. Okada, and K. Tadatomo
29th International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS 2017)   1 Aug 2017   
Kunibiki Messe, Matsue, Japan
ハイドライド気相成長法によるScAlMgO4基板上へのGaN厚膜成長と自己剥離プロセス
大西一生、加納聖也、窪谷茂幸、谷川智之、向井孝志、松岡隆志
第64回応用物理学会春季学術講演会   14 Mar 2017   
K. Takamiya, S. Yagi, H. Yaguchi, H. Akiyama, K. Shojiki, T. Tanikawa, R. Katayama, and T. Matsuoka
The 12th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-12)   26 Jul 2017   
Strasbourg Convention Center
二光子励起フォトルミネッセンス法によるGaN中の貫通転位の三次元分布評価
谷川智之、大西一生、加納聖也、向井孝志、松岡隆志
第64回応用物理学会春季学術講演会   14 Mar 2017   
多光子顕微鏡を用いたワイドギャップ半導体結晶の三次元構造解析
谷川智之
第3回 東北大学若手研究者アンサンブルワークショップ   3 Jul 2017   Institute for Materials Research, Tohoku University
東北大学金属材料研究所
T. Tanikawa, K. Ohnishi, M. Kanoh, T. Mukai, and T. Matsuoka
The 12th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-12)   26 Jul 2017   
Strasbourg Convention Center
MOVPE Growth of N-polar GaN/AlGaN/GaN Inverted HEMT Structures and Their Electrical Properties
K. Prasertsuk, T. Tanikawa, T. Kimura, A. Miura, S. Kuboya, T. Suemitsu, and T. Matsuoka
3rd Intensive Discussion on Growth of Nitride Semiconductor (IDGN-3)   16 Jan 2017   
GaNのMOVPE成長用ScAlMgO4基板の裏面保護膜に関する研究
岩渕拓也、窪谷茂幸、萩原千拡、谷川智之、福田承生、松岡隆志
第133回東北大学金属材料研究所講演会   26 May 2017   Institute for Materials Research, Tohoku University
東北大学金属材料研究所
N. Okada, Y. Ikeuchi, N. Morishita, T. Matsubara, T. Tanikawa, K. DoHun, M. Imanishi, M. Imade, Y. Mori, K. Tadatomo
The 12th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-12)   25 Jul 2017   
Strasbourg Convention Center
Novel Approach to Fabrication of Free-standing GaN Wafer for Transistors Enabling Energy Saving
T. Matsuoka, S. Kuboya, T. Tanikawa, T. Hanada, and T. Fukuda
10th Intern. Conf. on Polish Soc. for Crystal Growth (ICPSCG10)   16 Oct 2016   
N極性InAlN薄膜の有機金属気相成長とそのXPS分析
窪谷茂幸、大村和世、谷川智之、松岡隆志
第133回東北大学金属材料研究所講演会   26 May 2017   Institute for Materials Research, Tohoku University
東北大学金属材料研究所
K. Ohnishi, M. Kanoh, T. Tanikawa, S. Kuboya, T. Mukai, and T. Matsuoka
The 12th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-12)   25 Jul 2017   
Strasbourg Convention Center
Improvement of Emission Wavelength Homogeneity in N-polar (000-1) InGaN Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
R. Nonoda, T. Tanikawa, K. Shojiki, S. Tanaka, S. Kuboya, R. Katayama, and T. Matsuoka
International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2016)   2 Oct 2016   
Growth of InGaN films on ZnO substrates via AlN protection layers by metalorranic vapor phase epitaxy
J. Yoo, R. Katayama, S. Kunoya, T. Tanikawa, T. Hanada, and T. Matsuoka
第133回東北大学金属材料研究所講演会   26 May 2017   Institute for Materials Research, Tohoku University
東北大学金属材料研究所
Control of Impurity Concentration of Undoped N-polar (000-1) GaN Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
T. Tanikawa, S. Kuboya and T. Matsuoka
International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2016)   2 Oct 2016   
ScAlMg4の剥離特性を生かしたGaN自立基板の作製
大西一生、加納聖也、谷川智之、窪谷茂幸、向井孝志、松岡隆志
第133回東北大学金属材料研究所講演会   26 May 2017   Institute for Materials Research, Tohoku University
東北大学金属材料研究所
Ga-polar GaN Film Grown by MOVPE on Cleaved ScAlMgO4 (0001) Substrate with Nillimeter-scale Wide Terraces
T. Hanada, T. Iwabuchi, S. Kuboya, H. Tajiri, K. Inaba, T. Tanikawa, T. Fukuda, and T. Matsuoka
2016 European Materials Research Society (E-MRS) Fall Meeting   19 Sep 2016   
K. Prasertsuk, T. Tanikawa, T. Kimuram T. Suemitsu, and T. Matsuoka
Compound Semiconductor Week 2017   15 May 2017   
DBB forum Berlin
二光子励起フォトルミネッセンス法を用いたGaNエピタキシャル膜中の貫通転位の三次元解析
谷川智之、大西一生、加納聖也、向井孝志、松岡隆志
第133回東北大学金属材料研究所講演会   26 May 2017   Institute for Materials Research, Tohoku University
東北大学金属材料研究所
Ni/N 極性 p-GaN ショットキー電極界面の電流-電圧特性の温度依存性
青木俊周, 谷川智之, 松岡隆志, 塩島謙次
第77回応用物理学会秋季学術講演会   13 Sep 2016   
J. Yoo, T. Tanikawa, S. Kuboya, T. Hanada, R. Katayama, and T. Matsuoka
2017 Annual Meeting of Excellent Graduate Schools for Materials Integration Center and Materials Science Center   21 Mar 2017   
NH3雰囲気で熱処理した ScAlMgO4のラマン分光評価
山村 和也, 蓮池 紀幸, 播磨 弘, 福田 承生, 窪谷 茂幸, 谷川 智之, 花田 貴, 松岡 隆志
第77回応用物理学会秋季学術講演会   13 Sep 2016   
K. Prasertsuk, T. Tanikawa, T. Kimura, A. Miura, S. Kuboya, T. Suemitsu, and T. Matsuoka
2017 Annual Meeting of Excellent Graduate Schools for Materials Integration Center and Materials Science Center   21 Mar 2017   
N 極性 n 型 GaN 上 Ni ショットキーダイオード特性の蒸着法依存性
寺島 勝哉, 野々田 亮平, 正直 花奈子, 谷川 智之, 松岡 隆志, 鈴木 秀明, 岡本 浩
第77回応用物理学会秋季学術講演会   13 Sep 2016   
Polarity in the Growth of Nitride Semiconductors
T. Matsuoka, T. Kimura, T. Tanikawa, S. Kuboya, and T. Suemitsu
Collaborative Conf. on Crystal Growth (EMN 3CG)   4 Sep 2016   

Patents

 
特許第4913674号 : 窒化物半導体構造及びその製造方法
澤木宣彦, 本田善央, 彦坂年輝, 谷川智之

Social Contribution

 
楽しい理科のはなし2016~不思議の箱を開けよう~「光通信の不思議」
[Others]  23 Aug 2016
一般向けに、光通信に用いられている波長多重通信の技術について模擬実験を行う。
学都「仙台・宮城」サイエンスデイ2016
[Others]  17 Jul 2016
一般向けに、光通信に用いられている光通信の技術を模擬的に体感してもらう。
LayTec社in-situモニタリングシステム プライベートセミナー
[Others]  18 Nov 2015 - 19 Nov 2015
窒化物半導体の窒素極性面の結晶成長におけるin-situ表面反射率モニタの測定方法および測定結果と、見出される成長挙動について講演する。
楽しい理科のはなし2015~不思議の箱を開けよう
[Others]  21 Aug 2015
小学生に科学の魅力を伝える出前授業
学都「仙台・宮城」サイエンス・デイ2015 "光を使って、話をしよう"
[Others]  19 Jul 2015
一般人向けにLED、太陽電池などを用いて光を使った音の通信を行い、波長多重通信を体感してもらう。