木本恒暢 (Tsunenobu Kimoto) - マイポータル

基本情報

所属: 京都大学大学院工学研究科電子工学専攻教授

学位: 工学博士(京都大学)

J-GLOBAL ID: 200901089736935774
researchmap会員ID: 1000027566

研究キーワード

研究分野

経歴

1988年 - 1990年

アモルファスSiおよびダイヤモンド半導体の研究
1988年 - 1990年

Research and Devclopmant of Amophon Si and Semiconducter Diamond
1990年

- SiCの結晶成長とデバイス応用
1990年

- Cuystal Grouth of SiC and Deuice Applocations

学歴

受賞

2020年

山﨑貞一賞
2020年

IEEE ISPSD 2020 Ohmi Best Paper Award
2020年

文部科学大臣表彰科学技術賞（研究部門）
2020年

岩谷直治記念賞
2017年

科学研究費助成事業審査員表彰
2016年

応用物理学会論文賞（解説論文）
2015年

加藤記念賞
2015年

IEEE IMFEDK 2015 Best Paper Award
2015年

IEEE Fellow
2014年

応用物理学会フェロー
2014年

市村産業賞
2014年

市村学術賞
2013年

43th ESSDRC Distinguished Contribution Award
2012年

International Workshop on Nitride Semiconductors 2012 Best Paper Award
2012年

APEX/JJAP Editorial Contribution Award
2012年

IEEE IMFEDK 2012 Best Paper Award
2011年

大阪科学賞
2006年

SSDM 2006 Paper Award
2005年

IEEE EDS MFSK Award
2004年

電子情報通信学会業績賞

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論文

646

Threshold voltage and channel mobility in counter-doped SiC p-channel MOSFETs with nitrided gate oxides

Ryoma Ito, Akira Inoue, Kyota Mikami, Mitsuaki Kaneko, Tsunenobu Kimoto

Japanese Journal of Applied Physics 65(6) 060903-060903 2026年3月30日
Influence of donor impurities and crystal faces on doping-dependent fixed charges in SiC/SiO ₂ structure

Kyota Mikami, Mitsuaki Kaneko, Tsunenobu Kimoto

Japanese Journal of Applied Physics 65(5) 050907-050907 2026年3月12日
Dopant activation and deep levels in Al-ion channeling-implanted 4H-SiC

Shota Kozakai, Mitsuaki Kaneko, Tsunenobu Kimoto

Japanese Journal of Applied Physics 65(2) 020908-020908 2026年1月30日
Mechanism of doping-dependent fixed charges in SiC/SiO2 structure: Defect formation related to the Fermi level during final annealing

Kyota Mikami, Mitsuaki Kaneko, Tsunenobu Kimoto

Journal of Applied Physics 138(22) 2025年12月8日
Modeling of SiC(0001) n-Channel MOSFETs Based on Comprehensive Understanding of Electron Scattering Mechanism

Xilun Chi, Koji Ito, Takeru Suto, Akio Shima, Kyota Mikami, Mitsuaki Kaneko, Tsunenobu Kimoto

IEEE Transactions on Electron Devices 72(12) 6494-6502 2025年12月
Pt ohmic contacts on p-type SiC with low contact resistivity formed by a 600 °C annealing process

Kotaro Kuwahara, Mitsuaki Kaneko, Tsunenobu Kimoto

Applied Physics Express 18(10) 101003-101003 2025年10月1日
A three-step surface treatment and its impacts on electrical properties of c- and m-face GaN/Al2O3 MOS structures

Masahiro Hara, Toshihide Nabatame, Yoshihiro Irokawa, Tomomi Sawada, Manami Miyamoto, Hiromi Miura, Tsunenobu Kimoto, Yasuo Koide

Materials Science in Semiconductor Processing 196 109606-109606 2025年9月
Small surface potential fluctuation near the valence band edge at nitrided 4H-SiC(0001)/SiO2 interfaces

Kyota Mikami, Mitsuaki Kaneko, Tsunenobu Kimoto

Applied Physics Letters 126(22) 2025年6月2日
First-order SPICE modeling of SiC p- and n-channel side-gate JFETs toward high-temperature complementary JFET ICs

Noriyuki Maeda, Mitsuaki Kaneko, Hajime Tanaka, Tsunenobu Kimoto

APL Electronic Devices 1(2) 2025年4月23日
Analysis of trap-assisted tunneling current at non-alloyed contacts formed on heavily ion-implanted n-type SiC

Masahiro Hara, Hajime Tanaka, Mitsuaki Kaneko, Tsunenobu Kimoto

Journal of Applied Physics 137(13) 2025年4月2日
Fundamentals and Future Challenges of SiC Power Devices

T. Kimoto, R. Ishikawa, K. Tachiki, X. Chi, K. Mikami, M. Kaneko

2025 9th IEEE Electron Devices Technology &amp; Manufacturing Conference (EDTM) 1-3 2025年3月9日
Doping-dependent fixed charges in SiC/SiO₂ structure

Kyota Mikami, Mitsuaki Kaneko, Tsunenobu Kimoto

Applied Physics Express 18(3) 034002-034002 2025年3月1日
Free electron mobility limited by fixed charges and trapped electrons in 4H-SiC(11 <mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML"> <mml:mover> <mml:mn>2</mml:mn> <mml:mo>¯</mml:mo> </mml:mover> </mml:math> 0) and (1 <mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML"> <mml:mover> <mml:mn>1</mml:mn> <mml:mo>¯</mml:mo> </mml:mover> </mml:math> 00) MOSFETs annealed in NO

Koji Ito, Hajime Tanaka, Masahiro Horita, Jun Suda, Tsunenobu Kimoto

Japanese Journal of Applied Physics 64(1) 010902-010902 2025年1月1日
Unique Electron Trapping and its Impacts on Electron Mobility in SiC n-Channel MOSFETs

Xilun Chi, Koji Ito, Takeru Suto, Akio Shima, Mitsuaki Kaneko, Tsunenobu Kimoto

2024 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) 1-4 2024年12月7日
Depth profiles of hole traps in the tail region of Al ion implantation into p-type 4H-SiC

Haruki Fujii, Mitsuaki Kaneko, Tsunenobu Kimoto

Japanese Journal of Applied Physics 63(11) 118002-118002 2024年11月1日
Impact ionization coefficients along 4H-SiC <mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML"> <mml:mo>〈</mml:mo> <mml:mn>11</mml:mn> <mml:mover> <mml:mrow> <mml:mn>2</mml:mn> </mml:mrow> <mml:mrow> <mml:mo>¯</mml:mo> </mml:mrow> </mml:mover> <mml:mn>0</mml:mn> <mml:mo>〉</mml:mo> </mml:math> in a wide temperature range

Takeaki Kitawaki, Xilun Chi, Mitsuaki Kaneko, Tsunenobu Kimoto

Japanese Journal of Applied Physics 63(11) 118004-118004 2024年11月1日
Depth profiles of electron and hole traps generated by reactive ion etching near the surface of 4H-SiC

Shota Kozakai, Haruki Fujii, Mitsuaki Kaneko, Tsunenobu Kimoto

Journal of Applied Physics 136(9) 2024年9月6日
Demonstration of SiC n-channel MOSFETs fabricated on a high-purity semi-insulating substrate and investigation of the short-channel effects

Shion Toshimitsu, Keita Tachiki, Mitsuaki Kaneko, Tsunenobu Kimoto

Japanese Journal of Applied Physics 63(9) 090905-090905 2024年9月2日
Estimation of Electron Drift Mobility along the <i>c</i>-Axis in 4H-SiC by Using Vertical Schottky Barrier Diodes

Ryoya Ishikawa, Mitsuaki Kaneko, Tsunenobu Kimoto

Solid State Phenomena 360 205-210 2024年8月23日
Influence of fixed charges and trapped electrons on free electron mobility at 4H-SiC(0001)/SiO₂ interfaces with gate oxides annealed in NO or POCl₃

Koji Ito, Hajime Tanaka, Masahiro Horita, Jun Suda, Tsunenobu Kimoto

Applied Physics Express 17(8) 081003-081003 2024年8月1日

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MISC

163

窒化後CO₂熱処理による4H-SiC(0001)CMOSデバイスの性能向上

國吉望月, 國吉望月, MOGES Kidist, 小林拓真, 細井卓治, 志村考功, 立木馨大, 木本恒暢, 渡部平司

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 83rd 2022年
NO窒化後のCO₂熱処理によるSiC MOSFETの閾値電圧安定性向上

細井卓治, 大迫桃恵, 伊藤滉二, 志村考功, 木本恒暢, 渡部平司

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 80th 2019年
Carrier lifetime and breakdown phenomena in SiC power device material

T. Kimoto, H. Niwa, T. Okuda, E. Saito, Y. Zhao, S. Asada, J. Suda

Journal of Physics D: Applied Physics 51(36) 2018年7月30日
Appearance of quantum point contact in Pt/NiO/Pt resistive switching cells

Yusuke Nishi, Hiroki Sasakura, Tsunenobu Kimoto

JOURNAL OF MATERIALS RESEARCH 32(14) 2631-2637 2017年7月
高耐圧SiCパワーデバイス実現に資する衝突イオン化係数の精密評価

木本恒暢, 丹羽弘樹, 須田淳

応用物理 86(5) 392-396 2017年5月
Analysis of quasi-ballistic hole transport capability of Ge and Si nanowire pMOSFETs by a quantum-corrected Boltzmann transport equation

Tanaka H, Suda J, Kimoto T

International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices, SISPAD 2017-September 277-280 2017年査読有り
Insight into phonon scattering in Si nanowires through high-field hole transport: Impacts of boundary condition and comparison with bulk phonon approximation

Tanaka H, Suda J, Kimoto T

Journal of Physics: Conference Series 864(1) 2017年査読有り
p型SiCの電気化学エッチングにおけるエッチングモード制御によるピットの低減 (電子ディスプレイ)

榎薗太郎, 木本恒暢, 須田淳

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 116(354) 59-62 2016年12月12日
ラマン散乱分光法および赤外反射分光法によるGaN自立基板の評価 (レーザ・量子エレクトロニクス)

鐘ヶ江一孝, 金子光顕, 木本恒暢, 堀田昌宏, 須田淳

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 116(358) 21-26 2016年12月12日
NiOを用いたReRAMにおけるフォーミング特性の分布 (電子ディスプレイ)

西佑介, 木本恒暢

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 115(362) 13-17 2015年12月14日
NOアニールを施したSiC MOSデバイスのフラットバンド電圧安定性

勝義仁, 細井卓治, 南園悠一郎, 木本恒暢, 志村考功, 渡部平司

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 62nd 2015年
長方形断面Geナノワイヤの正孔移動度の断面形状およびサイズ依存性 (シリコン材料・デバイス)

田中一, 森誠悟, 森岡直也, 須田淳, 木本恒暢

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 114(360) 1-6 2014年12月12日
4H-SiC BJTの電流増幅率の温度依存性 (シリコン材料・デバイス)

浅田聡志, 奥田貴史, 木本恒暢, 須田淳

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 114(360) 115-118 2014年12月12日
NiOを用いたReRAMのセミフォーミング後における抵抗スイッチング特性 (電子ディスプレイ)

篠倉弘樹, 西佑介, 岩田達哉, 木本恒暢

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 114(359) 129-134 2014年12月12日
NiO薄膜を用いた抵抗変化型メモリにおける2つのモードを有するフォーミング

篠倉弘樹, 西佑介, 岩田達哉, 木本恒暢

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 75th ROMBUNNO.20A-A10-8 2014年9月1日
反応性スパッタNiO膜の電気特性に膜の微細構造が及ぼす影響

岩田達哉, 西佑介, 木本恒暢

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 61st ROMBUNNO.17P-PG2-6 2014年3月3日
NiO抵抗変化素子の伝導特性と抵抗状態の差異の新たな解釈

岩田達哉, 西佑介, 篠倉弘樹, 木本恒暢

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 61st ROMBUNNO.19P-E8-8 2014年3月3日
実用化に向けて加速するSiC半導体の周辺技術開発と次世代フェーズへの取り組み 16kV級超高耐圧SiC IE-IGBTの開発

米澤喜幸, 水島智教, 竹中研介, 藤澤弘幸, 岡本光央, 吉川満, 松永慎一郎, 加藤智久, 岡本大, 原田信介 …

工業材料 62(3) 2014年
固体物理の応用高耐圧SiCパワーデバイスの進展と課題

木本恒暢

固体物理 49(1) 35-43 2014年1月
長方形断面Geナノワイヤの電子移動度の断面形状およびサイズ依存性 (シリコン材料・デバイス)

田中一, 森誠悟, 森岡直也, 須田淳, 木本恒暢

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 113(351) 91-96 2013年12月13日

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書籍等出版物

薄膜作製応用ハンドブック

(担当:分担執筆, 範囲:炭化ケイ素(SiC)パワーデバイス)

NTS 2020年
Wide Bandgap Semiconductor Power Devices

(担当:分担執筆, 範囲:SiC Material Properties)

Woodhead Publishing 2018年
Handbook of Crystal Growth, Volume 3B: Thin Films and Epitaxy, 2nd edition

(担当:分担執筆, 範囲:Epitaxial Growth of SiC)

2014年
Fundamentals of Silicon Carbide Technology

(担当:共著)

John Wiley & Sons 2014年
Silicon Carbide and Related Materials 2013

(担当:編者(編著者))

Trans Tech Publications 2014年
「電気工学ハンドブック」電気学会編

(担当:分担執筆, 範囲:SiCパワーデバイス)

オーム社 2013年
ワイドギャップ半導体あけぼのから最前線へ

(担当:共著, 範囲:「SiC物性評価・制御の進展」，「SiC電子エコデバイスの総論」)

培風館 2013年
Silicon Carbide Epitaxy

(担当:共著)

2012年
半導体SiC技術と応用

木本恒暢

日刊工業新聞社 2011年 (ISBN: 4526067547)
パワーデバイス

木本恒暢

丸善 2011年
Silicon Carbide, Vol. 1: Growth, Defects, and Novel Applications, Vol.2: Power Devices and Sensors

T. Kimoto

Wiley-VCH Verlag 2010年
Silicon Carbide and Related Materials 2007

T. Kimoto

Trans Tech Publications 2009年
パワーエレクトロニクスの新展開

木本恒暢

シーエムシー出版 2009年 (ISBN: 4781301371)
Silicon Carbide 2006 - Materials, Processing and Devices

T. Kimoto

Mat. Res. Soc. 2006年
Silicon Carbide 2004-Materials, Processing and Devices

T. Kimoto

Mat. Res. Soc. 2004年
Low Temperature Homoepitaxial Growth of 6H-SiC by VPE Method

木本恒暢

Amorphous and Crystalline Silicon Carbide IV. Spronger-Verlag,31 1992年

主要な講演・口頭発表等

228

Improvement of carrier lifetimes in lightly-doped p-type 4H-SiC epitaxial layers by combination of thermal oxidation and hydrogen passivation

T. Okuda, T, Miyazawa, H. Tsuchida, T. Kimoto, J. Suda

European Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2014 2014年9月

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所属学協会

Works(作品等)

SiC結晶成長とデバイス応用

2000年 - 2004年
SiC結晶成長技術

1999年 - 2004年
Crystal Grouth of SiC

1999年 - 2001年
Crystal Grouth of SiC and Device Applocations

2001年
ダイヤモンド半導体に関する研究

1989年
Study on Semiconducting Diamond

1989年

共同研究・競争的資金等の研究課題

パワーエレクトロニクス応用におけるSiC 半導体素子の革新

国立研究開発法人科学技術振興機構（JST）戦略的創造研究推進事業 ALCA-Next 日英半導体共同募集 2024年10月 - 2028年3月

木本恒暢, 小林拓真, 丹羽正昭
ロバストエレクトロニクスを目指したSiC半導体の学理深化

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(S) 2021年7月 - 2026年3月

木本恒暢, 金子光顕, 田中一
学理に基づく高品質SiC/酸化膜界面の形成とロバストデバイスへの展開

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(A) 2021年4月 - 2022年3月

木本恒暢, 金子光顕
半絶縁性SiCの物性・欠陥解明とイオン注入による相補型ロバストJFETの作製

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(A) 2018年4月 - 2021年3月

木本恒暢, 西佑介
炭化珪素半導体の欠陥制御と超高耐圧ロバスト素子への応用

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(S) 2009年5月 - 2014年3月

木本恒暢, 須田淳, 西佑介
超高耐圧ロバスト素子を目指した炭化珪素半導体の欠陥制御に関する研究

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(A) 2009年 - 2009年

木本恒暢, 須田淳, 西佑介
SiCパワーデバイスのEMCを考慮したパワー配線回路設計および集積化

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 2006年 - 2008年

引原隆士, 和田修己, 木本恒暢, 舟木剛, 薄良彦
イオン注入および埋め込み再成長を利用したSiC超接合パワーMOSFETの研究

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(A) 2006年 - 2008年

木本恒暢, 須田淳
ワイドギャップ半導体の結晶成長と電子物性評価

日本学術振興会科学研究費助成事業特別研究員奨励費 2006年 - 2007年

木本恒暢, ALFIREI Giovanni, ALFIERI Giobanni
多層Pη接合の多次元空乏化を利用した金属接点級SiCパワーデバイスの基礎研究

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 2004年 - 2005年

木本恒暢, 須田淳
ワイドギャップ半導体SiCを用いた高耐圧・超高効率・高速パワーMOSFET

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 2001年 - 2002年

木本恒暢, 須田淳, 松波弘之
ワイドギャップ半導体の電子物性制御とエネルギーエレクトロニクスへの展開

日本学術振興会科学研究費助成事業特別推進研究 1997年 - 2000年

松波弘之, 木本恒暢, 冬木隆, 吉本昌広
半導体ナノ構造電子エネルギートポグラフ解析装置

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(A) 1996年 - 1997年

更家淳司, 吉本昌広, 松村信男, 吉本昌広, 木本恒暢, 冬木隆, 松波弘之
表面超構造制御原子層エピタキシ-のためのフリーラジカルの作製

日本学術振興会科学研究費助成事業重点領域研究 1995年 - 1995年

松波弘之, 木本恒暢, 吉本昌広, 冬木隆
広禁制帯幅半導体との複合による極限高効率シリコン太陽電池の開発

日本学術振興会科学研究費助成事業試験研究(B) 1994年 - 1995年

冬木隆, 木本恒暢, 吉本昌広, 松波弘之
ワイドギャップ半導体SiCのパワーデバイスへの応用

日本学術振興会科学研究費助成事業試験研究(B) 1994年 - 1995年

松波弘之, 木本恒暢, 吉本昌広, 冬木隆
レーザ光励起表面反応過程のミクロ解析と原子層エピタキシ-への応用

日本学術振興会科学研究費助成事業一般研究(B) 1994年 - 1995年

松波弘之, 木本恒暢, 吉本昌宏, 冬木隆
ワイドギャップ半導体純正結晶の電子的挙動と新規デバイスへの応用

日本学術振興会科学研究費助成事業国際学術研究 1994年 - 1995年

松波弘之, PENSL G., CHOYKE W.J., 木本恒暢, GERHARD Pens, WOLFGANG.J. チョイケ
ワイドギャッブ半導体SiC/GaNヘテロ接合の作製と物性評価

日本学術振興会科学研究費助成事業奨励研究(A) 1994年 - 1994年

木本恒暢
レーザ励起による表面反応ダイナミクスの究明とエピタキシャル成長の原子層レベル制御

日本学術振興会科学研究費助成事業重点領域研究 1994年 - 1994年

冬木隆, 木本恒暢, 松波弘之

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木本恒暢

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研究キーワード

研究分野

経歴

学歴

受賞

論文

MISC

書籍等出版物

主要な講演・口頭発表等

所属学協会

Works(作品等)

共同研究・競争的資金等の研究課題

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