2012年
新規チタン酸水素化物(3) : エピタキシャル薄膜の作製および輸送特性
日本セラミックス協会 年会・秋季シンポジウム 講演予稿集
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- 巻
- 2012
- 号
- 0
- 開始ページ
- 332
- 終了ページ
- 332
- 記述言語
- 日本語
- 掲載種別
- DOI
- 10.14853/pcersj.2012S.0.332.0
- 出版者・発行元
- 公益社団法人 日本セラミックス協会
チタン酸水素化物エピタキシャル薄膜の作製は、薄膜デバイスへの応用を可能にするのみならず、基礎学術の面からも大変重要である。今回我々は、ATO3(A = Ba, Sr, Ca)エピタキシャル薄膜を金属水素化物により還元することで、ATiO3-xHxエピタキシャル薄膜の作製に成功した。4端子法による電気抵抗率測定の結果、Aサイトがいずれの元素の場合も金属的な電気伝導性を示し、チタン酸水素化物が本質的に金属的な電子状態をとり得ることを明らかにした。また、エピタキシャル薄膜においても、粉末試料と同様に外界の水素ガスとの水素化物イオン交換能を有することが確認され、電子-水素化物イオン混合伝導体としてのポテンシャルを示した。
- リンク情報
- ID情報
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- DOI : 10.14853/pcersj.2012S.0.332.0
- CiNii Articles ID : 130006976643